An experimental diode spectrum at 3

An experimental diode spectrum at 300 K constant junction temperature is plotted in Fig. 3, together with the simulation based on Eq. (2). This plot shows that the exponential behavior described by Eq. (2) is not able to model the complete spectrum shape. However, the difference between the experimental curve and the curve according to Eq. (2) can be approximated by a Gaussian function. Therefore, a Gaussian function is added, resulting in the following analytical model :

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สเปกตรัมการทดลองไดโอดที่อุณหภูมิ 300 K เชื่อมต่อคงเป็นพล็อตใน Fig. 3 พร้อมการจำลองตาม Eq. (2) พล็อตนี้แสดงพฤติกรรมเนนโดย Eq. (2) จะไม่สามารถจำลองรูปร่างสเปกตรัมสมบูรณ์ อย่างไรก็ตาม ความแตกต่างระหว่างการทดลองการใช้เส้นโค้งและเส้นโค้งตาม Eq. (2) สามารถหาค่าประมาณ โดยฟังก์ชัน Gaussian ดังนั้น ฟังก์ชัน Gaussian เพิ่ม ผลแบบวิเคราะห์ดังต่อไปนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สเปกตรัมไดโอดการทดลองที่อุณหภูมิ 300 K ชุมคงที่จะวางแผนในรูปที่ 3 ร่วมกับการจำลองตามสมการ (2) พล็อตนี้แสดงให้เห็นว่าพฤติกรรมการชี้แจงอธิบายโดยสมการ (2) ไม่สามารถจำลองรูปร่างสเปกตรัมสมบูรณ์ อย่างไรก็ตามความแตกต่างระหว่างเส้นโค้งทดลองและเส้นโค้งให้เป็นไปตามสมการ (2) สามารถประมาณโดยฟังก์ชั่นเสียน ดังนั้นฟังก์ชั่นเสียนจะเพิ่มผลในรูปแบบการวิเคราะห์ต่อไปนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การทดลองสเปกตรัมที่ชุมทางไดโอด 300 k คงที่อุณหภูมิจะวางแผนในรูปที่ 3 ร่วมกับจำลองจากอีคิว ( 2 ) พล็อตนี้แสดงให้เห็นว่าชี้แจงพฤติกรรมที่อธิบายโดยอีคิว ( 2 ) จะไม่สามารถรูปแบบรูปร่างสเปกตรัมที่สมบูรณ์ อย่างไรก็ตาม ความแตกต่างระหว่างเส้นโค้งและเส้นโค้งตามแบบอีคิว ( 2 ) สามารถประมาณค่าโดยใช้ฟังก์ชันเกาส์เซียน .ดังนั้นฟังก์ชันเสียนเพิ่มผลวิเคราะห์รูปแบบต่อไปนี้ :