While the GI is in ‘‘integration’’

While the GI is in ‘‘integration’’ or ‘‘hold’’ state, the reset switch
has to be kept off. However the effect of leakage current in the GI
reset switch will cause errors to the output in the long duration of
these states. To eliminate this effect, the single reset switch was replaced
by a T-switch configuration shown in Fig. 6.
The leakage current of DMOS switch is composed of the source/
body reverse leakage current and the drain/source subthreshold
current. Since the source/body reverse leakage current can be negligible
in SD5400, the drain to source subthreshold current becomes
the main factor of the ‘‘off’’ current. If the source and
body are at the same potential, the drain/source of a MOS transistor
in the deep subthreshold region of operation is given by

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขณะ GI เป็น ''รวม '' หรือ ''เก็บ '' รัฐ สวิตช์ใหม่
ได้จะเก็บไว้ออก อย่างไรก็ตามผลของการรั่วไหลของกระแสในการจิ
สวิตช์รีเซ็ตจะทำให้เกิดข้อผิดพลาดผลลัพธ์ในระยะยาวของ
รัฐเหล่านี้ เพื่อกำจัดผลนี้ สวิตช์รีเซ็ตเดียวแทน
โดยการกำหนดค่า T สลับการแสดง Fig. 6.
กระแสรั่วไหล DMOS สลับประกอบด้วยแหล่งที่มา /
ตัวกระแสรั่วไหลย้อนกลับและท่อระบายน้ำ/ต้น subthreshold
ปัจจุบัน ตั้งแต่แหล่งที่มา/เนื้อ กระแสรั่วไหลย้อนกลับได้ระยะ
ใน SD5400 ท่อระบายน้ำสู่แหล่ง subthreshold ปัจจุบันกลายเป็น
ปัจจัยหลักของการ ''ปิดนิ้วปัจจุบันได้ ถ้าแหล่งที่มา และ
ตัวเป็นเหมือนกัน ท่อระบายน้ำ/แหล่งที่มาของทรานซิสเตอร์แบบ MOS
ในภูมิภาค subthreshold ลึกการถูกกำหนดโดย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในขณะที่กูเกิลที่อยู่ในการรวม'''' หรือ'' ถือ'' รัฐเปลี่ยนการตั้งค่า
จะต้องมีการเก็บไว้ออก แต่ผลกระทบจากการรั่วไหลของกระแสใน GI
สวิตช์รีเซ็ตจะทำให้เกิดข้อผิดพลาดในการส่งออกในระยะเวลาที่ยาวนานของ
รัฐเหล่านี้ เพื่อขจัดผลกระทบนี้สวิตช์รีเซ็ตเดียวก็ถูกแทนที่
โดยการกำหนดค่า T-สวิทช์ที่แสดงในรูปที่ 6
ปัจจุบันการรั่วไหลของสวิทช์ DMOs ประกอบด้วยแหล่ง /
ร่างกายกลับในปัจจุบันและการรั่วไหลของท่อระบายน้ำ / แหล่ง subthreshold
ปัจจุบัน ตั้งแต่แหล่งที่มา / ร่างกายรั่วไหลย้อนกลับในปัจจุบันสามารถเล็กน้อย
ใน SD5400, ท่อระบายน้ำไปยังแหล่ง subthreshold ปัจจุบันกลายเป็น
ปัจจัยหลักของ'''' ออกในปัจจุบัน หากแหล่งที่มาและ
ร่างกายที่มีศักยภาพเดียวกันท่อระบายน้ำ / แหล่งที่มาของทรานซิสเตอร์ MOS
ในภูมิภาค subthreshold ลึกของการดำเนินการจะได้รับจาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขณะที่ กี ใน 'integration ' ' ' หรือ ' ' ' 'hold รัฐ , สวิตช์รีเซ็ต
มีเก็บออก อย่างไรก็ตามผลกระทบของการรั่วไหลในปัจจุบันในกี
สวิตช์รีเซ็ตจะทำให้เกิดข้อผิดพลาดในการส่งออกในช่วงเวลาที่ยาวนานของ
รัฐเหล่านี้ เพื่อลดผลกระทบนี้ สวิตช์รีเซ็ตเดียวถูกแทนที่ด้วยการตั้งค่าที่แสดงใน t-switch

รูปที่ 6กระแสรั่วไหลของ dmos สลับประกอบด้วยแหล่งที่มา /
ร่างกายกลับกระแสรั่วไหลและระบาย / แหล่ง
ปัจจุบัน subthreshold . ตั้งแต่แหล่งที่มา / ร่างกายกลับกระแสรั่วไหลสามารถกระจอก
ใน sd5400 , ท่อระบายน้ำแหล่ง subthreshold ปัจจุบันกลายเป็น
ปัจจัยหลักของ ' 'off ' ' ในปัจจุบัน หากแหล่งที่มาและ
ร่างกายที่ศักยภาพเดียวกันท่อระบายน้ำ / แหล่งที่มาของ
ทรานซิสเตอร์มอสในลึก subthreshold เขตปฏิบัติการจะได้รับโดย