Before studying the ZnO as a spin-c

Before studying the ZnO as a spin-coating layer to im-prove the performance of TiO2 DSCs, it is worth pre-senting first some optical characteristics of this ZnO layer, with the aim to identify the coating material prior to its application. The transmittance spectra of five ZnO films with different ZnO precursor concentrations (0.1, 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5 M) are shown in Figure 1(a) to-gether with the transmittance spectrum of the TiO2 film for comparison. The ZnO layers were deposited by the sol-gel spin-coating technique on FTO-glass substrates using 5 sol drops for each layer, while the Solaronix TiO2 film was screen-printed on FTO-glass substrate. The transmission wavelength threshold of the ZnO (~300 nm) is lower than that of the TiO2 (~350 nm), suggesting a wider energy gap for the ZnO, which can be the physical reason for the observed higher ZnO transmittance.
In Figure 1(b), we present the plots (αhν)2 versus hν for the curves of Figure 1(a), with hν = hc/λ the photon energy (c = 3 × 108 m/s is the light velocity, h = 6.66 × 10–34 Js is the Plank constant and λ is the light wave-length) and α the optical absorption coefficient deter-mined by the approximate relation T = exp(−α·d) which ignores the film reflectance (d is the film thickness). The plots of Figure 1(b) are based on the assumption of di-rect electron transitions in ZnO and TiO2 semiconductors where the relation αhν ~ (hν − Eg)1/2 holds. The parame-ter Eg called “optical gap” can be experimentally deter-mined by extrapolating the line portion of the plot (αhν)2 versus hν to zero absorption coefficient. Thus, average optical gap values of 3.8 eV and 3.4 eV for the ZnO and TiO2 films are respectively determined from the curves of Figure 1(b).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก่อนไปเรียนต่อ ZnO เป็นชั้นหมุนเคลือบการ im-พิสูจน์ประสิทธิภาพของ TiO2 DSCs คุ้มก่อน senting แรกบางลักษณะแสงของชั้นนี้ ZnO การระบุวัสดุเคลือบก่อนการใช้งาน สเปกตรัมส่งห้า ZnO ภาพยนตร์กับต่าง ZnO สารตั้งต้นความเข้มข้น (0.1, 0.2, 0.3, 0.4 และ 0.5 M) จะแสดงในรูปที่ 1(a) การ-gether กับสเปกตรัมส่งฟิล์ม TiO2 สำหรับการเปรียบเทียบ ชั้น ZnO ฝากไว้ โดยเทคนิคลเจหมุนเคลือบบนพื้นผิวแก้ว FTO ใช้โซล 5 หยดสำหรับแต่ละชั้น ในขณะที่ฟิล์ม Solaronix TiO2 screen-printed บนกระจก FTO เกณฑ์ความยาวคลื่นส่งของ ZnO (~ 300 nm) ต่ำกว่าของ TiO2 (~ 350 nm), การแนะนำช่องว่างพลังงานกว้างสำหรับ ZnO ซึ่งสามารถส่ง ZnO สูงสังเกตเหตุผลทางกายภาพในรูป 1(b) เรานำเสนอที่ดินแปลง (αhν) 2 เมื่อเทียบกับ hν เส้นโค้งของรูป 1(a), hν = hc/λ พลังงานโฟตอน (c = 3 × 108 m/s คือ ความเร็วแสง h = 6.66 × 10-34 Js คงไม้กระดาน และλเป็นความยาว คลื่นแสง) และαสัมประสิทธิ์การดูดซับแสงเป็นอุปสรรคขุด โดยความสัมพันธ์โดยประมาณ T = exp(−α·d) ซึ่งละเว้นการสะท้อนของฟิล์ม (d คือ ความหนาของฟิล์ม) กราฟของรูป 1(b) เป็นไปตามสมมติฐานของ di รางเหลี่ยมเปลี่ยนอิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำ TiO2 และ ZnO ที่ αhν ความสัมพันธ์ ~ (hν − Eg) มี 1/2 Eg parame-ter ที่เรียกว่าออปติคอลช่อง"ได้ทดลองเป็นอุปสรรคขุด โดย extrapolating ส่วนบรรทัดของพล็อต (αhν) 2 เมื่อเทียบกับ hν ที่ศูนย์สัมประสิทธิ์การดูดซับ ดังนั้น ค่าช่องว่างแสงเฉลี่ย 3.8 eV และ 3.4 eV สำหรับฟิล์ม TiO2 และ ZnO จะกำหนดตามลำดับจากเส้นโค้งของรูป 1(b)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก่อนที่จะศึกษา ZnO เป็นชั้นสปินเคลือบเพื่อ IM-พิสูจน์ประสิทธิภาพการทำงานของ TiO2 DSCs มันเป็นมูลค่าก่อน senting แรกบางลักษณะแสงของ ZnO ชั้นนี้มีจุดมุ่งหมายเพื่อระบุวัสดุเคลือบผิวก่อนที่จะมีการประยุกต์ใช้ สเปกตรัมการส่งผ่านของภาพยนตร์ห้าซิงค์ออกไซด์ที่มีความเข้มข้น ZnO ปูชนียบุคคลที่แตกต่างกัน (0.1, 0.2, 0.3, 0.4 และ 0.5 M) จะแสดงในรูปที่ 1 (ก) การ Gether กับการส่งผ่านคลื่นความถี่ของฟิล์ม TiO2 ในการเปรียบเทียบ ชั้นวางซิงค์ออกไซด์โดยโซลเจลสปินเทคนิคการเคลือบพื้นผิว FTO แก้วใช้ 5 หยดโซลสำหรับแต่ละชั้นในขณะที่ภาพยนตร์เรื่องนี้ได้รับการ Solaronix TiO2 หน้าจอพิมพ์บนพื้นผิว FTO แก้ว เกณฑ์การส่งความยาวคลื่นของซิงค์ออกไซด์ (~ 300 นาโนเมตร) ต่ำกว่าของ TiO2 (~ 350 นาโนเมตร) ชี้ให้เห็นช่องว่างพลังงานที่กว้างขึ้นสำหรับซิงค์ออกไซด์ซึ่งอาจจะเป็นเหตุผลทางกายภาพสำหรับการสังเกต ZnO การส่งผ่านสูง.
