DRAM stands for Dynamic Random Acce

DRAM stands for Dynamic Random Access Memory. It is a type of semiconductor memory in which the memory is stored in the form of a charge. Each memory cell in a DRAM is made of a transistor and a capacitor. The data is stored in the capacitor. Capacitors loose charge due to leakage and hence DRAM's are volatile devices. To keep the data in the memory, the device must be regularly refreshed whereas SRAM is static, so it will retain a value as long as power is supplied. SRAM is typically faster than DRAM since it doesn't have refresh cycles. Since each SRAM memory cell is comprised of 6 Transistors unlike a DRAM memory cell, which is comprised of 1 Transistor and 1 Capacitor, the cost per memory cell is far greater in an SRAM compared to a DRAM. With similar reasoning, it can be asserted that DRAMs come in larger densities than SRAMs given a fixed area. Example : SRAMs are used in Caches because of higher speed and DRAMs are used for main memory in a PC because of higher densities.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

DRAM ย่อมาจาก Dynamic Random Access Memory มันเป็นชนิดของหน่วยความจำสารกึ่งตัวนำที่หน่วยความจำจะถูกเก็บในรูปของค่าธรรมเนียม แต่ละเซลล์หน่วยความจำ DRAM ที่ทำเป็นทรานซิสเตอร์และตัวเก็บประจุ ข้อมูลถูกเก็บไว้ในตัวเก็บประจุ ตัวเก็บประจุค่าธรรมเนียมเนื่องจากรั่วหลวม และดังนั้น ของ DRAM คือ อุปกรณ์ระเหย การเก็บข้อมูลในหน่วยความจำ อุปกรณ์ต้องมีประจำฟื้นฟู โดยพาร์เป็นคง ดังนั้นมันจะเก็บค่าได้ตราบใดที่ชาร์จไฟ พาร์เป็นมักจะเร็วกว่า DRAM เพราะไม่มีฟื้นฟูรอบ เนื่องจากประกอบด้วยเซลล์แต่ละเซลล์หน่วยความจำพาร์ 6 ทรานซิสเตอร์แตกต่างจากเซลล์หน่วยความจำ DRAM ซึ่งประกอบด้วย 1 ทรานซิสเตอร์และตัวเก็บประจุ 1 ต้นทุนต่อหน่วยความจำเซลล์อยู่ไกลมากขึ้นในการพาร์เมื่อเทียบกับ DRAM ด้วยเหตุผลที่คล้ายกัน มันสามารถจะถูกกล่าวหาว่า DRAMs มาในความหนาแน่นที่มีขนาดใหญ่กว่า SRAMs ให้มีพื้นที่ถาวร ตัวอย่าง: SRAMs ใช้ในแคชเนื่องจากความเร็วสูง และ DRAMs ใช้สำหรับหน่วยความจำหลักในเครื่องคอมพิวเตอร์เนื่องจากความหนาแน่นสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

DRAM ย่อมาจากหน่วยความจำแบบไดนามิก Random Access มันเป็นประเภทของหน่วยความจำเซมิคอนดักเตอร์ในหน่วยความจำจะถูกเก็บไว้ในรูปแบบของค่าใช้จ่ายที่ มือถือหน่วยความจำในแต่ละ DRAM ทำจากทรานซิสเตอร์และตัวเก็บประจุ ข้อมูลจะถูกเก็บไว้ในตัวเก็บประจุ ตัวเก็บประจุแบบค่าใช้จ่ายหลวมเนื่องจากการรั่วไหลและด้วยเหตุนี้ DRAM คืออุปกรณ์ระเหย เพื่อให้ข้อมูลในหน่วยความจำอุปกรณ์จะต้องได้รับการฟื้นฟูอย่างสม่ำเสมอขณะที่ SRAM เป็นแบบคงที่จึงจะเก็บค่าตราบใดที่กำลังไฟ SRAM เป็นปกติได้เร็วกว่า DRAM เพราะมันไม่ได้มีวงจรการฟื้นฟู เนื่องจากแต่ละเซลล์หน่วยความจำ SRAM ประกอบด้วย 6 ทรานซิสเตอร์ซึ่งแตกต่างจากเซลล์หน่วยความจำ DRAM ซึ่งประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ 1 และ 1 Capacitor ค่าใช้จ่ายต่อเซลล์หน่วยความจำจะไกลมากขึ้นใน SRAM เมื่อเทียบกับ DRAM ด้วยเหตุผลที่คล้ายกันก็สามารถที่จะถูกกล่าวหาว่า DRAMs มาในความหนาแน่นที่มีขนาดใหญ่กว่า SRAMs กำหนดพื้นที่คงที่ ตัวอย่าง: SRAMs ที่ใช้ในการแคชเนื่องจากความเร็วที่สูงขึ้นและ DRAMs จะใช้สำหรับหน่วยความจำในเครื่องคอมพิวเตอร์เพราะมีความหนาแน่นสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ยืนสำหรับการเข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่มแบบไดนามิก มันเป็นชนิดของหน่วยความจำสารกึ่งตัวนำที่หน่วยความจำจะถูกเก็บไว้ในรูปแบบของค่าใช้จ่าย ความทรงจำแต่ละเซลล์ในการสร้างทรานซิสเตอร์ และตัวเก็บประจุ ข้อมูลที่ถูกเก็บไว้ในตัวเก็บประจุ ตัวเก็บประจุหลวมค่าใช้จ่ายเนื่องจากการรั่วและด้วยเหตุนี้ของ DRAM เป็นอุปกรณ์ระเหย การเก็บข้อมูลในหน่วยความจำ อุปกรณ์ต้องเป็นประจําสดชื่นในขณะที่ SRAM เป็นแบบคงที่ จึงจะรักษามูลค่า ตราบใดที่อำนาจให้มา SRAM มักจะเร็วกว่า DRAM เนื่องจากไม่ต้องรีเฟรชรอบ เนื่องจากแต่ละเซลล์ประกอบด้วยหน่วยความจำ SRAM 6 ซึ่งแตกต่างจาก DRAM หน่วยความจำเซลล์ ซึ่งประกอบด้วย 1 . 1 ประจุ ต้นทุนต่อเซลล์หน่วยความจำอยู่ไกลมากขึ้นในการเปรียบเทียบกับชุด SRAM . ด้วยเหตุผลคล้ายกัน ได้อ้างว่า มีขนาดใหญ่กว่านั้นมา srams ได้รับพื้นที่ถาวร ตัวอย่าง : srams ใช้ในแคชเพราะความเร็วสูงกว่า DRAM มีและใช้หน่วยความจำหลักในเครื่องคอมพิวเตอร์ เพราะมีความหนาแน่นสูงกว่า