Vanadium-doped sampleThe optical sp

Vanadium-doped sample
The optical spectrum of this vanadium sample before irradiation retains the same UV absorption as the undoped sample and exhibits extra visible peaks.


These extra peaks show some indication of the presence of V3+ and V4+ ions. The presence of V5+ ions is not clearly confirmed because they belongs to do configuration and thus can only show UV absorption band.

The strong UV-near visible absorption bands due to combined Fe3+ and Bi3+ seem to suppress the identification of any additional UV bands.


The stability of the optical spectra within the UV-near visible absorption upon irradiation can be interpreted on the same basis as indicated by the presence of high percent of heavy Bi3+ ions. The resolution of induced band at 650 nm can be related to the generation of more V3+ ions by photochemical reduction of V5+ and V4+ ions by accepting
generated electrons during the irradiation process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างวาเนเดียมเจือ
สเปกตรัมแสงของตัวอย่างวาเนเดียมนี้ก่อนที่การฉายรังสีรักษาการดูดซึมยูวีเช่นเดียวกับตัวอย่าง undoped และการจัดแสดงยอดเขาสามารถมองเห็นได้พิเศษ


ยอดพิเศษเหล่านี้แสดงที่บ่งบอกถึงการปรากฏตัวของไอออน v3 และ v4 บาง การแสดงตนของไอออน v5 ไม่ได้รับการยืนยันอย่างชัดเจนเพราะพวกเขาเป็นที่จะทำตั้งค่าและทำให้สามารถแสดงการดูดซึมวงยูวีเพียง

แถบการดูดกลืนยูวีที่แข็งแกร่งที่มองเห็นได้ใกล้เนื่องจากการรวม Fe3 และ bi3 ดูเหมือนจะปราบปรามประชาชนของวงยูวีเพิ่มเติมใด ๆ


ความมั่นคงของสเปกตรัมแสงภายในการดูดซึมที่มองเห็นยูวีใกล้กับการฉายรังสีสามารถตีความบนพื้นฐานเดียวกันตามที่ระบุไว้โดยการมีเปอร์เซ็นต์สูงของไอออนหนัก bi3ความละเอียดของวงดนตรีเกิดที่ 650 นาโนเมตรสามารถที่เกี่ยวข้องกับรุ่นของไอออน v3 มากขึ้นโดยการลดปฏิกริยาเคมีแสงของไอออน v5 และ v4 โดยการรับอิเล็กตรอน
สร้างขึ้นในระหว่างขั้นตอนการฉายรังสี.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Doped วาเนเดียมอย่าง
สเปกตรัมแสงของตัวอย่างนี้วาเนเดียมก่อนวิธีการฉายรังสีรักษาดูดซึม UV เหมือนกันเป็นตัวอย่าง undoped และการจัดแสดงพิเศษมองเห็นยอดเขา


พีคส์เสริมเหล่านี้แสดงบางบ่งชี้สถานะของประจุ V3 และ V4 ของประจุ V5 เป็นยังไม่ได้ยืนยันชัดเจน เพราะจะเป็นการตั้งค่าคอนฟิก และจึง สามารถแสดงเฉพาะแถบดูดซับ UV

แข็งแกร่ง UV ใกล้ดูดซึมเห็นวง Fe3 และ Bi3 รวมดูเหมือนจะ ไม่ใส่รหัสของวง UV ใด ๆ เพิ่มเติม


สามารถตีความมั่นคงของแรมสเป็คตราแสงภายในดูด UV ใกล้เห็นซึมตามวิธีการฉายรังสีบนพื้นฐานเดียวกันตามที่ระบุ โดยสถานะเปอร์เซ็นต์สูงของหนัก Bi3 ประจุได้ ของวงอาจที่ 650 nm ที่สามารถเกี่ยวข้องกับรุ่น V3 กันเพิ่มมากขึ้น โดยลด photochemical V4 และ V5 ประจุ โดยการยอมรับ
สร้างอิเล็กตรอนระหว่างวิธีการฉายรังสีได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่างเ - doped ตัวอย่าง
ช่วงออปติคอลไดรฟ์ของเนี้ก่อนฉายรังสียูวีดูดซับยังคงรักษาไว้ซึ่งเหมือนกับ undoped ตัวอย่างและยอดเขาสามารถมองเห็นได้จัดงานนิทรรศการที่พิเศษ


ยอดเขาพิเศษเหล่านี้แสดงบางส่วนของการมีอยู่ของ V 3 และ 4 เพิ่มพลังไอออน V การมีอยู่ของไอออน v 5 ไม่ได้รับการยืนยันอย่างชัดเจนเพราะพวกเขาเป็นของทำการปรับตั้งค่าและทำให้สามารถแสดงย่านความถี่ดูดซับรังสี UV เท่านั้น

คลื่นความถี่ UV - อยู่ใกล้กับสามารถมองเห็นได้ช่วยดูดซับแรงเนื่องจากการรวม 3 แซนตาเฟและแบบสอง 3 ดูเหมือนจะระงับการระบุของคลื่นความถี่ UV เพิ่มเติมใดๆ เสถียรภาพ


ของ Ambilight Spectra ออปติคอลไดรฟ์ ภายใน ช่วยดูดซับรังสี UV - อยู่ใกล้กับสามารถมองเห็นได้ที่เมื่อฉายรังสีสามารถได้รับการตีความบนพื้นฐานเท่ากับที่ระบุไว้โดยการมีอยู่ของ% 3 เพิ่มพลังไอออนสูงของสองอย่างหนักความละเอียดของทำให้เกิดคลื่นความถี่ที่ 650 นาโนเมตรสามารถมีความสัมพันธ์กับที่รุ่น V 3 ไอออนมากขึ้นโดยการลดลงของเครื่องเคมี v 5 และ V 4 เพิ่มพลังไอออนโดยการยอมรับ
ซึ่งจะช่วยสร้างอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอในระหว่างที่กระบวนการฉายรังสี.