Temperature-dependent excitation sp

Temperature-dependent excitation spectra monitored at 2.71eV and 2.17eV are shown in Fig. 4a and b, respectively. As described above, the excitation consists of 4f transitions of Gd3þ and CT transition of TaO3 4 group. For the high-energy band, the shape of the excitation spectra changes significantly with temperature. The excitation efficiency around 4eV decreases faster than that of 4.53eV. A broad band at about 3.5eV also appears at higher temperature, which may be caused by some defects. While for the low-energy band, the excitation spectra are rather similar to each other. Some impurity-related peaks located at 3.53eV and 3.39eV
can be observed at higher temperature, which are corresponding to the 4f transitions of Eu3þ impurities (emission spectra excited by photons around these peaks show the characteristics of Eu3þ emission). The appearance of these peaks is consistent with the situation observed in the temperature-dependent emission spectra. Fig. 5a and b shows the luminescence decay curves monitored at 2.88 eV and 2.16 eV at some selected temperature points, respectively. The decays of both bands show a two-exponential manner in the full temperature range. It can be written as follows: IðtÞ¼a1expðt=τ1Þþa2expðt=τ2ÞþC ð2Þ The fit results are summarized in Tables 1 and 2. The two- exponential behavior implies that the excited states experience additional nonradiative channel accompanying the radiative recom- bination [23]. For the high-energy band, both the fast component and slowcomponent decreasewith increaseof the temperature.The decay of the high-energy band becomes very faster above 150K, as shown in Fig. 5a, which agrees well with the temperature depen- dence of PL intensity. Abrupt increase of the lifetime at low temperature evidences the presence of a pair of closely spaced energy levels involved in the photoexcited dynamics [24,25]. For the low-energy band, the decays change gradually with increasing temperature, with the fast component changing slightly around 10nsandtheslowcomponent decreasingfrom661nsto124 ns.We calculate the average lifetime using the following equation [26]: τave ¼R tIðtÞdt R IðtÞdt ð2Þ where I(t) denotes the PL intensity at time t corrected for the background. The average lifetime of
2.7eV band at 20 K is calculated to be 14μs, much longer than that of the
