Trap density, lifetime, and the Sch

Trap density, lifetime, and the Schottky barrier height of erbium-silicided Schottky diode are evaluated using equivalent circuit method. The extracted trap density, lifetime, and Schottky barrier height for hole are determined as

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตรวจจับความหนาแน่น ชีวิต และ Schottky อุปสรรคความสูงของไดโอด Schottky เออร์เบียม silicided จะถูกประเมินโดยใช้วิธีวงจรเทียบเท่า ดักแยกความหนาแน่น ชีวิต และ Schottky อุปสรรคสูงสำหรับหลุมที่กำหนด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความหนาแน่นดักอายุการใช้งานและความสูงของอุปสรรคกีไดโอด Schottky erbium-silicided ได้รับการประเมินโดยใช้วิธีวงจรสมมูล ความหนาแน่นของกับดักสกัดอายุการใช้งานและความสูงอุปสรรคกีหลุมจะถูกกำหนดเป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความหนาแน่น , ชีวิตและอุปสรรคดักท์ความสูงของเออร์เบียม silicided ไดโอดชอทท์กี้จะถูกประเมินโดยใช้วิธีวงจรสมมูล แยกกับดักของชีวิต และความสูงของสิ่งกีดขวางท์สำหรับหลุมถูกกำหนดเป็น