have a built-in drift field, causin

have a built-in drift field, causing electrons and
holes to flow in opposite directions across the
junction. This generates an external current that
is typically 1000x higher than the beam current.
This substantial charge multiplication effect is the
basis for the EBIC technique.
Sensing of the EBIC current is done using an
external current amplifier whose output when
mixed with regular secondary electron signal
produces an image. This image provides
qualitative assessment of subsurface electrical
and physical properties within the semiconductor
with the resolution of secondary electron imaging.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีฟิลด์ดริฟท์ในตัว ทำให้เกิดอิเล็กตรอน และหลุมไหลในทิศทางตรงกันข้ามทั้งนี้เชื่อมต่อ นี้สร้างกระแสการภายนอกที่โดยทั่วไปคือ 1000 x สูงกว่าคานปัจจุบันผลคูณค่าที่พบนี้คือการพื้นฐานเทคนิค EBICตรวจของในปัจจุบัน EBIC เสร็จใช้การปัจจุบันขยายภายนอกที่มีผลเมื่อผสมกับสัญญาณปกติสองอิเล็กตรอนสร้างภาพ รูปนี้ให้เชิงคุณภาพประเมิน subsurface ไฟฟ้าและคุณสมบัติทางกายภาพภายในสารกึ่งตัวนำที่ความละเอียดของภาพอิเล็กตรอนรอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีสนามดริฟท์ในตัวให้อิเล็กตรอนและหลุมไหลในทิศทางตรงข้าม

ข้ามแยก นี้จะสร้างกระแสภายนอกที่
มักจะ 1000x สูงกว่าคานปัจจุบัน คูณผล คือค่าใช้จ่ายนี้มาก

เทคนิคพื้นฐานสำหรับ ebic .
สัมผัสกระแส ebic เสร็จแล้วใช้เครื่องขยายเสียงที่มีผลผลิตเมื่อภายนอกปัจจุบัน

ผสมกับสัญญาณอิเล็กตรอนทุติยภูมิปกติ
สร้างภาพ ภาพนี้มีการประเมินคุณภาพของน้ำใต้ดินไฟฟ้า

และคุณสมบัติทางกายภาพภายในสารกึ่งตัวนำ
ที่มีความละเอียดของภาพอิเล็กตรอนทุติยภูมิ