observing that RE or RS can be incr

observing that RE or RS can be increased to raise the output resistance. Unfortunately,
however, the voltage drop across the degeneration resistor also increases proportionally,
consuming voltage headroom and ultimately limiting the voltage swings provided by the
circuit using such a current source. For example, if RE sustains 300 mV and Q 1 requires
a minimum collector-emitter voltage of 500 mV, then the degenerated current source
“consumes” a headroom of 800 mV.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สังเกตว่าใหม่หรืออาร์เอสจะเพิ่มขึ้นเพื่อยกระดับความต้านทานเอาท์พุท โชคไม่ดี
แต่แรงดันไฟฟ้าตกข้ามต้านทานการเสื่อมสภาพก็จะเพิ่มขึ้นตามสัดส่วน headroom แรงดัน
นานและในที่สุดการ จำกัด ชิงช้าแรงดันไฟฟ้าที่มีให้โดยวงจร
ใช้เช่นปัจจุบันแหล่ง ตัวอย่างเช่นถ้าอีก sustains 300 MV q และ 1
ต้องใช้แรงดันไฟฟ้าที่สะสมอีซีแอลขั้นต่ำ 500 MV,แล้วปัจจุบันแหล่งถดถอย
"เปลือง" เฮดรูมของ 800 MV.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สังเกตว่า RE หรือ RS สามารถเพิ่มเพื่อเพิ่มความต้านทานเอาท์พุท อับ,
อย่างไรก็ตาม ปล่อยแรงดันไฟฟ้าผ่านตัวต้านทานเสื่อมยังเพิ่มสัดส่วน,
ใช้แรงดันไฟฟ้า headroom และจำกัดแรงดันไฟฟ้าสุด ชิงช้าให้โดย
วงจรใช้แหล่งปัจจุบัน ตัวอย่าง ถ้า RE ได้รับคำสั่ง mV และ Q 1 300 ต้อง
แรงเก็บงานตัวส่งขั้นต่ำ 500 mV แล้ว degenerated ปัจจุบันต้น
"ใช้" headroom ของ 800 mV.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สังเกตว่าอีกครั้งหรือ RS สามารถเพิ่มขึ้นเพื่อยกระดับการต้านทานเอาต์พุต เป็นที่น่าเสียดายว่า
อย่างไรก็ตามดรอปดาวน์ใช้แรงดันไฟฟ้าที่อยู่ทางฝั่งด้านตรงข้ามตัวต้านทานโรคที่ยังเพิ่มขึ้นตามส่วนความสามารถในการรองรับแรงดันไฟฟ้า
ต้องใช้เวลาและในท้ายที่สุดการจำกัดการชิงช้าแรงดันไฟฟ้าที่ให้บริการโดย
วงจรโดยใช้แหล่งที่มาอยู่ในปัจจุบันนี้ ตัวอย่างเช่นหากการค้ำจุน 300 MV และ Q 1 จำเป็นต้องใช้
ระดับแรงดันไฟฟ้าขั้นต่ำที่รอง - Consumer 500 MVแหล่งที่มาแล้วปัจจุบันเต็มยศละลานตาที่
"ใช้"ความสามารถในการรองรับ 800 MV .