1. Introduction Compared with the c

1. Introduction Compared with the conventional polyimide, the photosensitive polyimide(PSPI) has some competitive advantages in application in the field of microelectronics, These advantages include ing the fabrication of the insulating interlayer and retaining the properties of the conventional polyimide 111.Several kinds of I based on o. B-unsaturated carbonyl, benzophenone, thioxanthone, and cinnamate have been prepared. Among them, the o, B-un saturated carbonyl and its derivatives have well been studied for the synthesis of PSPI thanks to their high sensitivity to Uv irra diation(1-300-360 nm) [2]. Although PSPls may basically meet the demands of microelectronic industry, it is still attracted at tention for developing new type advanced PSPls with improving the mechanical properties and dimensional stability, as well as lowering dielectric constant and dielectric loss 13]. As one of the materials, graphene oxide(Go) has the tential for functionalization, and its functional products are often used in polymer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1. แนะนำเปรียบเทียบกับ polyimide ธรรมดา photosensitive polyimide(PSPI) ได้เปรียบในการแข่งขันบางอย่างในแอพลิเคชันในฟิลด์ของไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ข้อดีเหล่านี้มีกำลังการผลิตของ interlayer ฉนวนรักษาคุณสมบัติของ 111. polyimide ทั่วไปหลายชนิดผมตาม B-ในระดับที่สมโอ carbonyl, benzophenone, thioxanthone และ cinnamate ได้ถูกเตรียมไว้ ในหมู่พวกเขา o, B-สหประชาชาติที่อิ่มตัว carbonyl และอนุพันธ์มีดีการศึกษาสังเคราะห์ของ PSPI ด้วยความไวสูงของพวกเขากับ Uv irra diation (1-300-360 nm) [2] แม้ว่า PSPls โดยทั่วไปอาจตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรม microelectronic ได้ยังดูดที่ tention สำหรับการพัฒนาขั้นสูง PSPls ด้วยการปรับปรุงคุณสมบัติทางกลและการคงรูปร่าง ลด dielectric ค่าคงและเป็นฉนวนสูญหาย 13 ชนิดใหม่] เป็นหนึ่งในวัสดุ graphene oxide(Go) มี tential สำหรับ functionalization และผลิตภัณฑ์ทำงานมักใช้ในพอลิเมอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1. บทนำเมื่อเทียบกับ ธ เธเธฃธรรมดา ธ เธเธฃแสง (PSPI) มีเปรียบในการแข่งขันในการประยุกต์ใช้ในด้านไมโครอิเล็กทรอนิกส์ข้อดีเหล่านี้รวมถึงการผลิตไอเอ็นจีของ interlayer ฉนวนและรักษาคุณสมบัติของ ธ​​ เธเธฃธรรมดา 111.Several ชนิดของ ผมอยู่บนพื้นฐานของ o คาร์บอนิล B-ไม่อิ่มตัว benzophenone, thioxanthone และ cinnamate ได้จัดทำขึ้น ในหมู่พวกเขา o ที่ B-ยกเลิกอิ่มตัวคาร์บอนิลและสัญญาซื้อขายล่วงหน้าที่ได้รับการศึกษาที่ดีสำหรับการสังเคราะห์ PSPI ขอบคุณความไวสูงของพวกเขาเพื่อ Uv irra diation (1-300-360 นาโนเมตร) [2] แม้ว่าโดยทั่วไป PSPls อาจตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์ก็จะยังคงอยู่ที่ดึงดูด tention ในการพัฒนารูปแบบใหม่ PSPls ขั้นสูงที่มีการปรับปรุงสมบัติทางกลและความมั่นคงมิติเช่นเดียวกับการลดอิเล็กทริกคงที่และการสูญเสียอิเล็กทริก 13] ในฐานะที่เป็นหนึ่งในวัสดุที่กราฟีนออกไซด์ (ไป) มี tential สำหรับหมู่ฟังก์ชันและการทำงานของผลิตภัณฑ์ที่มักจะใช้ในลิเมอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 . เมื่อเทียบกับเกี่ยวกับ polyimide ปกติ แสง polyimide ( pspi ) มีข้อได้เปรียบในการแข่งขันในการประยุกต์ใช้ในสาขาไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ข้อได้เปรียบเหล่านี้รวมถึงไอเอ็นจีสร้างชั้นฉนวนและการรักษาคุณสมบัติของปกติ polyimide 111 . หลายชนิดของผมตาม o . b-unsaturated คาร์บอนิลเบนโซฟีโนน thioxanthone , , ,และ ซินนาเมทได้ถูกเตรียมไว้ ในหมู่พวกเขา , O , b-un อิ่มตัวคาร์บอนิลและอนุพันธ์ มีทั้งได้ศึกษาการสังเคราะห์ pspi ขอบคุณความไวสูงของพวกเขา diation irra UV ( 1-300-360 nm ) [ 2 ] แม้ว่า pspls อาจจะตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรม microelectronic ,มันยังคงดึงดูดที่ความตึงเพื่อพัฒนา pspls ขั้นสูงชนิดใหม่ที่มีการปรับปรุงคุณสมบัติทางกลและความมั่นคงมิติ รวมทั้งลดการสูญเสียไดอิเล็กทริกและคงที่ไดอิเล็กทริก 13 ] เป็นหนึ่งในวัสดุ แกรฟีนออกไซด์ ( ไป ) มี tential สำหรับ functionalization และตนผลิตภัณฑ์การทำงานมักจะใช้ในพอลิเมอร์