D1, C1 and C2 along with the IR2110

D1, C1 and C2 along with the IR2110 form the bootstrap circuitry. When LIN = 1 and Q2 is on, C1 and C2 get charged to the level on VB, which is one diode drop below +VCC. When LIN = 0 and HIN = 1, this charge on the C1 and C2 is used to add the extra voltage – VB in this case – above the source level of Q1 to drive the Q1 in high-side configuration. A large enough capacitance must be chosen for C1 so that it can supply the charge required to keep Q1 on for all the time. C1 must also not be too large that charging is too slow and the voltage level does not rise sufficiently to keep the MOSFET on. The higher the on time, the higher the required capacitance. Thus, the lower the frequency, the higher the required capacitance for C1. The higher the duty cycle, the higher the required capacitance for C1. Yes, there are formulae available for calculating the capacitance. However, there are many parameters involved, some of which we may not know – for example, the capacitor leakage current. So, I just estimate the required capacitance. For low frequencies such as 50Hz, I use between 47µF and 68µF capacitance. For high frequencies like 30kHz to 50kHz, I use between 4.7µF and 22µF. Since we’re using an electrolytic capacitor, a ceramic capacitor should be used in parallel with this capacitor. The ceramic capacitor is not required if the bootstrap capacitor is tantalum.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ง 1, C1 และ C2 พร้อม IR2110 ฟอร์มวงจรเริ่มต้นระบบ เมื่อหลิน = 1 และ Q2 อยู่ C1 และ C2 ได้คิดระดับบน VB ซึ่งเป็นหนึ่งด้านล่างวางไดโอด + VCC เมื่อหลิน = 0 และหิน = 1, C1 และ C2 ค่านี้ใช้เพิ่มแรงดันเสริม – VB ในกรณีนี้ – ระดับต้นของไตรมาสที่ 1 ไปในไตรมาสที่ 1 ในการกำหนดค่าสูงด้านการ ขนาดใหญ่เพียงพอความต้องเลือกสำหรับ C1 เพื่อที่จะสามารถใส่ค่าธรรมเนียมต้องทำให้ไตรมาสที่ 1 ในตลอดเวลา C1 ยังไม่ต้องเกินว่า ชาร์จช้าเกินไป และระดับแรงดันไฟฟ้าไม่ขึ้นพอให้มอสเฟตที่บน เวลาในที่สูง ความต้องการสูง ดังนั้น ต่ำกว่าความถี่ ความจำเป็นยิ่งสำหรับ C1 สูงกว่าภาษีรอบ ความจำเป็นยิ่งสำหรับ C1 ใช่ มีสูตรสำหรับการคำนวณค่าความจุ อย่างไรก็ตาม มีหลายพารามิเตอร์เกี่ยวข้อง ซึ่งเราอาจไม่ทราบ – ตัว ปัจจุบันตัวเก็บประจุรั่วไหล ดังนั้น ฉันเพียงประเมินความต้องการ สำหรับความถี่ต่ำเช่น 50 Hz ฉันใช้ระหว่างความ 47µF และ 68µF สำหรับความถี่สูงเช่น 30kHz ถึง 50kHz ฉันใช้ระหว่าง 4.7µF และ 22µF เนื่องจากเราใช้ตัวเก็บประจุการ electrolytic ควรใช้ตัวเก็บประจุเซรามิคขนานกับตัวเก็บประจุนี้ ตัวเก็บประจุเซรามิกไม่จำเป็นว่าตัวเก็บประจุเริ่มต้นระบบ แทนทาลัม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

