hereby m depends the atomic number

hereby m depends the atomic number Z of the medium and decreases with increasing photon energy hn [1]. However, the fine structure of this element-specific edge of the absorption coefficient is influenced by the energy of unoccupied electronic levels, as it is depicted in Fig. 1(a). Only a sufficient photon energy enables the photoexcitation of a core level electron beyond the vacuum level Evac. After 10×10-14 sec [2] the ionized atom may relax by occupation of the core hole with an electron from the valence band (VB), while the generated energy will normally not be used for the emission of a flourescence photon (probability 1 %), but will be absorbed for the vaccum emission of an Auger electron (probability 99%) from the valence band. In case of a non-sufficient energy for the emission of the primary electron, it may be excited into a conduction band (CB) level, so that a similar relaxation process becomes possible. This spectator process then results in the emission of only one Auger electron.
Alternatively the core hole may be reoccupied by the core level electron itself, so that the excitation energy is finally used for the emission of a valence electron. As the final state of this participator process is comparable to a direct photoemission process and as both mechanisms may happen concurently, the participator excitation is also called resonant photoemission.
The number of generated secondary electrons is thereby directly proportional to the x-ay absortion cross section [3]. On their way to the crystal surface these electrons undergo multiple scattering processes with other electrons (Fig. 1(b)), so that their number is multiplied while their averaged energy is reduced. Consequently, from the atomic layers near the surface up to 50 Å depth low-energy photolectrons are emitted. For the determination of the absorption coefficient m depending on the photon energy two techniques are possible. The integrated detection of all emitted electrons (total electron yield) as well as the selective detection of electrons of fixed energy (partial electron yield) as a function of hn will lead to equivalent structures in the spectra [4].
The typical XANES experiment measures the photoelectron intensity for photon energies beginning from the absorption edge til 50 eV beyond the edge energy [5]. Although photon energies below the ionization threshold allow electronic transitions into unoccupied elctronic bands or molecular orbitals, the spectral features are not directly related to the unoccupied density of states (UDOS) [6], which can be probed with inverse photoemission spectroscopy. In particular, p-conjugated molecular systems [7] exhibit a strong excitonic interaction between core electron and hole, so that the transitions show shifted energetic positions in the absorption spectra [8]. In case of an inhomogeneous intramolecular charge distribution the same electronic transition may even be found as slightly shifted double structures [9]. Nevertheless the well-structured molecular absorption spectra are a powerfull tool for the identifaction of chemical components and redox-induced changes.

References

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขอ m ขึ้นอยู่กับเลขอะตอม Z กลาง และลด มีเพิ่มโฟตอนพลังงาน hn [1] อย่างไรก็ตาม ปรับโครงสร้างของขอบนี้เฉพาะองค์ประกอบของค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมได้รับอิทธิพลจากพลังงานระดับอิเล็กทรอนิกส์เดิน เป็นมันเป็นภาพใน Fig. 1(a) เท่าพอโฟตอนพลังงานทำให้ photoexcitation ของอิเล็กตรอนเป็นหลักระดับเกินระดับสุญญากาศ Evac หลังจาก 10 × 10-14 วินาที [2] อะตอม ionized อาจผ่อนคลาย ด้วยอาชีพของหลุมหลักกับอิเล็กตรอนจากแถบเวเลนซ์ (VB), ในขณะที่พลังงานสร้างขึ้นจะไม่ใช้สำหรับปล่อยก๊าซของเรา flourescence (น่าเป็น 1%), แต่จะดูดซึมในไอเสีย vaccum อิเล็กตรอน Auger (ความน่าเป็น 99%) จากวงเวเลนซ์ ในกรณีที่พลังงานไม่เพียงพอสำหรับการปล่อยก๊าซของอิเล็กตรอนหลัก มันอาจจะตื่นเต้นในระดับนำวง (CB) เพื่อให้กระบวนการผ่อนคล้ายจะเป็นไปได้ ขั้นตอนนี้การแข่งขันแล้วผลมลพิษของเดียวชอนอิเล็กตรอน
หรือ อาจ reoccupied หลุมหลัก โดยอิเล็กตรอนระดับหลักตัวเอง สุดท้ายมีการใช้พลังงานในการกระตุ้นการเล็ดรอดของเวเลนซ์อิเล็กตรอน เป็นรัฐสุดท้าย participator เป็นผู้นี้ กระบวนการจะเทียบได้กับกระบวนการ photoemission โดยตรง และเป็นกลไกทั้งสองอาจเกิดขึ้น concurently ในการกระตุ้น participator เป็นผู้จะเรียกว่า photoemission คง
จำนวนอิเล็กตรอนรองสร้างขึ้นเป็นผลโดยตรงที่สัดส่วนการ absortion x-ay ข้ามส่วน [3] ในพื้นผิวของผลึก อิเล็กตรอนเหล่านี้รับกระบวนการหลาย scattering มีอิเล็กตรอนอื่น ๆ (Fig. 1(b)) ให้คูณเลขของพวกเขาในขณะที่พลังงานของเฉลี่ยจะลดลง ดังนั้น จากชั้นอะตอมใกล้พื้นผิวได้ถึง 50 Å photolectrons พลังงานต่ำลึกปล่อยออกมา สำหรับการกำหนดเมตรสัมประสิทธิ์การดูดซึมขึ้นอยู่กับโฟตอนเทคนิคสองพลังงานเป็นไปได้ การตรวจพบรวมทั้งหมด emitted อิเล็กตรอน (อิเล็กตรอนรวมผลตอบแทน) เป็นการตรวจพบอิเล็กตรอนของงานคงพลังงาน (ผลผลิตอิเล็กตรอนบางส่วน) เป็นฟังก์ชันของ hn จะนำไปสู่โครงสร้างเทียบเท่าในแรมสเป็คตรา [4] .
XANES ทดลองทั่วไปวัดความเข้ม photoelectron สำหรับพลังงานเราเริ่มต้นจากขอบดูดซึม til 50 eV เกินขอบพลังงาน [5] แม้ว่าโฟตอนพลังงานต่ำกว่าขีดจำกัดการ ionization อนุญาตเปลี่ยนอิเล็กทรอนิกส์ในวง elctronic วางหมากหรือโมเลกุล orbitals ลักษณะสเปกตรัมไม่ตรงเกี่ยวข้องกับความหนาแน่นเดินของอเมริกา (UDOS) [6], ซึ่งสามารถพิสูจน์ได้ ด้วยก photoemission ผกผัน โดยเฉพาะ ระบบโมเลกุล p กลวง [7] แสดงการโต้ตอบ excitonic แข็งแรงระหว่างอิเล็กตรอนหลักและหลุม เพื่อให้ช่วงการเปลี่ยนภาพที่แสดงตำแหน่งถูกเลื่อนมีพลังในการดูดซึมแรมสเป็คตรา [8] ในกรณีที่การกระจายค่าธรรมเนียม intramolecular งาน เปลี่ยนอิเล็กทรอนิกส์เหมือนกันอาจได้พบเป็นโครงสร้างคู่ถูกเลื่อนเล็กน้อย [9] อย่างไรก็ตาม ดีมีโครงสร้างโมเลกุลดูดซึมแรมสเป็คตราเป็นเครื่องมือที่มีประสิทธิภาพสำหรับ identifaction ของส่วนประกอบทางเคมีแล้วเกิด redox เปลี่ยนแปลง

