The C1s core-level spectrum (Fig.2b

The C1s core-level spectrum (Fig.2b) shows the characteristic signals of the SiC substrate,

the non-metallic (6√3×6√3) interface layer (buffer layer) that decouples the electronic structure of graphene from the substrate

and the graphene monolayer that lies on top of the buffer layer, in agreement with vacuum-grown films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คลื่นระดับหลักของ C1s (Fig.2b) แสดงสัญญาณลักษณะของพื้นผิว SiC ชั้น (ชั้นบัฟเฟอร์) ที่ decouples โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ของ graphene จากพื้นผิวอินเทอร์เฟซอโลหะ (6√3 × 6√3) และ monolayer graphene ที่อยู่บนชั้นบัฟเฟอร์ ยังคงเติบโตดูดฟิล์ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สเปกตรัม C1s หลักระดับ (Fig.2b) แสดงให้เห็นสัญญาณลักษณะของพื้นผิว SiC, ไม่ใช่โลหะ (6√3×6√3) อินเตอร์เฟซชั้น (ชั้นบัฟเฟอร์) ที่ decouples โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ของกราฟีนจากพื้นผิวและmonolayer graphene ที่อยู่ด้านบนของชั้นบัฟเฟอร์ในข้อตกลงกับภาพยนตร์สูญญากาศเติบโต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ c1s หลักระดับสเปกตรัม ( fig.2b ) แสดงให้เห็นถึงสัญญาณลักษณะของ SIC ตั้งต้น

ไม่ใช่โลหะ ( 6 √ 3 × 6 √ 3 ) ชั้นอินเตอร์เฟซ ( ชั้นบัฟเฟอร์ ) ที่ decouples โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ของกราฟีน จากหลากหลาย

และกราฟีน ชั้นที่อยู่ด้านบนของบัฟเฟอร์ชั้นใน ข้อตกลงกับ เครื่องปลูกฟิล์ม