As the mask is moved further, more

As the mask is moved further, more electrons can travel through both slits, changing the
pattern from single-slit to double-slit diffraction. When the mask is centered on the double-slit,
both slits are completely open and full double-slit diffraction can be observed (P12 in figures 1(c)
and 2). In this position, interaction between the mask and the diffracting electrons is negligible.
The edges of the mask are 2250 nm away from the center and would only affect diffraction
orders greater than the 50th. The mask is then moved further and the reverse happens; doubleslit
diffraction changes back to single-slit diffraction (P2 in figures 1(b) and 2). Now, the singleslit
diffraction pattern has a weak contribution of double-slit diffraction in its positive first order
(see right edge of P2 in figure 2). (See supplementary movie 1 for more positions of the mask.)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นหน้ากากถูกย้ายเพิ่มเติม เพิ่มเติมอิเล็กตรอนสามารถเดินทางผ่านสลิตทั้งสอง การเปลี่ยนแปลงรูปแบบจากร่องเดี่ยวร่องคู่เพื่อกระจาย เมื่อรูปแบบการเป็นศูนย์กลางในร่องคู่สลิตทั้งสองจะเปิดอย่างสมบูรณ์ และกระจายเต็มสลิตคู่จะสังเกตได้ในตัวเลข 1(c) (P12และ 2) ในตำแหน่งนี้ หน้ากากและอิเล็กตรอน diffracting เป็นเล็กน้อยขอบหน้ากาก 2250 nm อยู่ห่างจากศูนย์กลาง และจะมีผลต่อกระจายเท่านั้นสั่งมากกว่า 50 ตัว หน้ากากแล้วย้ายเพิ่มเติม และย้อนกลับเกิด ขึ้น doubleslitกระจายเปลี่ยนกลับกระจายสลิตเดี่ยว (P2 ใน 1(b) ตัวเลขและ 2) ตอนนี้ singleslitรูปแบบการเลี้ยวเบนของแสงมีส่วนที่อ่อนของสลิตคู่กระจายในสั่งซื้อบวก(ดูขอบขวาของ P2 ในรูปที่ 2) (ดูเพิ่มเติมตำแหน่งของหน้ากากเสริมภาพยนตร์ 1)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นหน้ากากจะถูกย้ายเพิ่มเติมอิเล็กตรอนมากขึ้นสามารถเดินทางผ่านทั้งกรีดเปลี่ยน
รูปแบบจากเดี่ยวร่องดับเบิลร่องเลนส์ เมื่อหน้ากากเป็นศูนย์กลางในการ double-ร่อง,
ทั้งกรีดจะสมบูรณ์เปิดและเต็มรูปแบบดับเบิลร่องเลนส์สามารถสังเกตได้ (P12 ในรูปที่ 1 (ค)
และ 2) ในตำแหน่งนี้ปฏิสัมพันธ์ระหว่างหน้ากากและอิเล็กตรอน diffracting เป็นเล็กน้อย.
ขอบของหน้ากากที่มี 2,250 นาโนเมตรห่างจากศูนย์และจะส่งผลกระทบเพียงเลนส์
สั่งซื้อมากกว่า 50 หน้ากากจะถูกย้ายไปแล้วต่อไปและกลับเกิดขึ้น; doubleslit
เลนส์เปลี่ยนกลับเดียวร่องเลนส์ (P2 ในรูปที่ 1 (ข) และ 2) ตอนนี้ singleslit
เลนส์แบบมีส่วนร่วมที่อ่อนแอของดับเบิลร่องเลนส์ในการสั่งซื้อครั้งแรกในเชิงบวก
(ดูขอบด้านขวาของ P2 ในรูปที่ 2) (ดูหนังเสริม 1 สำหรับตำแหน่งอื่น ๆ ของหน้ากาก.)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นหน้ากากที่ถูกย้ายเพิ่มเติม อิเล็กตรอนสามารถเดินทางผ่านทั้ง 2 ช่อง เปลี่ยนรูปแบบจากสลิตเดี่ยวคู่เชือดการเลี้ยวเบน เมื่อหน้ากากอยู่กึ่งกลางร่องคู่ทั้งช่องเปิดที่สมบูรณ์และเต็มสองช่องโดยสามารถสังเกตได้ ( p12 ตัวเลข 1 ( C )และ 2 ) ในตำแหน่งนี้ ปฏิสัมพันธ์ระหว่างหน้ากากและ diffracting อิเล็กตรอนเป็นเล็กน้อยขอบหน้ากาก เป็น 2 , 250 nm ห่างจากศูนย์กลาง และก็จะกระทบกับการเลี้ยวเบนสั่งมากกว่า 50 หน้ากากแล้วย้ายต่อไปและย้อนกลับเกิดขึ้น ; doubleslitวิธีการเปลี่ยนกลับเลี้ยวปาดเดียว ( P2 ในตัวเลข 1 ( B ) และ 2 ) ตอนนี้ singleslitรูปแบบการเลี้ยวเบนที่มีผลงานที่อ่อนแอของการเลี้ยวเบนเชือดคู่ในการสั่งซื้อครั้งแรก บวก( เห็นขอบขวาของ P2 ในรูปที่ 2 ) ( ดูเพิ่มเติมที่หนัง 1 ตำแหน่งเพิ่มเติมของหน้ากาก )