Part 1: TTL NAND simple DC Characteristics1.The logic values of ‘1’ an การแปล - Part 1: TTL NAND simple DC Characteristics1.The logic values of ‘1’ an ไทย วิธีการพูด

Part 1: TTL NAND simple DC Characte

Part 1: TTL NAND simple DC Characteristics
1.The logic values of ‘1’ and ‘0’ are represented by voltage levels in the hardware implementation. The voltage levels and other electr
ical characteristics are not standardized from one logic family to another. CPE
224 will use both TTL(Transistor-Transistor Logic) and CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) logic. The voltage ranges for the
two logic families are different.
2.In this experiment, you will first simulate and measure the electrical characteristics of
a TTL NAND gate using the circuit in Figure 1. Build this circuit using 2N2222transistors.
Set VCC= 5V. D1,D2, and D3 are 1N4001 diodes.
3.Build the test circuit in Figure 1(b) using the NAND gate in Figure 1(a)
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
ส่วนที่ 1: TTL NAND เรื่อง DC ลักษณะ1.ค่าลอจิก '1' และ '0' จะแสดง โดยใช้ระดับแรงดันใช้งานฮาร์ดแวร์ ระดับแรงดันไฟฟ้าและอื่น ๆ electrไม่ลักษณะ ical เป็นมาตรฐานจากตรรกะครอบครัวอื่น CPE224 จะใช้ TTL ทั้ง (ตรรกะทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์) และตรรกะ CMOS (ทรานซิสเตอร์คู่ประกอบชนิดโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำ) ช่วงแรงดันไฟฟ้าสำหรับการตรรกะสองครอบครัวแตกต่างกัน2.ในการทดลองนี้ คุณจะต้องจำลอง และวัดลักษณะของไฟฟ้าเกต TTL NAND ใช้วงจรในรูปที่ 1 สร้างวงจรนี้ใช้ 2N2222transistors ตั้งค่า VCC = 5 v ง 1, D2 และดี 3 เป็นไดโอด 1N4001 ได้3.สร้างวงจรทดสอบในรูป 1(b) ที่ใช้เกต NAND ในรูป 1(a)
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
ส่วนที่ 1: TTL NAND ง่ายลักษณะ DC
ค่าตรรกะ 1. ของ '1' และ '0' โดยมีตัวแทนระดับแรงดันไฟฟ้าในการใช้ฮาร์ดแวร์ ระดับแรงดันไฟฟ้าและอื่น ๆ ไฟฟ้า
ลักษณะ iCal ไม่ได้มาตรฐานจากครอบครัวตรรกะหนึ่งไปยังอีก CPE
224 จะใช้ทั้ง TTL (ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ลอจิก) และ CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor-) ตรรกะ แรงดันไฟฟ้าช่วงสำหรับ
ทั้งสองครอบครัวตรรกะที่แตกต่างกัน.
2.In ทดลองนี้คุณจะจำลองและวัดคุณสมบัติทางไฟฟ้าของ
ประตู NAND TTL โดยใช้วงจรในรูปที่ 1 การสร้างวงจรนี้ใช้ 2N2222transistors.
ชุด VCC = 5V D1, D2, D3 และมีไดโอด 1N4001.
3.Build ทดสอบวงจรในรูปที่ 1 (ข) โดยใช้ประตู NAND ในรูปที่ 1 (ก)
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
ส่วนที่ 1 เป็นลักษณะตรรกะและง่าย
DC ความคุณค่าของ ' 1 ' และ ' 0 ' แทนด้วยระดับแรงดันในการใช้งานฮาร์ดแวร์ แรงดันไฟฟ้าและระดับอื่น ๆไฟฟ้า
iCal ลักษณะไม่ได้มาตรฐานจากตรรกะครอบครัวไปอีก CPE
224 จะใช้ทั้ง TTL ( ทรานซิสเตอร์ทรานซิสเตอร์ตรรกะ ) และ CMOS ( แบบสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ ) ตรรกะ แรงดันไฟฟ้าช่วง
สองครอบครัวตรรกะที่แตกต่างกัน .
๒ . ในการทดลองนี้ , คุณจะแรกจำลองและวัดทางไฟฟ้าของ
เป็น TTL และประตูใช้ วงจรในรูปที่ 1 สร้างวงจรนี้ใช้ 2n2222transistors .
ชุด VCC = 5V . D1 , D2 และ D3 มี 1n4001 ไดโอด .
3.build ทดสอบวงจรในรูปที่ 1 ( B ) การใช้ประตูในรูป 1 ( a ) และ
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: