A possible possiblity of this diffe

A possible possiblity of this difference can be linked to the
existence of the charge separating interface in ZnSe/CdS type-II semiconductor, which
increases the spatial separation of charges [33, 46], leading to reducing the overlap of
electrons and holes and decreasing the recombination of carriers in these nanoparticles. Ning
et al., have shown that trapping of photo - induced holes on CdS QDs can provide a similar
type of hole localization as does the ZnSe domain in ZnSe/CdS nanocrystals [47]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Possiblity เป็นไปได้ของความแตกต่างนี้สามารถเชื่อมโยงกับการมีค่าธรรมเนียมแยกอินเทอร์เฟซใน ZnSe/ซี ดี II ชนิดสารกึ่งตัวนำ ซึ่งเพิ่มแยกพื้นที่ค่าธรรมเนียม [33, 46], นำไปสู่การลดการทับซ้อนของอิเล็กตรอน และหลุม และ recombination ของสายการบินในการเก็บกักเหล่านี้ลดลง หนิงร้อยเอ็ด al. ได้แสดงที่ดักของภาพ - หลุมอาจบน QDs ซีดีสามารถให้ความคล้ายคลึงกันชนิดของหลุมแปลกับโดเมน ZnSe ใน ZnSe/ซี nanocrystals [47]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

possiblity
เป็นไปได้ของความแตกต่างนี้สามารถเชื่อมโยงกับการดำรงอยู่ของค่าใช้จ่ายแยกอินเตอร์เฟซในZnSe / ซีดีสารกึ่งตัวนำชนิด-II
ซึ่งการเพิ่มขึ้นของการแยกเชิงพื้นที่ของค่าใช้จ่าย[33, 46]
ที่นำไปสู่การลดการซ้อนทับกันของอิเล็กตรอนและหลุมและลดลงรวมตัวกันอีกของผู้ให้บริการในอนุภาคนาโนเหล่านี้ หนิง., et al, แสดงให้เห็นว่าการวางกับดักของภาพถ่าย - เหนี่ยวนำให้เกิดหลุมบนแผ่นซีดี QDS สามารถให้บริการที่คล้ายกันประเภทของการแปลหลุมเช่นเดียวกับโดเมนในZnSe ZnSe / ซีดีนาโนคริสตัล [47]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มี possiblity เป็นไปได้ของความแตกต่างนี้สามารถเชื่อมโยงกับการมีอยู่ของค่า
แยกอินเทอร์เฟซติ / ซีดี II ชนิดสารกึ่งตัวนำซึ่ง
เพิ่มแยกพื้นที่ค่าธรรมเนียม [ 33 , 46 ] , นำไปสู่การลดความซ้ำซ้อนของ
อิเล็กตรอนและหลุมและลดการรวมตัวของผู้ให้บริการในอนุภาคนาโนเหล่านี้ หนิง
et al . ,แสดงให้เห็นว่ามีรูปดักพบหลุมบนซีดีควอนตัมด็อตสามารถให้บริการประเภทที่คล้ายกัน
ของการแปลหลุมไม่ติโดเมนในติ / ซีดี nanocrystals [ 47 ]