As was mentioned earlier in this to

As was mentioned earlier in this topic, microelectronic devices are produced on a substrate. This substrate will be of either insulator or semiconductor material, depending on the type of device. Film and hybrid ICs are normally constructed on a glass or ceramic substrate. Ceramic is usually the preferred material because of its durability.

Substrates used in monolithic ICs are of semiconductor material, usually silicon. In this type of IC, the substrate can be an active part of the IC. Glass or ceramic substrates are used only to provide support for the components.

Semiconductor substrates are produced by ARTIFICIALLY GROWING cylindrical CRYSTALS of pure silicon or germanium. Crystals are "grown" on a SEED CRYSTAL from molten material by slowly lifting and cooling the material repeatedly. This process takes place under rigidly controlled atmospheric and temperature conditions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังได้กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ในหัวข้อนี้ มีผลิตอุปกรณ์ microelectronic บนพื้นผิว พื้นผิวนี้จะเป็นสารกึ่งตัวนำหรือฉนวนวัสดุ ขึ้นอยู่กับชนิดของอุปกรณ์ ฟิล์มและ hybrid ICs จะขึ้นตามปกติบนกระจกหรือพื้นผิวเซรามิก เซรามิกมักจะเป็นวัสดุที่ต้อง เพราะความทนทานของมัน พื้นผิวที่ใช้ในเสาหิน ICs เป็นวัสดุสารกึ่งตัวนำ ซิลิโคนมักจะ แบบ IC พื้นผิวสามารถเป็นส่วนหนึ่งของ IC กระจกหรือพื้นผิวเซรามิกจะใช้เพื่อให้การสนับสนุนสำหรับคอมโพเนนต์เท่านั้นพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำจะผลิต โดยเทียมเติบโตทรงกระบอกผลึกของซิลิคอนบริสุทธิ์หรือเจอร์เมเนียม ผลึก "ปลูก" บนเมล็ดผลึกจากวัสดุที่หลอมละลาย โดยค่อย ๆ ยก และระบายความร้อนวัสดุซ้ำ ๆ กระบวนการนี้จะเกิดภายใต้ rigidly ควบคุมบรรยากาศ และอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็นที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้ในหัวข้อนี้อุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีการผลิตในสารตั้งต้น พื้นผิวนี้จะเป็นอย่างใดอย่างหนึ่งของฉนวนกันความร้อนหรือวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ขึ้นอยู่กับชนิดของอุปกรณ์ ภาพยนตร์และไฮบริดของวงจรรวมถูกสร้างขึ้นตามปกติในแก้วหรือพื้นผิวเซรามิก เซรามิกโดยปกติจะเป็นวัสดุที่ต้องการเพราะความทนทานของมัน.

วัสดุพื้นผิวที่ใช้ในวงจรรวมการเป็นเสาหินของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์, มักซิลิกอน ในประเภทของ IC นี้พื้นผิวสามารถเป็นส่วนหนึ่งที่ใช้งานของไอซี แก้วเซรามิกหรือพื้นผิวที่ถูกนำมาใช้เพียงเพื่อที่จะให้การสนับสนุนสำหรับส่วนประกอบ.

พื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์มีการผลิตโดยเทียมปลูกผลึกรูปทรงกระบอกซิลิคอนบริสุทธิ์หรือเจอร์เมเนียม ผลึก "เติบโต" ในคริสตัล SEED จากวัสดุหลอมเหลวโดยค่อย ๆ ยกระบายความร้อนและวัสดุที่ซ้ำแล้วซ้ำอีก กระบวนการนี้เกิดขึ้นภายใต้การควบคุมอย่างเหนียวแน่นสภาพบรรยากาศและอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้ในหัวข้อนี้อุปกรณ์ microelectronic ผลิตบนพื้นผิว แผ่นนี้จะเป็นทั้งฉนวนหรือวัสดุสารกึ่งตัวนำขึ้นอยู่กับชนิดของอุปกรณ์ ภาพยนตร์และไอซีไฮบริดเป็นปกติสร้างขึ้นบนกระจกหรือพื้นผิวเซรามิก เซรามิคเป็นวัสดุที่ต้องการเนื่องจากความทนทานของมันพื้นผิวที่ใช้ในแผง IC ของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์มักจะซิลิคอน ในของไอซีประเภทนี้ พื้นผิวสามารถเป็นส่วนหนึ่งที่ใช้งานของ IC กระจกหรือพื้นผิวเซรามิกจะใช้เฉพาะเพื่อให้การสนับสนุนสำหรับคอมโพเนนต์พื้นผิวสารกึ่งตัวนำ มีการผลิตโดยตั้งใจปลูกผลึกซิลิคอนเจอร์เมเนียมบริสุทธิ์ทรงกระบอกหรือ . ผลึก " โต " ในคริสตัลเม็ดจากวัสดุหลอมเหลวโดยค่อยๆ ยก และเย็นวัสดุซ้ำแล้วซ้ำอีก กระบวนการนี้จะเกิดขึ้นภายใต้บรรยากาศควบคุมอุณหภูมิ rigidly และเงื่อนไข