• Memory Effect could be explained

• Memory Effect could be explained as a time lag between AM-AM and AM-PM response of the amplifier. The Electrical Memory Effect is introduced by poor gate/base and drain/collector decoupling at low frequencies causing a distortion of the envelope currents which results in IMD asymmetry
Low frequencies mean baseband/video frequencies or the spacing between two tones.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

•หน่วยความจำมีผลสามารถอธิบายเป็นเวลาช่วงห่างระหว่าง AM AM AM-PM ตอบสนองของเพาเวอร์แอมป์ ผลจำไฟฟ้าเป็นที่รู้จัก โดยประตูฐานไม่ดีและการระบายน้ำ/เก็บสัญญาณ decoupling ความถี่ต่ำทำให้เกิดการเพี้ยนของกระแสซองจดหมายมีผล IMD asymmetry ความถี่ต่ำหมายถึง ความถี่ภาพ baseband หรือระยะห่างระหว่างเสียงสอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลหน่วยความจำ•สามารถอธิบายได้ว่าเป็นความล่าช้าเวลาระหว่าง AM-AM และการตอบสนอง AM-PM ของเครื่องขยายเสียง ผลหน่วยความจำไฟฟ้าเป็นที่รู้จักโดยประตูยากจนฐาน / และท่อระบายน้ำ / สะสม decoupling ความถี่ต่ำที่ก่อให้เกิดการบิดเบือนของกระแสซองจดหมายซึ่งส่งผลให้ไอเอ็มดีสมส่วน
ความถี่ต่ำหมายถึง baseband / ความถี่วิดีโอหรือระยะห่างระหว่างสองเสียง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

- หน่วยความจำผลสามารถอธิบายได้เป็นเวลาล่าช้าระหว่าง am-am และการตอบสนอง am-pm ของเครื่องขยายเสียง หน่วยความจำไฟฟ้า ผลคือการแนะนำโดยจนประตู / ฐานและระบาย / สะสม decoupling ต่ำความถี่ก่อให้เกิดความผิดเพี้ยนของกระแสซึ่งผลลัพธ์ในซองหรือความไม่สมดุล
ต่ำความถี่หมายความว่า baseband / วิดีโอความถี่หรือระยะห่างระหว่างสองโทน