A typical cross-section obtained th

A typical cross-section obtained through this process is shown in Fig. 1.
The deep n-well doping profile is one of the most important characteristics involved in the design of the HV modified structures proposed in this paper. N-well surface concentration and depth depend on process scale and substrate concentration. The inclusion of this layer in the drain of the proposed HV structures will be responsible for the device blocking voltage increase, due to its lightly doped concentration in comparison with the standard MOS n implants. It will also be shown that the p-type field

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรทั่วไปได้ผ่านขั้นตอนนี้จะแสดงในรูปที่ 1ค่ายาสลบลึกเช่น n เป็นลักษณะสำคัญที่สุดที่เกี่ยวข้องในการออกแบบโครงสร้าง HV ที่แก้ไขในเอกสารนี้อย่างใดอย่างหนึ่ง ความเข้มข้น N อีกทั้งพื้นผิวและความลึกขึ้นอยู่กับกระบวนการผิวและระดับความเข้มข้น รวมของเลเยอร์นี้ในท่อระบายน้ำโครงสร้าง HV เสนอจะรับผิดชอบอุปกรณ์ปิดกั้นแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้น เนื่องจากความเข้มข้นเจือเบาเมื่อเปรียบเทียบกับมาตรฐาน MOS n รากเทียม มันจะแสดงให้เห็นว่าฟิลด์ชนิด p

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพตัดขวางที่ได้ผ่านกระบวนการนี้โดยทั่วไปแสดงในรูปที่ 1ที่ะลึกว่าประวัติเป็นหนึ่งในคุณลักษณะที่เกี่ยวข้องในการออกแบบนี้ปรับเปลี่ยนโครงสร้างที่นำเสนอในบทความนี้ ะผิว ความเข้มข้นและความลึกขึ้นอยู่กับขนาดกระบวนการพื้นผิวและความเข้มข้น รวมของชั้นนี้ในการระบายของระบบ HV โครงสร้างจะรับผิดชอบอุปกรณ์กั้นแรงดันเพิ่มขึ้น เนื่องจากความเบาที่มีความเข้มข้นในการเปรียบเทียบกับมอส มาตรฐาน N รากฟันเทียม มันก็จะถูกแสดงที่สนามพี