Commercially available ready-to-pre

Commercially available ready-to-press a-SiC powder (C-siC) for liquid-phase sintering with appropriate amounts. The main characteristics of T-SiC and C-SiC powder are reported in Table 1. Discs of both T-SiC and C-SiC with diameter of 40 mm and thickness of 3 mm were prepared by uniaxial pressing at 100 MPa followed by cold isostatic pressing at 200 MPa. Sintering was performed in a graphite resistance high temperature furnace in flowing aegon at 1 atm. Sintering for T-SiC was conducted at 1925 C for 0.5 h, while for C-SiC was done at 1930 C for 1 h. Both sintering processes were condcted without sintering bed.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จำหน่ายพร้อมกับกดที่ฉบับที่ผง (ฉบับ C) สำหรับเฟสของของเหลวที่เผา ด้วยจำนวนที่เหมาะสม ลักษณะหลักของซิก T และ C ฉบับผงมีรายงานในตารางที่ 1 จัดทำแผ่น T ฉบับและฉบับที่ C มีเส้นผ่านศูนย์กลาง 40 มม.และความหนา 3 มม. โดยกดแบบที่ 100 MPa ตาม ด้วยเย็น isostatic กด 200 MPa ขึ้น Sintering ทำในเตาเผาอุณหภูมิสูงความต้านทานไฟท์ในสถาบันไหลที่ 1 หลาย Sintering สำหรับซิก T ถูกดำเนินการที่ 1925 C สำหรับ 0.5 h ในขณะที่สำหรับฉบับที่ C ทำ 1930 c เป็นเวลา 1 ชั่วโมง กระบวนการทั้งสองเผาถูก condcted โดยไม่ต้องเผาเตียง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ใช้ได้ในเชิงพาณิชย์พร้อมต่อการกด A-SiC ผง (C-SIC) สำหรับการเผาของเหลวเฟสที่มีจำนวนที่เหมาะสม ลักษณะสำคัญของ T-SiC และผง C-SiC จะมีการรายงานในตารางที่ 1 แผ่นทั้ง T-SiC และ C-SiC ที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 40 มิลลิเมตรและความหนา 3 มมถูกจัดทำขึ้นโดยมีแกนเดียวกดที่ 100 MPa ตาม isostatic เย็น กดที่ 200 MPa ได้ดำเนินการเผาในเตาเผาต้านทานอุณหภูมิสูงกราไฟท์ในไหล AEGON วันที่ 1 ATM เผาสำหรับ t-SiC ได้ดำเนินการที่ 1,925 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 0.5 ชั่​​วโมงในขณะที่สำหรับ C-SiC ถูกทำที่ 1,930 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง ทั้งกระบวนการเผาถูก condcted โดยไม่ต้องเผาเตียง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พร้อมใช้งานในเชิงพาณิชย์พร้อมที่จะกดผงฟิล์มบางอะมอร์ฟัส ( c-sic ) สำหรับการผลิต การเผา ด้วยปริมาณที่เหมาะสม คุณลักษณะหลักของ t-sic และผง c-sic จะมีการรายงานในตารางที่ 1 แผ่นทั้ง t-sic c-sic และขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 40 มิลลิเมตรและความหนา 3 มิลลิเมตร เตรียมรับแรงบีบที่ 100 MPa ตามเย็น isostatic กดที่ 200 MPa แสดงในการต้านทานอุณหภูมิสูง เตาในไฟท์ไหลเอย์กอน 1 atm เผาสำหรับ t-sic ดำเนินการที่ 1925 เป็นเวลา 0.5 ชั่วโมง ขณะที่ c-sic าที่ 1930 องศาเซลเซียสนาน 1 ชั่วโมง ทั้งเผา กระบวนการ condcted ไม่มีเตียงเผาซินเทอร์