ABSTRACTThe effect of Ag doping on

ABSTRACT
The effect of Ag doping on the thermoelectric properties of p-type BiCuSeO ceramics from 300 to 873 K has been investigated systematically. The electrical conductivity can be improved from 5.9 to 26.9 S cm−1 at room temperature with Ag doping. The Seebeck coefficients of Bi1−xAgxCuSeOincrease monotonically with temperature in all temperature range. The thermal conductivity can be suppressed significantly due to grain refinement and nanoinclusions. A maximum power factor of 320 W m−1 K−2was obtained at 873 K. The combination of optimized power factor and low thermal conductivity resulted to a higher ZT value of 0.68 at 873 K for Bi0.92Ag0.08CuSeO which is about 30% higher than that of the un-doped specimen.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อผลของ Ag โดปปิงค์สมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของเซรามิก BiCuSeO ชนิด p จาก 300 ไป 873 K มีการสอบสวนอย่างเป็นระบบ ค่าการนำไฟฟ้าสามารถเพิ่มขึ้นจาก 5.9 การ 26.9 cm−1 S ที่อุณหภูมิห้องกับโดปปิงค์ Ag สัมประสิทธิ์ Seebeck ของ Bi1−xAgxCuSeOincrease monotonically กับอุณหภูมิในทุกช่วงอุณหภูมิ สามารถระงับการนำความร้อนอย่างมากเนื่องจากเมล็ดข้าวและการ nanoinclusions ตัวคูณอำนาจสูงสุดของ 320 W m−1 K−2was ได้ที่คุณ 873 ชุดปรับสัดส่วนของพลังงาน และการนำความร้อนต่ำผล 0.68 ที่ 873 K ค่า ZT สูงสำหรับ Bi0.92Ag0.08CuSeO ซึ่งเป็นประมาณ 30% สูงกว่าที่สิ่งส่งตรวจไม่ doped

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ
ผลของยาสลบ Ag ต่อสมบัติเทอร์โมของชนิดพีเซรามิก BiCuSeO 300-873 K ได้รับการสอบสวนอย่างเป็นระบบ การนำไฟฟ้าได้ดีขึ้น 5.9-26.9 ซม. S-1 ที่อุณหภูมิห้องที่มียาสลบ Ag ค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคของ Bi1-xAgxCuSeOincrease monotonically มีอุณหภูมิในช่วงอุณหภูมิทั้งหมด การนำความร้อนที่สามารถปราบปรามอย่างมีนัยสำคัญเนื่องจากการปรับแต่งข้าวและ nanoinclusions ปัจจัยอำนาจสูงสุด 320 W M-1 K-2was ได้ที่ 873 เครวมกันของปัจจัยอำนาจที่ดีที่สุดและการนำความร้อนต่ำส่งผลให้เป็นค่าที่สูงขึ้นของ ZT 0.68 ที่ 873 K สำหรับ Bi0.92Ag0.08CuSeO ซึ่งเป็นประมาณ 30% สูงกว่าชิ้นงานที่ยกเลิกการเจือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทคัดย่อผลของการเติมี
ต่อสมบัติเทอร์โมของพี bicuseo เซรามิกจาก 300 เป็น K ได้รับการตรวจสอบอย่างเป็นระบบ ค่าการนำไฟฟ้าจะเพิ่มขึ้นจาก 5.9 ถึง 26.9 s cm − 1 ที่อุณหภูมิห้องกับ AG โด๊ป การ วัดค่า bi1 − xagxcuseoincrease monotonically กับอุณหภูมิในอุณหภูมิ .การนำความร้อนสามารถยับยั้งอย่างมีนัยสำคัญเนื่องจากการปรับแต่งของเมล็ดข้าวและ nanoinclusions . พลังงานสูงสุดปัจจัยของ 320 W m − 1 , − 2was อุณหภูมิที่ K . การรวมกันของปัจจัยและเพิ่มประสิทธิภาพพลังงานการนำความร้อนต่ำส่งผลให้มูลค่าสูงกว่า ZT 0.68 ที่เป็น K bi0.92ag0.08cuseo ซึ่งมีประมาณ 30% สูงกว่าที่ของยูเอ็นด้วย
ตัวอย่าง