To achieve high modulation efficien

To achieve high modulation efficiency and low RF threshold gain, direct modulated semiconductor lasers are very attractive. Sung et al. have proposed an OEO scheme based on directly modulated lasers under strong optical injection, in which a 7 dBm RF threshold gain is attained [13]. However, an EBPF with fixed central frequency is still used, which limits its tunability. Xiong et al. have demonstrated a simple OEO based on direct modulated DFB laser [14]. However, the tuning range is very limited due to the falling of the resonance peak when the bias current or the temperature increase. For an improved scheme presented in [15], the frequency tuning range is enhanced through additional optical injection, but another tunable laser source is needed to form the optical injection system, which results in a complicated system.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บรรลุประสิทธิภาพปรับสูง และต่ำ RF เกณฑ์กำไร สารกึ่งตัวนำโดยตรงปริมาณ แสงเลเซอร์ไว้น่าสนใจมาก Sung et al.ได้เสนอการ OEO โครงร่างอิงเลเซอร์ปริมาณโดยตรงภายใต้แรงฉีดออปติคอล ซึ่งมี 7 dBm RF เกณฑ์กำไรบรรลุ [13] อย่างไรก็ตาม EBPF ที่ มีความถี่กลางถาวรยังคงใช้ ซึ่งข้อจำกัดของ tunability คายเนสหยง et al.ได้แสดงให้เห็นการ OEO ง่ายอิงตรงเชิงซ้อนรองเลเซอร์ [14] อย่างไรก็ตาม ปรับแต่งช่วงมีจำกัดมากเนื่องจากตกเขาสะท้อนเมื่ออคติปัจจุบันหรืออุณหภูมิเพิ่ม สำหรับการปรับปรุงแบบแผนการนำเสนอใน [15], ความถี่ช่วงปรับขึ้นผ่านฉีดออฟติคัลเพิ่มเติม แต่จำเป็นต้องมีแหล่งเทคโนโลยีเลเซอร์อื่นเพื่อระบบออปติคอลฉีด ซึ่งผลลัพธ์ในระบบที่ซับซ้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อให้เกิดประสิทธิภาพการมอดูเลตสูงและได้รับการเกณฑ์ RF ต่ำโดยตรงเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ปรับความน่าสนใจมาก Sung, et al ได้เสนอโครงการ OEO ขึ้นอยู่กับการปรับความเลเซอร์โดยตรงภายใต้การฉีดออปติคอลที่แข็งแกร่งซึ่งมีกำไรจากเกณฑ์ 7 dBm RF คือความเพียร [13] อย่างไรก็ตาม EBPF มีความถี่กลางคงที่ยังคงใช้ที่ จำกัด tunability ของมัน Xiong, et al ได้แสดงให้เห็น OEO ง่ายขึ้นอยู่กับมอดูเลต DFB เลเซอร์โดยตรง [14] อย่างไรก็ตามช่วงการปรับแต่งที่มี จำกัด มากเนื่องจากการลดลงของยอดเขาสะท้อนเมื่ออคติปัจจุบันหรือการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิ สำหรับโครงการที่ดีขึ้นนำเสนอใน [15], ช่วงความถี่ที่จูนจะเพิ่มขึ้นผ่านการฉีดแสงเพิ่มเติม แต่แหล่งเลเซอร์อื่นพริ้งเป็นสิ่งจำเป็นเพื่อสร้างระบบหัวฉีดออปติคอลซึ่งส่งผลให้ระบบที่ซับซ้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อให้บรรลุประสิทธิภาพสูงและได้รับการปรับเกณฑ์ RF ต่ำโดยตรงโดยเซมิคอนดักเตอร์เลเซอร์จะน่าสนใจมาก ซอง et al . ได้เสนอการ oeo โครงการตามโดยตรงโดยการฉีดเลเซอร์ภายใต้แสงที่แข็งแกร่งซึ่งใน 7 dBm RF ธรณีประตูได้บรรลุ [ 13 ] อย่างไรก็ตาม การ ebpf กับความถี่กลาง คงยังใช้ ซึ่งข้อจำกัดของ tunability . สง et al . ได้แสดงให้เห็น oeo อย่างง่าย ใช้โดยตรงโดย DFB เลเซอร์ [ 14 ] อย่างไรก็ตาม การปรับแต่งช่วงที่กัดมากเนื่องจากการลดลงของเรโซแนนสูงสุดเมื่ออคติในปัจจุบันหรืออุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น สำหรับการปรับปรุงโครงการนำเสนอ [ 15 ] ปรับช่วงความถี่จะเพิ่มขึ้นผ่านการฉีดเลเซอร์แสงเพิ่มเติม แต่แหล่งอื่น คือต้องสร้างวงจรระบบฉีด แสง , ซึ่งผลในระบบที่ซับซ้อน