อ้างอิง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขอ m ขึ้นอยู่กับเลขอะตอมของขนาดกลางและลดลงเมื่อเพิ่มพลังงานโฟตอน HN [ 1 ] อย่างไรก็ตาม โครงสร้างละเอียดขององค์ประกอบนี้ขอบเฉพาะของการดูดซึมโดยได้รับอิทธิพลจากพลังงานของระดับอิเล็กทรอนิกส์เฉย มันเป็นภาพในรูปที่ 1 ( a ) เฉพาะพลังงานโฟตอนที่เพียงพอจะช่วยให้ photoexcitation ของระดับแกนอิเล็กตรอนเกินระดับสูญญากาศ อพยพด่วนหลังจาก 10 × 15-30 วินาที [ 2 ] ประจุอะตอมอาจผ่อนคลายโดยอาชีพหลักของหลุมกับอิเล็กตรอนจากเวเลนซ์แบนด์ ( VB ) ในขณะที่สร้างพลังงานโดยปกติจะไม่สามารถใช้เพื่อเพิ่มของ flourescence โฟตอน ( ความน่าจะเป็น 1 % ) แต่จะถูกดูดซึมในสูญญากาศไอเสียเป็นสว่านอิเล็กตรอน ( ความน่าจะเป็น 99% ) จาก 2 วงในกรณีที่มีไม่เพียงพอสำหรับการปล่อยพลังงานของอิเล็กตรอนหลัก มันอาจจะตื่นเต้น เป็นนำวงดนตรี ( CB ) ระดับ ดังนั้นกระบวนการที่ผ่อนคลาย คล้ายจะเป็นไปได้ นี้ชมกระบวนการแล้วผลลัพธ์ในการปล่อยเพียงหนึ่งสว่านอิเล็กตรอน .
หรือหลุมหลักอาจจะ reoccupied โดยระดับแกนอิเล็กตรอนนั่นเองให้พลังงานกระตุ้นเป็นสุดท้ายที่ใช้สำหรับการปล่อยของเวเลนซ์อิเล็กตรอน เป็นรัฐสุดท้ายของกระบวนการและนี้เปรียบได้กับกระบวนการด้านโดยตรง และเป็นกลไกที่อาจเกิดขึ้น concurently , ผู้มีส่วนกระตุ้นเรียกว่าจังหวะด้าน
.จำนวนสร้างอิเล็กตรอนทุติยภูมิจึงเป็นสัดส่วนโดยตรงกับส่วน x-ay absortion ข้าม [ 3 ] ในทางของพวกเขาไปยังพื้นผิวคริสตัลอิเล็กตรอนเหล่านี้ผ่านหลายกระบวนการกระจายอิเล็กตรอนอื่น ๆ ( รูปที่ 1 ( B ) เพื่อให้ตัวเลขของพวกเขามากขึ้น ในขณะที่พวกเขาเฉลี่ยพลังงานจะลดลง จากนั้นจากอะตอมชั้นใกล้ผิวลึกถึง 50 •ใช้ photolectrons จะปล่อยออกมา การหาค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนพลังงานโฟตอน m ขึ้นอยู่กับสองเทคนิคที่เป็นไปได้บูรณาการการปล่อยอิเล็กตรอน ( Electron รวมผลผลิตทั้งหมด ) เช่นเดียวกับการเลือกของอิเล็กตรอนได้รับพลังงาน ( ผลผลิตอิเล็กตรอนบางส่วน ) เป็นฟังก์ชันของ HN จะนำโครงสร้างที่เทียบเท่าในสเปกตรัม [ 4 ] .
ปกติ xanes ทดสอบวัดความเข้มของแสง photoelectron ตั้งแต่ขอบการดูดกลืนพลังงานถึง 50 EV พลังงานเกินขอบ [ 5 ]แม้ว่าโฟตอนพลังงานไอออไนเซชันเกณฑ์อนุญาตให้เปลี่ยนด้านล่างเป็นแถบอิเล็กทรอนิกส์ elctronic เฉย หรือ ออร์บิทัลเชิงโมเลกุล คุณลักษณะสเปกตรัมจะไม่ได้เกี่ยวข้องโดยตรงกับความหนาแน่นของมหาวิทยาลัยของรัฐ ( udos ) [ 6 ] ซึ่งสามารถตรวจสอบสเปกโทรสโกปีด้านตรงกันข้าม โดยเฉพาะอย่างยิ่งp-conjugated ระบบโมเลกุล [ 7 ] มีแข็งแรง excitonic ปฏิสัมพันธ์ระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมหลัก เพื่อให้เปลี่ยนให้เปลี่ยนตำแหน่งมีพลังในการดูดกลืนรังสี [ 8 ] ในกรณีที่มีการเปลี่ยนแปลงค่าธรรมเนียม inhomogeneous intramolecular อิเล็กทรอนิกส์เดียวกันอาจจะพบเป็นเล็กน้อยเปลี่ยนคู่โครงสร้าง [ 9 ]อย่างไรก็ตาม โครงสร้างดี โมเลกุลการดูดกลืนรังสีเป็นเครื่องมือที่มีประสิทธิภาพสำหรับ identifaction และการเปลี่ยนแปลงองค์ประกอบทางเคมีไฟฟ้า


อ้างอิง