The epoxy samples were implanted wi

The epoxy samples were implanted with heavy ions such as tungsten (W), gold (Au) and lead (Pb) to
investigate the attenuation characteristics of these composites. Near-surface composition depth profiling
of ion-implanted epoxy systems was studied using Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS). The
effect of implanted ions on the X-ray attenuation was studied with a general diagnostic X-ray machine
with X-ray tube voltages from 40 to 100 kV at constant exposure 10 mAs. Results show that the threshold
of implanted ions above which X-ray mass attenuation coefficient, lm of the ion-implanted epoxy composite
is distinguishably higher than the lm of the pure epoxy sample is different for W, Au and Pb

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างเรซินสังเคราะห์มี implanted ด้วยกันหนักเช่นทังสเตน (W), ทองคำ (Au) และตะกั่ว (Pb) การตรวจสอบลักษณะอ่อนของคอมโพสิตเหล่านี้ องค์ประกอบการสร้างโพรไฟล์ความลึกใกล้กับพื้นผิวระบบอีพ็อกซี่ implanted ไอออนถูกศึกษาใช้รูเทอร์ฟอร์ด Backscattering ก (RBS) ที่มีศึกษาผลของประจุลิฟต์อ่อนเอกซเรย์ ด้วยเครื่องเอกซเรย์วินิจฉัยทั่วไปกับแรงดันหลอดเอ็กซ์เรย์จาก 40 100 kV ที่มาสแสงคง 10 ผลลัพธ์แสดงว่าขีดจำกัดของประจุลิฟต์ข้างที่เอกซเรย์อ่อนมวลสัมประสิทธิ์ lm ของคอมโพสิตเรซินสังเคราะห์ implanted ไอออนdistinguishably สูงกว่า lm ของอย่างอีพ็อกซี่บริสุทธิ์แตกต่างกันสำหรับ W, Au และ Pb

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวอย่างอีพ็อกซี่ถูกปลูกฝังด้วยไอออนหนักเช่นทังสเตน (W), ทอง (Au) และตะกั่ว (Pb)
เพื่อตรวจสอบลักษณะการลดทอนของวัสดุผสมเหล่านี้ องค์ประกอบใกล้พื้นผิวโปรไฟล์ลึกระบบอีพ็อกซี่ไอออนปลูกฝังการศึกษาโดยใช้สเปก backscattering รัทเธอร์ (RBS) ผลของไอออนปลูกฝังในการลดทอนเอ็กซ์เรย์ได้รับการศึกษาที่มีการวินิจฉัยทั่วไปเครื่องเอ็กซ์เรย์กับแรงดันไฟฟ้าหลอดรังสีเอกซ์ 40-100 กิโลโวลต์ที่เปิดรับแสงคงที่ 10 mAs ผลปรากฏว่าเกณฑ์ของไอออนฝังข้างต้นซึ่งมีค่าสัมประสิทธิ์การลดทอนมวล X-ray LM ของไอออนปลูกฝังคอมโพสิตอีพ็อกซี่เป็นdistinguishably สูงกว่า LM ของกลุ่มตัวอย่างอีพ็อกซี่บริสุทธิ์ที่แตกต่างกันสำหรับ W, Au และตะกั่ว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อีพ็อกซีจำนวน implanted กับไอออนหนัก เช่น ทังสเตน ( W ) ทอง ( Au ) และตะกั่ว ( Pb )

ศึกษาการคุณลักษณะของวัสดุเหล่านี้ ใกล้ผิวลึกองค์ประกอบโปรไฟล์ของไอออนปลูกฝังระบบอีพ็อกซี่
ศึกษาโดยใช้ Rutherford backscattering spectroscopy ( RBS )
ผลของการฝังไอออนในการลดทอนรังสีเอกซ์ศึกษาด้วยเครื่องเอกซเรย์วินิจฉัยทั่วไป
กับแรงดันไฟฟ้าหลอดรังสีเอ็กซ์จาก 40 ถึง 100 กิโลโวลต์ในการเปิดรับแสงคงที่ 10 Mas ผลการทดลองแสดงให้เห็นว่าค่า
ปลูกฝังซึ่งเหนือมวลค่าสัมประสิทธิ์การลดทอนรังสีไอออน , ไอออนปลูกฝัง LM ของอีพ็อกซี่คอมโพสิต
เป็น distinguishably สูงกว่า LM ของบริสุทธิ์ epoxy ตัวอย่างที่แตกต่างกันสำหรับ W ,AU และตะกั่ว