Dependences of the evolution of mic

Dependences of the evolution of microstructure, in-plane tensile stress, and crystallographic orientation
on rapid thermal annealing in the single-layered FePt films were investigated. By manipulating annealing
temperature (450e800
C), a texture transition from (111) to nearly perfect (001) was induced by a
measured huge tensile stress of 2.4 GPa. Based on the microstructural observation and in-plane residual
stress measurement, the tensile stress originated from the annihilation of grain boundaries and probably
the unexpected surface oxidation of the L10 FePt films during annealing. Conversely, L10 ordering caused
the relaxation of the accumulated tensile stress.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Dependences ของวิวัฒนาการต่อโครงสร้างจุลภาค ในเครื่องบินแรงดึงความเครียด และแนว crystallographicฟิล์มถูกตรวจสอบบนอย่างรวดเร็วความร้อนการอบเหนียวใน FePt ชั้นเดียว โดยจัดการกับการอบเหนียวอุณหภูมิ (450e800 C), เปลี่ยนพื้นผิวจาก (111) ที่เกือบสมบูรณ์แบบ (001) ที่เกิดจากการวัดใหญ่ความเครียดแรงดึงของ 2.4 เกรดเฉลี่ย สังเกต microstructural และส่วนที่เหลือจากในเครื่องบินประเมินความเครียด ความเครียดแรงดึงที่มาจากการทำลายล้าง ของขอบเขตของเมล็ดข้าว และอาจเกิดออกซิเดชันพื้นผิวที่ไม่คาดคิดของฟิล์ม L10 FePt ระหว่างการอบเหนียว ในทางกลับกัน สั่งซื้อ L10 เกิดผ่อนคลายความเครียดแรงดึงสะสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Dependences ของวิวัฒนาการของจุลภาคความเครียดแรงดึงในเครื่องบินและการวางแนว crystallographic
ในการอบความร้อนอย่างรวดเร็วในเดี่ยวชั้นหนัง FePt ถูกตรวจสอบ โดยการจัดการหลอมอุณหภูมิ (450e800? C), การเปลี่ยนแปลงจากเนื้อ (111) เกือบสมบูรณ์แบบ (001) ถูกชักนำโดยความเครียดแรงดึงขนาดใหญ่วัด2.4 จีพี ขึ้นอยู่กับการสังเกตและจุลภาคในเครื่องบินที่เหลือวัดความเครียดความเครียดแรงดึงมาจากการทำลายล้างของข้าวเขตแดนและอาจจะเกิดออกซิเดชันพื้นผิวที่ไม่คาดคิดของภาพยนตร์L10 FePt ในระหว่างการอบ ตรงกันข้าม L10 สั่งซื้อที่เกิดจากการผ่อนคลายของความเครียดแรงดึงสะสม