2.2eV band with the average lifetime of 673 ns. Apparently, the decay rates of both bands are significantly different, which gives the further evidence that these two bands originate from different luminescent centers. The general trends of the decays can be outlined but the measured temperature-dependent lifetime may not be completely alike the real situation due to the slow response of our instrument (97ns). Oxygen vacancy is the most obvious defect we can think of for the reasons that the crystal is grown in anoxic atmosphere and oxygen vacancies in many oxides emit broad luminescence [23,27]. To confirm whether the luminescence is related to oxygen vacancy, we investigated the annealing effect on the luminescence of GTO crystal. The air annealing effect had been reported in Ref. [13] and the effectof H2 annealing wasfurtherstudiedinthis work,as shown in Fig. 6. The intensity of these samples can be classified in the following order: IairoIunannealedoIH2 However, the difference of these spectra looks very small. As mentioned above, the lumines- cence of GTO crystal is severely thermally quenched. Therefore, this cannot be treated as reliable evidence to confirm whether and how much oxygen vacancies contribute to the luminescence of GTO crystal. Further experiments need to be taken to clarify it.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แรมสเป็คตราขึ้นอยู่กับอุณหภูมิในการกระตุ้นติดตามที่ 2.71eV และ 2.17eV จะแสดงใน Fig. 4a และ b ตามลำดับ ตามที่อธิบายไว้ข้างต้น ในการกระตุ้นที่ประกอบด้วยช่วง 4f ของ Gd3þ และเปลี่ยน CT ของกลุ่ม TaO3 4 สำหรับวง high-energy รูปร่างของแรมสเป็คตราในการกระตุ้นเปลี่ยน significantly กับอุณหภูมิ Efficiency ในการกระตุ้นประมาณ 4eV ลดลงเร็วกว่าที่ 4.53 eV วงกว้างที่ประมาณ 3.5eV ยังปรากฏที่อุณหภูมิสูง ซึ่งอาจเกิดจากข้อบกพร่องบางอย่าง สำหรับวงพลังงานต่ำ แรมสเป็คตราในการกระตุ้นจะค่อนข้างคล้ายกัน ตั้งอยู่ที่ 3.53eV และ 3.39eV บางยอดมลทินที่เกี่ยวข้องจะสังเกตได้จากอุณหภูมิสูง ซึ่งสอดคล้องกับการเปลี่ยน 4f ของสิ่งสกปรก Eu3þ (แรมสเป็คตรามลพิษตื่นเต้น โดย photons รอบ ๆ ยอดเขาเหล่านี้แสดงลักษณะของมลพิษ Eu3þ) ลักษณะของยอดเขาเหล่านี้จะสอดคล้องกับสถานการณ์ในแรมสเป็คตราเล็ดรอดขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ Fig. ของ 5a และ b แสดงเส้นโค้งผุ luminescence ติดตามที่ 2.88 eV และ 2.16 eV จุดบางเลือกอุณหภูมิ ตามลำดับ Decays ของวงทั้งสองแสดงลักษณะสองเนนในช่วงอุณหภูมิทั้งหมด สามารถเขียนได้ดังนี้: IðtÞ¼a1expð t = τ1Þþa2expð t = ð2Þ τ2ÞþC ผล fit ได้สรุปไว้ในตาราง 1 และ 2 ได้ สอง - เนนพฤติกรรมบ่งชี้ว่า อเมริกาตื่นเต้นพบช่อง nonradiative เพิ่มเติมพร้อมการ radiative recom-bination [23] สำหรับ high-energy วง ส่วนประกอบได้อย่างรวดเร็วและ slowcomponent decreasewith increaseof อุณหภูมิ ผุวง high-energy จะเร็วมากเหนือ 150K มากของ 5a Fig. ซึ่งตกลงกับอุณหภูมิ depen-dence ของ PL ความเข้ม เพิ่มขึ้นอย่างทันทีทันใดของอายุการใช้งานที่อุณหภูมิต่ำ evidences ของคู่ของระดับพลังงานใกล้ชิดลที่เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลง photoexcited [24,25] สำหรับวงพลังงานต่ำ decays เปลี่ยนแปลงค่อย ๆ เพิ่มอุณหภูมิ กับคอมโพเนนต์ที่รวดเร็วในการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยรอบ ๆ 10nsandtheslowcomponent decreasingfrom661nsto124 ns เราคำนวณอายุการใช้งานเฉลี่ยที่ใช้สมการต่อไปนี้ [26]: τave ¼R tIðtÞdt ð2Þ R IðtÞdt ที่ I(t) แสดงความเข้ม PL ที่เวลา t สำหรับพื้นหลัง อายุการใช้งานเฉลี่ยของวง 2.7eV ที่ 20 K จะคำนวณได้เท่ากับ 14μs ความยาวเกินกว่าที่วง 2.2eV มีอายุการใช้งานเฉลี่ยของ 674 ns เห็นได้ชัด อัตราการผุของทั้งสองวงมี significantly แตกต่างกัน ซึ่งให้หลักฐานเพิ่มเติมที่วงสองเหล่านี้มาจากศูนย์อื่น luminescent แนวโน้มทั่วไปของ decays สามารถถูกกำหนดเค้าร่าง แต่อายุการใช้งานขึ้นอยู่กับอุณหภูมิวัดอาจไม่สมบูรณ์เหมือนสถานการณ์จริงจากการตอบสนองช้า (97ns) เครื่องมือของเรา ตำแหน่งว่างออกซิเจนจะบกพร่องชัดเจนที่สุดที่เราสามารถคิดเหตุผลที่ผลึกเติบโตในบรรยากาศ anoxic และตำแหน่งออกซิเจนในออกไซด์หลายกิ๊ก luminescence กว้าง [23,27] การ confirm ว่า luminescence ที่เกี่ยวข้องกับตำแหน่งว่างออกซิเจน เราตรวจสอบผลหลอม luminescence ของคริสตัลจีทีโอ มีรายงานอากาศผลการอบเหนียวในอ้างอิง [13] และ wasfurtherstudiedinthis หลอมของ H2 effectof ที่ทำ งาน ตามที่แสดงใน Fig. 6 ความเข้มของตัวอย่างเหล่านี้สามารถ classified ในลำดับต่อไปนี้: IairoIunannealedoIH2 อย่างไรก็ตาม ความแตกต่างของแรมสเป็คตราเหล่านี้ดูดีมากขึ้น ดังกล่าวข้างต้น cence lumines ของคริสตัลจีทีโอเป็นอย่างแพ quenched ดังนั้น นี้ไม่ถือว่าเป็นหลักฐานที่เชื่อถือได้เพื่อ confirm และวิธีตำแหน่งมากออกซิเจนร่วม luminescence ของจีทีโอคริสตัลได้ ทดลองเพิ่มเติมจำเป็นต้องนำมาชี้แจงว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สเปกตรัมกระตุ้นอุณหภูมิขึ้นอยู่กับการตรวจสอบที่ 2.71eV และ 2.17eV จะแสดงในรูป 4a และ B ตามลำดับ ตามที่อธิบายไว้ข้างต้นประกอบด้วยการกระตุ้นของการเปลี่ยน 4 ของGd3þ CT และการเปลี่ยนแปลงของ TaO3? 4 กลุ่ม สำหรับวงพลังงานสูงรูปร่างของสเปกตรัมกระตุ้นการเปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญที่มีอุณหภูมิ กระตุ้นประสิทธิภาพการสายรอบ 4EV ลดลงเร็วกว่าที่ 4.53eV วงกว้างประมาณ 3.5eV ยังปรากฏอยู่ในอุณหภูมิที่สูงขึ้นซึ่งอาจจะเกิดจากข้อบกพร่องบางอย่าง ในขณะที่วงพลังงานต่ำ, สเปกตรัมกระตุ้นค่อนข้างคล้าย ๆ กัน บางยอดสิ่งเจือปนที่เกี่ยวข้องตั้งอยู่ที่ 3.53eV และ 3.39eV
