From an electronic point of view, TiO2 is a wide band gap semiconductor (the energy band gaps (Eg) of anatase and rutile are 3.2 and 3.0 eV, respectively), and this is the
major drawback as a photocatalyst: the photocatalytic reaction of TiO2 can be activated only by UV light, i.e., only 4–5% of the solar spectrum [23]. There have been a number of attempts aimed at overcoming this drawback. Among the routes followed are doping TiO2 with transition metals and/or rare earth elements [24,25] or non-metal atoms [26,27], making composite TiO2 photocatalysts [28,29] or heterojunction photocatalysts [30,31]. Recently, an approach developed in order to absorb visible-light radiation is the deposition of noble metal nanoparticles (NP) onto the surface of the semiconductor material.
จากการอิเล็กทรอนิกส์มอง TiO2 เป็นวงกว้างช่องว่างของสารกึ่งตัวนำ (ช่องแถบพลังงาน (Eg) anatase และ rutile เป็น 3.2 และ 3.0 eV ตามลำดับ), และนี้เป็นการคืนสำคัญเป็น photocatalyst: ปฏิกิริยากระของ TiO2 สามารถเรียกใช้ โดย UV อ่อน เช่น เพียง 4 – 5% ของคลื่นแสง [23] เท่านั้น มีจำนวนความพยายามที่มุ่งขจัดหมดสิ้นคืนนี้ ระหว่างเส้นทางตามโดปปิงค์ TiO2 มีโลหะเปลี่ยน และ/หรือองค์ประกอบของธาตุหายาก [24,25] หรืออะตอมไม่ใช่โลหะ [26,27], คอมโพสิต TiO2 photocatalysts [28,29] หรือ heterojunction photocatalysts [30,31] ล่าสุด วิธีการพัฒนาเพื่อที่จะดูดซับรังสีแสงเห็นเป็นสะสมของโลหะเก็บกัก (NP) บนพื้นผิวของวัสดุสารกึ่งตัวนำ
การแปล กรุณารอสักครู่..
