METAL-oxIDE-SEMICONDUCTOR FET (MosF

METAL-oxIDE-SEMICONDUCTOR FET (MosFET) The principal difference between a metal-oxide-semiconductor FET (MOSFET) and a JFET is that the gate region is physically isolated from the channel region by means of a thin layer of silicon dioxide, eliminating the possibility of a gate current even with a forward biased gate-source junction. For this reason the MOSFET is also referred to as the insulated gate FET or IGFET. There are two types of Ts: the depletion-type (D-Mos) and the enhancement-type (E-MOS)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

FET โลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ (MosFET) ความแตกต่างหลักระหว่าง FET โลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ (MOSFET) แบบ JFET ที่คือภูมิภาคประตูเชิงภูมิภาคช่องด้วยชั้นบางของซิลิคอนไดออกไซด์ ขจัดความเป็นไปได้ของประตูที่ปัจจุบันแม้จะ มีทางแยกประตูแหล่งลำเอียงไปข้างหน้า เหตุผลนี้ MOSFET จะยังเรียกว่าประตูฉนวน FET หรือ IGFET มีสองประเภทของ Ts: ชนิดเพิ่มประสิทธิภาพ (E-MOS) และชนิดสูญเสีย (D-Mos)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ FET (MOSFET) แตกต่างที่สำคัญระหว่าง FET โลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ (MOSFET) และเจเฟตเป็นว่าภูมิภาคประตูเป็นทางร่างกายที่แยกจากภูมิภาคช่องทางโดยวิธีการของชั้นบางของซิลิกอนไดออกไซด์กำจัด เป็นไปได้ของประตูในปัจจุบันแม้จะมีไปข้างหน้าลำเอียงแยกประตูแหล่งที่มา ด้วยเหตุนี้ MOSFET ยังเรียกว่า FET ประตูฉนวนหรือ IGFET มีสองประเภทของ Ts คือ: พร่องชนิด (D-Mos) และการเพิ่มประสิทธิภาพประเภท (E-MOS)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เฟตสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ ( MOSFET ) ข้อแตกต่างระหว่างสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ FET ( MOSFET ) และ jfet คือประตูเขตเป็นทางร่างกายแยกจากสถานีภูมิภาคโดยวิธีการของชั้นบางของซิลิคอนไดออกไซด์ , การขจัดความเป็นไปได้ของประตูปัจจุบันแม้จะมีลำเอียงไปข้างหน้าประตูแหล่งชุมทาง ด้วยเหตุนี้ MOSFET ยังเรียกว่าฉนวนประตูเฟต หรือ igfet . มีสองประเภทของ TS : ประเภทการ ( d-mos ) และการเพิ่มประเภท ( e-mos )