Simultaneouslythe characteristic of

Simultaneously
the characteristic of DAF void and its formation/reduction
mechanism also are investigated. It was found that the DAF
voids occur at substrate/film interface with fixed location and
similar pattern. They can be reduced significantly by
enhancement of transfer pressure during molding process,
which can be explained that gap on substrate surface is filled
furthest by film under high transfer pressure.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เวลาเดียวกันลักษณะของ DAF โมฆะและก่อการลดกลไกยังจะตรวจสอบ พบว่า DAFช่องว่างที่เกิดขึ้นในภาพยนตร์พื้นผิวติดต่อกับสถานที่คงที่ และรูปแบบคล้ายกัน พวกเขาสามารถลดลงอย่างมากเพิ่มความดันในระหว่างกระบวนการ ฉีดซึ่งสามารถอธิบายได้ที่ช่องว่างในพื้นผิว เต็มไปด้วยพื้นผิวอยู่ โดยฟิล์มภายใต้ความดันสูงส่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พร้อมกัน
ลักษณะของ DAF โมฆะและการก่อตัว / ลดลงของ
กลไกการนอกจากนี้ยังมีการตรวจสอบ มันก็พบว่า DAF
ช่องว่างที่เกิดขึ้น / อินเตอร์เฟซฟิล์มสารตั้งต้นที่มีสถานที่ตั้งคงที่และ
รูปแบบคล้ายกัน พวกเขาสามารถจะลดลงอย่างมีนัยสำคัญโดย
การเพิ่มประสิทธิภาพของการถ่ายโอนความดันในระหว่างขั้นตอนการปั้น
ซึ่งสามารถอธิบายได้ว่าช่องว่างบนพื้นผิวเต็มไป
ไกลโดยภาพยนตร์ภายใต้ความกดดันการถ่ายโอนสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Simultaneously和它的characteristic（DAF void /减少形成。的机制的研究也发现这是一个这是DAF。occur在基板/膜界面的空隙位置和与固定类似的模式可以减少significantly。他们是由增强的传输压力，在成型过程这可以是在基板表面.这是filled代沟。通过在高furthest膜转移压力。