สามารถสังเกตได้ในอุณหภูมิที่สูงขึ้นซึ่งจะสอดคล้องกับการเปลี่ยนของสิ่งสกปรก 4 Eu3þ (สเปกตรัมการปล่อยโฟตอนตื่นเต้นโดยรอบยอดเขาเหล่านี้แสดงให้เห็นลักษณะของการปล่อยก๊าซEu3þ) การปรากฏตัวของยอดเขาเหล่านี้มีความสอดคล้องกับสถานการณ์ข้อสังเกตในการปล่อยสเปกตรัมขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ มะเดื่อ 5a และ B แสดงให้เห็นเส้นโค้งผุแสงเรืองตรวจสอบที่ 2.88 eV และ 2.16 eV ที่จุดอุณหภูมิที่เลือกบางส่วนตามลำดับ สูญสลายของทั้งสองวงแสดงลักษณะที่สองชี้แจงในช่วงอุณหภูมิที่เต็มรูปแบบ มันสามารถเขียนได้ดังนี้? IðtÞ¼a1expð t = τ1Þþa2expð t = τ2ÞþCð2Þผลไฟทีได้สรุปไว้ในตารางที่ 1 และ 2. พฤติกรรมชี้แจงสองแสดงให้เห็นว่ารัฐได้สัมผัสกับความตื่นเต้นช่อง nonradiative เพิ่มเติมประกอบ bination แนะรังสี [23 ] สำหรับวงพลังงานสูงทั้งส่วนประกอบที่รวดเร็วและ slowcomponent decreasewith increaseof ผุ temperature.The ของวงพลังงานสูงมากจะกลายเป็นเร็วขึ้นดังกล่าวข้างต้น 150K ดังแสดงในรูปที่ 5a ซึ่งตกลงกันได้ดีกับอุณหภูมิมั่นใจ depen- ของความเข้ม PL เพิ่มขึ้นอย่างกระทันหันของอายุการใช้งานที่อุณหภูมิต่ำหลักฐานการแสดงตนของคู่ของระยะใกล้ระดับพลังงานมีส่วนร่วมในการเปลี่ยนแปลง photoexcited [24,25] สำหรับวงพลังงานต่ำ, สูญสลายเปลี่ยนค่อยๆมีอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นด้วยองค์ประกอบที่เปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็วเล็กน้อยรอบ 10nsandtheslowcomponent decreasingfrom661nsto124 ns.We คำนวณอายุการใช้งานเฉลี่ยใช้สมการดังต่อไปนี้ [26]: τave¼RtIðtÞdt R IðtÞdtð2Þที่ฉัน (t) หมายถึงความเข้มของ PL เวลา t แก้ไขสำหรับพื้นหลัง อายุการใช้งานเฉลี่ยของ? 2.7eV วงที่ 20 K คำนวณจะเป็น14μsมากนานกว่า? 2.2eV วงกับอายุการใช้งานเฉลี่ยของ 673 ns การ เห็นได้ชัดว่าอัตราการสลายตัวของทั้งสองวงที่มีอย่างมีนัยสำคัญที่แตกต่างกันซึ่งจะช่วยให้หลักฐานเพิ่มเติมว่าทั้งสองวงดนตรีที่มาจากศูนย์เรืองแสงที่แตกต่างกัน แนวโน้มทั่วไปของการสูญสลายสามารถระบุ แต่วัดอายุการใช้งานขึ้นอยู่กับอุณหภูมิอาจจะไม่สมบูรณ์เหมือนกันสถานการณ์จริงเนื่องจากการตอบสนองช้าของเครื่องของเรา (97ns) ว่างออกซิเจนเป็นข้อบกพร่องที่เห็นได้ชัดที่สุดที่เราสามารถคิดด้วยเหตุผลที่ว่าคริสตัลเป็นผู้ใหญ่ในบรรยากาศซิกและตำแหน่งงานว่างออกซิเจนในหลายออกไซด์เปล่งแสงเรืองกว้าง [23,27] เพื่อ con RM สายไม่ว่าจะเป็นแสงเรืองที่เกี่ยวข้องกับตำแหน่งที่ว่างออกซิเจนที่เราตรวจสอบผลการหลอมในการเรืองแสงของผลึก GTO ผลการหลอมอากาศได้รับรายงานว่าในการอ้างอิง [13] และการทำงานของอบ H2 effectof wasfurtherstudiedinthis ดังแสดงในรูปที่ 6. ความเข้มของตัวอย่างเหล่านี้สามารถจัดประเภทในลำดับต่อไปนี้: IairoIunannealedoIH2 