Note that unlike the N-channel MOSF

Note that unlike the N-channel MOSFET whose gate terminal must be made more positive (attracting electrons) than the source to allow current to flow through the channel, the conduction through the P-channel MOSFET is due to the flow of holes. That is the gate terminal of a P-channel MOSFET must be made more negative than the source and will only stop conducting (cut-off) until the gate is more positive than the source.

So for the enhancement type power MOSFET to operate as an analogue switching device, it needs to be switched between its “Cut-off Region” where VGS = 0 (or VGS = -ve) and its “Saturation Region” were VGS(on) = +ve. The power dissipated in the MOSFET ( PD ) depends upon the current flowing through the channel ID at saturation and also the “ON-resistance” of the channel given as RDS(on). For example.

MOSFET as a Switch Example No1

Lets assume that the lamp is rated at 6v, 24W and is fully “ON”, the standard MOSFET has a channel on-resistance ( RDS(on) ) value of 0.1ohms. Calculate the power dissipated in the MOSFET switching device.

The current flowing through the lamp is calculated as:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หมายเหตุว่า แตกต่างจาก MOSFET N ช่อง เทอร์มินัลที่มีประตูต้องทำบวก (ดึงดูดอิเล็กตรอน) กว่าแหล่งที่จะกระแสจะไหลผ่านช่องทาง นำผ่าน MOSFET ช่อง P เนื่องจากการไหลของหลุม นั่นคือ terminal ประตูของ MOSFET ช่อง P ต้องลบต้นฉบับ และเท่านั้นจะหยุดการดำเนินการ (ตัด) จนกว่าประตูจะเป็นบวกมากขึ้นจากแหล่งเพื่อเพิ่มชนิดพลัง MOSFET จะดำเนินการเป็นอะนาล็อกสลับอุปกรณ์ มันต้องสลับระหว่าง "ภูมิภาคตัด" ที่ VGS = 0 (หรือ VGS = - ve) และ "ภูมิภาคอิ่ม" VGS(on) = + ve พลังงาน dissipated ใน MOSFET (PD) ขึ้นอยู่กับการไหลเวียนผ่านรหัสช่องสัญญาณที่ความอิ่มตัว และการ "ON-ต่อต้าน" ของสถานีที่เป็น rds (on) ตัวอย่างเช่นMOSFET เป็น No1 อย่างเป็นสวิตช์ให้สมมติว่า ไฟพิกัดที่ 6v, 24W และเป็นเต็ม ON", MOSFET มาตรฐานมีค่า (เดียว) ในการต้านทานช่อง 0.1ohms คำนวณพลังงาน dissipated ในอุปกรณ์ switching ของ MOSFETปัจจุบันไหลผ่านหลอดจะคำนวณเป็น:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โปรดทราบว่าแตกต่างจาก MOSFET N-ช่องประตูที่มีขั้วจะต้องทำในเชิงบวก (อิเล็กตรอนดึงดูด) มากกว่าแหล่งที่มาเพื่อช่วยให้กระแสไหลผ่านช่องทางการนำผ่าน MOSFET P-ช่องทางคือเนื่องจากการไหลของหลุม นั่นคือขั้วประตูของ MOSFET P-ช่องจะต้องทำในเชิงลบมากกว่าแหล่งที่มาและจะหยุดการดำเนินการ (cut-off) จนกระทั่งประตูเป็นบวกมากกว่าแหล่งที่มา. ดังนั้นสำหรับ MOSFET ประเภทการเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงานในการดำเนินงานในฐานะที่เป็น อะนาล็อกอุปกรณ์เปลี่ยนจะต้องมีการเปลี่ยนระหว่าง "การตัดภาค" ที่ VGS = 0 (หรือ VGS = -ve) และ "อิ่มตัว" เป็น VGS (ON) = + ve อำนาจกระจายในมอสเฟต (PD) ขึ้นอยู่กับกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านรหัสช่องที่อิ่มตัวและก็เป็น "ON-ต้านทาน" ของช่องได้รับเป็น RDS (ON) ยกตัวอย่างเช่น. MOSFET เป็นสวิตช์ตัวอย่าง No1 ช่วยให้คิดว่าหลอดไฟเป็นอันดับที่ 6V, 24W และเป็นอย่างที่ "ON" ที่ MOSFET มาตรฐานมีช่องทางในการต้านทาน (RDS (ON)) มูลค่าของ 0.1ohms คำนวณอำนาจกระจายไปในอุปกรณ์ MOSFET เปลี่ยน. กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านหลอดไฟจะถูกคำนวณเป็น:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทราบว่าไม่เหมือนนแชนแนล MOSFET ที่มีขั้วเกตต้องทำในเชิงบวกมากขึ้น ( การดึงดูดอิเล็กตรอน ) มากกว่าแหล่งที่มาเพื่อให้กระแสไหลผ่านช่อง ผ่าน ผ่าน p-channel มอสเฟต คือเนื่องจากการไหลของหลุม ที่ประตูผู้โดยสารของ p-channel มอสเฟต จะต้องให้ลบมากกว่าแหล่งที่มาและจะหยุดทำการ ( ตัด ) จนกว่าประตูจะเป็นบวกมากกว่าแหล่งที่มาดังนั้น การเพิ่มประเภทเพาเวอร์มอสเฟตทำงานเป็นอนาล็อกเปลี่ยนอุปกรณ์ มันต้องสลับกันระหว่าง " ตัดภูมิภาค " ที่วีจีเ = 0 ( หรือวีจีเ = ได้ ) และ " เขต " อิ่มตัวเป็นวีจีเ ( บน ) = + ได้ พลังกระจายใน MOSFET ( PD ) ขึ้นอยู่กับกระแสที่ไหลผ่านช่อง ID ที่อิ่มตัวและยัง " ต้านทาน " ของช่องให้เป็น RDS ( on ) ตัวอย่างเช่นมอสเฟตเป็นตัวสลับ No1ช่วยให้สมมติว่า โคมไฟถูกจัดอันดับที่ 6V , 24w และเต็มที่ " " , MOSFET มาตรฐานมีช่องต่อความต้านทาน ( RDS ( on ) มูลค่า 0.1ohms . การคำนวณพลังงานที่กระจายในมอสเฟตสวิตช์อุปกรณ์กระแสที่ไหลผ่านหลอดไฟจะคำนวณดังนี้