Modern phototransistors may be comp

Modern phototransistors may be composed of multiple material junctions of type III-V materials like gallium and arsenide (see photo below, right). The physical structure can be optimized to allow higher levels of light exposure by using an offset configuration

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Phototransistors ทันสมัยอาจประกอบได้ junctions วัสดุหลายชนิด III V วัสดุเช่นแกลเลียมและ arsenide (ดูภาพด้านล่าง ด้านขวา) สามารถปรับโครงสร้างให้สูงกว่าระดับของแสงไฟ โดยใช้การกำหนดค่าตรงข้าม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Phototransistors สมัยใหม่อาจจะประกอบด้วยแยกวัสดุหลายประเภทวัสดุ III-V เช่นแกลเลียมและ arsenide (ดูรูปด้านล่างขวา) โครงสร้างทางกายภาพสามารถเพิ่มประสิทธิภาพเพื่อให้ระดับที่สูงขึ้นของการเปิดรับแสงโดยใช้การกำหนดค่าชดเชย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

phototransistors สมัยใหม่อาจจะประกอบด้วยหลายประเภทต่างๆของวัสดุวัสดุ เช่น แกลเลียมอาร์เซไนด์และ iii-v ( เห็นภาพด้านล่างขวา ) โครงสร้างทางกายภาพที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพเพื่อให้ระดับที่สูงขึ้นของการชดเชยค่าแสงโดยใช้