but much finer microstructure of T-

but much finer microstructure of T-SiC
than that of C-SiC. T-SiC also showed higher flexural strength than C-SiC both at room temperature
(508 vs. 458 MPa) and at 1500 ℃ (280 vs. 171 MPa). Difference in liquid phase was responsible for
the differences in hardness and fracture toughness. The high value of the Young’s modulus of T-SiC
(427 MPa) confirmed the high degree of sinterability of this powder and that it can be a promising
candidate for structural applications with high added value.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แต่โครงสร้างจุลภาคมากขึ้นของ T SiCกว่าของ C SiC ฉบับที่ T ยัง แสดงให้เห็นความแข็งแรงดัดสูงกว่า C-ไฮโลทั้งที่อุณหภูมิห้อง(508 เจอ 458 MPa) และ 1500 ℃ (280 เจอ 171 MPa) ผู้รับผิดชอบสำหรับความแตกต่างในเฟสของเหลวความแตกต่างในความเหนียวความแข็งและแตกหัก ค่าสูงของโมดูลัสของยังของ T SiC(427 MPa) ยืนยันระดับสูงของ sinterability ของผงนี้ และมีแนวโน้มว่า มันสามารถผู้สมัครสำหรับใช้งานโครงสร้างที่มีมูลค่าเพิ่มสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แต่จุลภาคปลีกย่อยมาก T-SiC
กว่าของ C-SiC T-SiC ยังแสดงให้เห็นความแข็งแรงดัดสูงกว่า C-SiC ทั้งที่อุณหภูมิห้อง
(508 กับ 458 MPa) และ 1500 ℃ (280 กับ 171 MPa) ความแตกต่างในของเหลวเป็นผู้รับผิดชอบสำหรับ
ความแตกต่างในความแข็งและความเหนียวแตกหัก มีมูลค่าสูงของมอดุลัสของ T-SiC
(427 MPa) ได้รับการยืนยันระดับสูงของ sinterability ของผงนี้และที่อาจจะเป็นแนวโน้มที่
ผู้สมัครสำหรับการใช้งานของโครงสร้างที่มีมูลค่าเพิ่มสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แต่โครงสร้างของ t-sic มากขึ้นกว่าที่ c-sic . t-sic ยังสูงกว่าดัดมากกว่า c-sic ทั้งที่อุณหภูมิห้อง( ถ้าเทียบกับ 550 MPa ) และ 1 , 500 บาท ℃ ( 280 กับ 171 MPa ) ความแตกต่างในเฟสของเหลวเป็นผู้รับผิดชอบความแตกต่างของความแข็งและความเหนียวแตก . ค่าสูงของโมดูลัสของ t-sic ยอง( 427 MPa ) ได้ยืนยันระดับ sinterability ผงนี้และมันเป็นสัญญาผู้สมัคร งานโครงสร้างที่มีมูลค่าเพิ่มสูง .