อย่างไรก็ตามความแตกต่างของสเปกตรัมเหล่านี้มีลักษณะที่มีขนาดเล็กมาก ดังกล่าวข้างต้น lumines- cence ของผลึก GTO จะดับความร้อนอย่างรุนแรง ดังนั้นนี้ไม่สามารถรักษาได้เป็นหลักฐานที่เชื่อถือได้เพื่อ con RM สายไม่ว่าจะเป็นตำแหน่งงานว่างและวิธีการที่ออกซิเจนมากนำไปสู่การเรืองแสงของผลึก GTO การทดลองต่อไปจะต้องมีการดำเนินการเพื่อชี้แจง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิและการกระตุ้นให้ 2.71ev 2.17ev ที่แสดงในรูปที่ 4 และ B ตามลำดับ ตามที่อธิบายไว้ข้างต้น และประกอบด้วยการþแทนที่ของ gd3 และ CT การ tao3  4 กลุ่ม สำหรับวงดนตรีที่พลังงานสูง รูปร่างของความตื่นเต้นนี้ signi จึงลดลงอย่างมีนัยสําคัญเมื่อการเปลี่ยนแปลงตามอุณหภูมิ ไทเทเนียมประสิทธิภาพรอบ 4ev EF จึงลดลงเร็วกว่าของ 4.53ev .เป็นวง กว้างประมาณ 3.5ev ก็ปรากฏขึ้นที่อุณหภูมิสูงขึ้น ซึ่งอาจทำให้เกิดข้อบกพร่อง ในขณะที่สำหรับใช้วงดนตรี , ความตื่นเต้นนี้จะค่อนข้างคล้ายกับแต่ละอื่น ๆ บางบริสุทธิ์ที่เกี่ยวข้อง ยอดอยู่ที่ 3.53ev 3.39ev
และสามารถสังเกตได้ที่อุณหภูมิสูงซึ่งจะสอดคล้องกับการเปลี่ยนแปลงของ eu3 แทนที่þปลอม ( การปล่อยโฟตอนรอบนี้ตื่นเต้นโดยยอดเหล่านี้แสดงคุณลักษณะของ eu3 þเล็ด ) ลักษณะของยอดเขาเหล่านี้สอดคล้องกับสถานการณ์ที่พบในขึ้นอยู่กับอุณหภูมิการปล่อยสเปกตรัม . รูปที่ 43 และ B แสดงให้เห็นการตรวจสอบที่เส้นโค้งผุ 2.88 EV และ 216 EV ในบางจุดที่เลือก อุณหภูมิ ตามลำดับ การสูญสลายของทั้งสองวงแสดงสองลักษณะในช่วงอุณหภูมิแบบเต็ม มันสามารถเขียนได้ดังนี้ ผมð T Þ¼ a1exp ð  t = τ 1 Þþ a2exp ð  t = τ 2 Þþ C ð 2 Þจึงไม่ได้ผล สรุปได้ในตารางที่ 1 และ 2สอง - แสดงพฤติกรรมแบบที่อเมริกาตื่นเต้นประสบการณ์เพิ่มเติม nonradiative ช่องทางประกอบ radiative Recom - ชุดวัด [ 23 ] สำหรับพลังงานสูงวงดนตรี ทั้งรวดเร็วและส่วนประกอบ slowcomponent เมื่อเพิ่มอุณหภูมิ การเสื่อมลงของพลังงานจะกลายเป็นมากได้เร็วขึ้นข้างบน 150k วง ดังแสดงในรูปที่ 43 ,ซึ่งเห็นด้วยกับอุณหภูมิ depen - dence ที่จะเอาจริงเอาจัง เพิ่มทันทีของอายุการใช้งานที่อุณหภูมิต่ำ หลักฐานการแสดงตนของคู่อย่างใกล้ชิดระยะระดับของพลังงานที่เกี่ยวข้องใน photoexcited พลวัต [ 24,25 ] สำหรับใช้วงดนตรี , สลายตัวเปลี่ยนค่อยๆเพิ่มอุณหภูมิด้วยส่วนประกอบอย่างรวดเร็วเปลี่ยนเล็กน้อยรอบ 10nsandtheslowcomponent decreasingfrom661nsto124 NS . เราคำนวณอายุเฉลี่ยโดยใช้สมการ [ 26 ] ดังต่อไปนี้ τ Ave ¼ R Ti ð T Þ DT R ฉันð T Þ DT ð 2 Þที่ฉัน ( T ) หมายถึง PL เข้มที่เวลา t แก้ไขสำหรับพื้นหลัง เฉลี่ยอายุของ
2.7ev วงดนตรีที่ 20 เค คิดเป็น 14 μ s นานกว่าของ
22ev วงดนตรีที่มีอายุการใช้งานเฉลี่ยของ 673 นว . เห็นได้ชัดว่า อัตราการสลายตัวของทั้งสองวงจะลดลงอย่างมีนัยสําคัญเมื่อ signi จึงแตกต่างกัน ซึ่งให้หลักฐานเพิ่มเติมที่เหล่านี้สองวงมาจากศูนย์เรืองแสงที่แตกต่างกัน