Photoresist (PR) (S2010, Microchem)

Photoresist (PR) (S2010, Microchem) was deposited on the M/C paper by spincoating at 3000rpm and exposed by UV system (Karl Süss,i-line) with a photomask for 12 s.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฝากไว้ใน M/C กระดาษ โดย spincoating ที่ 3000 rpm และสัมผัส โดยระบบ UV เพียง (PR) (S2010, Microchem) (Karl Süss, i-บรรทัด) กับ photomask 12 s

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไวแสง (PR) (S2010, Microchem) ถูกวางลงบนกระดาษ M / C โดย spincoating ที่ 3000rpm และสัมผัสโดยระบบ UV (คาร์ลSüss i-บรรทัด) ด้วยโฟโต้ 12 วินาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โฟโตรีซีส ( PR ) ( s2010 microchem , ) ฝากบน M / C กระดาษโดย spincoating ที่ 3000rpm และสัมผัสด้วยระบบ UV ( คาร์ล S ü SS I - line ) กับโฟโต้มาสค์เป็นเวลา 12 วินาที