Ultralow-voltage design challenges.

Ultralow-voltage design challenges.Aggressive voltage scaling into sub-Vt requires special circuit topologies and design methodologies to address two fundamental challenges: Vt variation and degraded ION/IOFF. With the extremely fine device dimensions of advanced technologies, a countable number of atoms interact to set the device parameters, and small fluctuations, known as random dopant fluctuation (RDF) (68), and process-control limitations prominently affect Vt. Consequently, ID, due to its exponential dependence on Vt (see Equation 2), varies overwhelmingly, prohibiting circuit topologies that rely on relative device strengths. Additionally, because the absolute currents are low in sub-Vt, the ION/IOFF ratio is degraded by three to five orders of magnitude compared with nominal supply voltages. As a result, the interaction between both “on” and nominally “off” devices becomes important in setting node voltages.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ออกแรงดัน Ultralow ท้าทายอยู่ แรงดันสูงปรับเป็น Vt ย่อยต้องพิเศษวงจรโครงสร้าง และออกแบบวิธีการรับมือกับความท้าทายพื้นฐานสอง: Vt เปลี่ยนแปลงและเสื่อมโทรม ไอออน/IOFF มีมิติดีมากอุปกรณ์เทคโนโลยีขั้นสูง อะตอมจำนวนนับได้โต้ตอบการตั้งค่าพารามิเตอร์ของอุปกรณ์ และความผันผวนเล็กน้อย เป็นความผันผวนสุ่ม dopant (RDF) (68), และข้อจำกัดในการควบคุมกระบวนการอย่างชัดเจนส่งผลกระทบต่อ Vt. ดังนั้น ID เนื่องจากการพึ่งพาเนน Vt ไป (ดูสมการ 2), ยักษ์ ห้ามโทวงจรที่อาศัยจุดแข็งอุปกรณ์สัมพันธ์กัน นอกจากนี้ เนื่องจากกระแสสัมบูรณ์จะย่อย Vt อัตราส่วนของ ไอออน/IOFF ลดลง โดยสามถึงห้าอันดับของขนาดเมื่อเทียบกับแรงดันไฟฟ้าที่กำหนดอุปทาน เป็นผล การโต้ตอบระหว่างทั้งสอง "บน" และนาม "ปิด" อุปกรณ์เป็นสำคัญในการตั้งค่าแรงดันโหนด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ultralow แรงดันปรับแรงดันไฟฟ้าที่ออกแบบ challenges.Aggressive เข้าไปย่อย Vt ต้องใช้โครงสร้างวงจรพิเศษและวิธีการออกแบบเพื่อแก้ไขความท้าทายที่สองพื้นฐาน: การเปลี่ยนแปลงเวอร์มอนต์และสลายไอออน / IOFF ด้วยขนาดของอุปกรณ์ที่ดีมากของเทคโนโลยีขั้นสูงเป็นจำนวนที่นับได้ของอะตอมโต้ตอบการตั้งค่าพารามิเตอร์อุปกรณ์และความผันผวนของขนาดเล็กหรือที่เรียกว่าความผันผวนเจือปนสุ่ม (RDF) (68) และข้อ จำกัด ของกระบวนการควบคุมอย่างชัดเจนส่งผลกระทบต่อ Vt. ดังนั้น ID เนื่องจากการพึ่งพาการชี้แจงของตนในเวอร์มอนต์ (ดูสมการที่ 2) แตกต่างกันไปอย่างท่วมท้นห้ามโครงสร้างวงจรที่พึ่งพาจุดแข็งอุปกรณ์ญาติ นอกจากนี้เนื่องจากกระแสแน่นอนอยู่ในระดับต่ำในอนุเวอร์มอนต์อัตราส่วน ION / IOFF จะสลายตัวโดย 3-5 คำสั่งของขนาดเมื่อเทียบกับแรงดันเล็กน้อย เป็นผลให้การทำงานร่วมกันระหว่างทั้งสอง "กับ" นามและอุปกรณ์ "ปิด" จะกลายเป็นสิ่งสำคัญในการกำหนดแรงดันไฟฟ้าโหนด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ultralow แรงดันออกแบบท้าทาย ก้าวร้าว ปรับแรงดันในรูปแบบวงจรย่อย VT ต้องพิเศษและวิธีการออกแบบเพื่อรับมือกับความท้าทายพื้นฐานสอง : การเปลี่ยนแปลง VT และเสื่อมโทรมไอออน / ioff . ที่มีขนาดละเอียดมากอุปกรณ์ที่ทันสมัยของเทคโนโลยี จํานวนนับอะตอม โต้ตอบการตั้งค่าพารามิเตอร์ของอุปกรณ์ และขนาดเล็กที่รู้จักกันเป็นแบบสุ่มของโดพันท์ ( RDF ) ( 68 ) และข้อ จำกัด การควบคุมกระบวนการเด่นชัดต่อ , ดังนั้น ID เนื่องจากการพึ่งพาของ VT ( ดูสมการเอกซ์โพเนนเชียล 2 ) ไปขาดลอย , ห้ามจร topologies พึ่งพาจุดแข็งของอุปกรณ์ที่เกี่ยวข้อง นอกจากนี้เนื่องจากกระแสแน่นอนอยู่ในระดับย่อย VT , อัตราส่วนไอออน / ioff คือการสลายตัวโดยสามถึงห้าคำสั่งของขนาดเมื่อเทียบกับอุปทานแรงดันปกติ ผลคือ ปฏิสัมพันธ์ระหว่างทั้งสอง " บน " และ " ปิด " อุปกรณ์ที่จะกลายเป็นที่สำคัญในการตั้งค่าโหนดนั้น