D1, C1 และ C2 พร้อมกับ IR2110 รูปแบบวงจรบูต เมื่อ LIN = 1 และไตรมาสที่ 2 อยู่ใน C1 และ C2 จะได้รับค่าใช้จ่ายในระดับที่ VB ซึ่งเป็นลดลงไดโอดหนึ่งด้านล่าง + VCC เมื่อ LIN = 0 และหิน = 1 ค่า C1 และ C2 นี้จะใช้เพื่อเพิ่มแรงดันพิเศษ - VB ในกรณีนี้ - เหนือระดับแหล่งที่มาของไตรมาสที่ 1 ปีเพื่อผลักดันการไตรมาสที่ 1 ปีในการกำหนดค่าด้านสูง ความจุขนาดใหญ่พอที่จะต้องได้รับการแต่งตั้งให้ C1 เพื่อที่จะสามารถจัดหาค่าใช้จ่ายที่จำเป็นในการให้ไตรมาสที่ 1 ปีสำหรับตลอดเวลา C1 จะต้องยังไม่ได้มีขนาดใหญ่เกินไปที่จะชาร์จช้าเกินไปและระดับแรงดันไฟฟ้าไม่ได้เพิ่มขึ้นเพียงพอที่จะให้มอสเฟตใน ที่สูงขึ้นในเวลาที่สูงกว่าความจุที่จำเป็น ดังนั้นที่สูงกว่าความจุที่จำเป็นต้องใช้ความถี่ต่ำกว่าสำหรับ C1 สูงกว่ารอบการทำงานที่สูงกว่าความจุที่จำเป็นสำหรับ C1 ใช่มีสูตรสำหรับการคำนวณความจุ แต่มีปัจจัยหลายประการที่เกี่ยวข้องกับบางที่เราอาจไม่ทราบ - ตัวอย่างเช่นการรั่วไหลของตัวเก็บประจุในปัจจุบัน ดังนั้นฉันเพียงแค่ประมาณความจุที่ต้องการ สำหรับความถี่ต่ำเช่น 50Hz ผมใช้ระหว่าง47μFและ68μFความจุ สำหรับความถี่สูงเช่น 30kHz ถึง 50kHz ผมใช้ระหว่าง4.7μFและ22μF เนื่องจากเรากำลังใช้ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าประจุเซรามิกควรจะใช้ในขนานกับตัวเก็บประจุนี้ ตัวเก็บประจุเซรามิกไม่จำเป็นถ้าตัวเก็บประจุบูตเป็นแทนทาลัม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

D1 C1 และ C2 พร้อมกับ ir2110 รูปแบบวงจรบูตสแตรป . เมื่อหลิน = 1 และ 2 บน , C1 และ C2 ได้รับค่าใช้จ่ายในระดับบน VB , ซึ่งเป็นหนึ่งในไดโอดวางด้านล่าง VCC . เมื่อหลิน = 0 และหัวหิน = 1 , นี้ค่าใช้จ่ายใน C1 และ C2 ใช้เพิ่มแรงดันเสริมสำหรับ VB ในกรณีนี้–เหนือระดับที่มาเพิ่มไดรฟ์ 1 ในการตั้งค่าด้านสูงมีความจุขนาดใหญ่พอต้องเลือก C1 เพื่อให้สามารถจัดหาค่าใช้จ่ายที่ต้องเก็บ 1 ในตลอดเวลา ยูเวนตุสยังต้องไม่ใหญ่เกินกว่าที่ชาร์จช้า และระดับแรงดันไม่ขึ้นพอที่จะเก็บ MOSFET บน ยิ่งในเวลาที่ต้องการความจุสูง . ดังนั้น การลดความถี่ สูง ต้องการความจุสำหรับ C1 .ยิ่งรอบหน้าที่ ยิ่งต้องการความจุสำหรับ C1 . ใช่ มีสูตรของการคำนวณความจุ . อย่างไรก็ตาม มีตัวแปรมากมายที่เกี่ยวข้อง บางอย่างที่เราไม่อาจรู้ได้ ( ตัวอย่างเช่น ตัวเก็บประจุรั่วในปัจจุบัน ฉันประเมินที่ต้องการความจุ . สำหรับความถี่ต่ำเช่น 50Hz ผมใช้ระหว่าง 47 µ F และ F ความจุ 68 µ .สำหรับความถี่สูง เช่น 30khz ที่จะมี ผมใช้ระหว่าง 4.7 µ F 22 µ F เพราะเราใช้ตัวเก็บประจุ electrolytic ตัวเก็บประจุเซรามิก ควรใช้ควบคู่กับชุดนี้ ตัวเก็บประจุเซรามิคไม่จําเป็น ถ้าบูตสแตรปเป็นตัวเก็บประจุแทนทาลัม