ในรูปที่ 1 (ข) เรานำเสนอแผนการ (αhν) 2 เมื่อเทียบกับhνสำหรับเส้นโค้งของรูปที่ 1 (a) กับhν = HC / λพลังงานโฟตอน (c = 3 × 108 เมตร / วินาทีเป็นความเร็วแสง H = 6.66 × 10-34 Js เป็นไม้กระดานอย่างต่อเนื่องและλเป็นแสงคลื่นความยาว) และค่าสัมประสิทธิ์แอลฟาดูดซึมแสงยับยั้ง-ขุดโดยความสัมพันธ์ประมาณ T = exp (-α· D) ซึ่งสะท้อนละเว้นภาพยนตร์ (D เป็นภาพยนตร์ ความหนา). แปลงของรูปที่ 1 (ข) จะขึ้นอยู่กับสมมติฐานของการเปลี่ยนอิเล็กตรอน di-ดูแลรักษาในซิงค์ออกไซด์ TiO2 และเซมิคอนดักเตอร์ที่ความสัมพันธ์αhν ~ (hν - เช่น) 1/2 ถือ parame-ตรีเช่นที่เรียกว่า "ช่องว่างแสง" สามารถยับยั้งการทดลอง-ขุดโดยคะเนส่วนสายของพล็อต (αhν) 2 เมื่อเทียบกับhνให้เป็นศูนย์สัมประสิทธิ์การดูดซึม ดังนั้นค่าเฉลี่ยช่องว่างแสง 3.8 EV และ 3.4 EV สำหรับภาพยนตร์และซิงค์ออกไซด์ TiO2 จะถูกกำหนดตามลำดับจากเส้นโค้งของรูปที่ 1 (ข)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก่อนเรียนเป็นชั้นเคลือบสังกะสี ปั่นเพื่อ IM พิสูจน์ประสิทธิภาพของ TiO2 dscs เป็นมูลค่าก่อน senting แรกบางแสงลักษณะนี้เช่นกัน ชั้นมีจุดมุ่งหมายที่จะระบุวัสดุเคลือบก่อนการประยุกต์ใช้ transmittance สเปกตรัมของซิงค์ออกไซด์ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ 5 ที่มีสารตั้งต้นความเข้มข้น 0.1 , 0.2 , 0.3 , 0.4 และ 0.5 M ) จะแสดงในรูปที่ 1 ( a ) เพื่อ gether กับ transmittance สเปกตรัมของฟิล์ม TiO2 เพื่อเปรียบเทียบ การซิงค์ออกไซด์ชั้นถูกฝากโดยวิธีโซล - เจลเคลือบบนพื้นผิวแก้วปั่นเทคนิค FTO ใช้ 5 หยด โซล ในแต่ละชั้น ส่วนโซลาร์โรนิซ TiO2 เป็นฟิล์มหน้าจอพิมพ์บนแผ่นแก้ว FTO . การส่งผ่านความยาวคลื่นเกณฑ์ของ ZnO ( ~ 300 nm ) ต่ำกว่าที่ของ TiO2 ( ~ 350 nm ) แนะนำให้กว้างขึ้นช่องว่างพลังงานสำหรับซิงก์ออกไซด์ ซึ่งสามารถเหตุผลทางกายภาพเพื่อพบว่า ZnO ส่งผ่าน .ในรูปที่ 1 ( B ) เราเสนอโครงเรื่อง ( α H ν ) 2 เทียบกับ H νสำหรับเส้นโค้งของรูปที่ 1 ( a ) กับ H ν = HC / λพลังงานโฟตอน ( C = 3 × 108 m / s คือความเร็วแสง H = 6.66 × 10 – 34 JS คือ ไม้กระดานที่คงที่ และλเป็นคลื่นแสงความยาว ) และαการดูดกลืนแสงเท่ากับขัดขวางขุดโดยประมาณความสัมพันธ์ t = exp ( −α· D ) ซึ่งละเว้นฟิล์มสะท้อนแสง ( D คือ ความหนาของฟิล์ม ) แปลงของรูปที่ 1 ( B ) จะขึ้นอยู่กับสมมติฐานของ ดิ rect อิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำและการซิงค์ออกไซด์ TiO2 ที่ความสัมพันธ์α H ν ~ ( H ν− 2 ) 1 / 2 ถือ การ parame เธอเช่นเรียกว่า " แสงช่องว่าง " สามารถหาวิธีขุดโดยการประมาณเส้นส่วนของพล็อต ( α H ν ) 2 เทียบกับ H νกับสัมประสิทธิ์การดูดกลืนที่ศูนย์ ดังนั้นช่องว่างเฉลี่ยค่าแสง EV EV 3.8 และ 3.4 สำหรับซิงค์ออกไซด์ TiO2 และภาพยนตร์ตามลำดับ พิจารณาจากกราฟของรูปที่ 1 ( B )