A Gunn diode, also known as a trans

A Gunn diode, also known as a transferred electron device (TED), is a form of diode, a two-terminal passive semiconductor electronic component, with negative resistance, used in high-frequency electronics. It is based on the "Gunn effect" discovered in 1962 by physicist J. B. Gunn. Its largest use is in electronic oscillators to generate microwaves, in applications such as radar speed guns and microwave relay data link transmitters.

Its internal construction is unlike other diodes in that it consists only of N-doped semiconductor material, whereas most diodes consist of both P and N-doped regions. It therefore does not conduct in only one direction and cannot rectify alternating current like other diodes, which is why some sources do not use the term diode but prefer TED. In the Gunn diode, three regions exist: two of those are heavily N-doped on each terminal, with a thin layer of lightly n-doped material between. When a voltage is applied to the device, the electrical gradient will be largest across the thin middle layer. If the voltage is increased, the current through the layer will first increase, but eventually, at higher field values, the conductive properties of the middle layer are altered, increasing its resistivity, and causing the current to fall. This means a Gunn diode has a region of negative differential resistance in its current-voltage characteristic curve, in which an increase of applied voltage, causes a decrease in current. This property allows it to amplify, functioning as a radio frequency amplifier, or to become unstable and oscillate when it is biased with a DC voltage.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นไดโอดกัน เรียกว่าอุปกรณ์ถ่ายโอนอิเล็กตรอน (TED), เป็นรูปแบบของไดโอด การเทอร์มินัล 2 แฝงกึ่งอิเล็กทรอนิกส์ มีความต้านทานเชิงลบ ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง ตั้งอยู่บน "กัน"มีการค้นพบในปี 1962 โดยนักฟิสิกส์ J. B. กัน มีใช้ที่ใหญ่ที่สุดในอิเล็กทรอนิกส์ออสซิลเลเตอร์สร้างไมโครเวฟ ในการใช้งานเช่นปืนเร็วเรดาร์ และไมโครเวฟเครื่องส่งถ่ายทอดข้อมูลเชื่อมโยงการก่อสร้างภายในนั้นแตกต่างจากไดโอดอื่น ๆ เฉพาะของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่เจือ N ในขณะที่ไดโอดส่วนใหญ่ประกอบด้วยภูมิภาคที่เจือ N และ P มันจึงไม่ดำเนินการในทิศทางเดียวเท่านั้น และไม่สามารถแก้ไขกระแสสลับเช่นไดโอดอื่น ๆ ซึ่งเป็นเหตุผลที่บางแหล่งใช้ไดโอดระยะ แต่ต้อง TED ไดโอดกัน มีอยู่สามบริเวณ: สองคนคือหนักที่เจือ N ในแต่ละท่า ชั้นบาง ๆ ด้วยกับวัสดุที่เจือ n เบา ๆ ระหว่าง เมื่อแรงดันไฟฟ้ากับอุปกรณ์ การไล่ระดับสีไฟฟ้าจะเป็นใหญ่ที่สุดในชั้นกลางบาง หากแรงดันสูง กระแสผ่านชั้นที่จะเพิ่มขึ้นครั้งแรก แต่ในที่สุด ที่สูงค่าฟิลด์ คุณสมบัตินำของชั้นกลางที่มีการเปลี่ยน แปลง เพิ่มความต้านทานของมัน และก่อให้เกิดกระแสตก ซึ่งหมายความว่า มีไดโอดกันมีภูมิภาคการลบแตกต่างกันในปัจจุบันแรงดันไฟฟ้าลักษณะโค้ง การเพิ่มขึ้นของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ ทำให้เกิดการลดลงในปัจจุบัน คุณสมบัตินี้ช่วยให้การขยาย ทำงาน เป็นตัว ขยายความถี่วิทยุ หรือการเสถียร และ oscillate เมื่อมันจะลำเอียงกับแรงดันไฟฟ้า DC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไดโอดกันน์ยังเป็นที่รู้จักเป็นอุปกรณ์การถ่ายโอนอิเล็กตรอน (TED) เป็นรูปแบบของไดโอดสารกึ่งตัวนำเรื่อย ๆ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์สองขั้วที่มีความต้านทานเชิงลบที่ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง มันขึ้นอยู่กับว่า "กันน์ผล" การค้นพบในปี 1962 โดยนักฟิสิกส์ JB กันน์ การใช้งานที่ใหญ่ที่สุดอยู่ใน oscillators อิเล็กทรอนิกส์เพื่อสร้างไมโครเวฟในการใช้งานเช่นปืนความเร็วเรดาร์และไมโครเวฟถ่ายทอดส่งสัญญาณเชื่อมโยงข้อมูล. ก่อสร้างภายในของมันคือไม่เหมือนไดโอดอื่น ๆ ในการที่จะประกอบด้วยเฉพาะของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ N-เจือในขณะที่ไดโอดส่วนใหญ่ประกอบด้วยของทั้งสอง P และภูมิภาค N-เจือ ดังนั้นจึงไม่ได้ดำเนินการในทิศทางเดียวเท่านั้นและไม่สามารถแก้ไขกระแสสลับเช่นไดโอดอื่น ๆ ซึ่งเป็นเหตุผลที่บางแหล่งข่าวไม่ได้ใช้ไดโอดระยะ แต่ชอบ TED ในไดโอดกันน์สามภูมิภาคอยู่: สองของผู้ที่จะได้รับอย่างหนัก N-เจือในแต่ละขั้วด้วยชั้นบางของวัสดุที่เบา ๆ N-เจือระหว่าง เมื่อมีการใช้ไฟฟ้าไปยังอุปกรณ์ไฟฟ้าการไล่ระดับสีจะใหญ่ที่สุดในชั้นกลางบาง ถ้าแรงดันที่เพิ่มขึ้นในปัจจุบันผ่านชั้นแรกจะเพิ่มขึ้น แต่ในท้ายที่สุดที่ค่าของเขตข้อมูลที่สูงขึ้นคุณสมบัตินำไฟฟ้าของชั้นกลางมีการเปลี่ยนแปลงเพิ่มขึ้นความต้านทานของตนและก่อให้เกิดกระแสจะตก ซึ่งหมายความว่าไดโอดกันน์มีพื้นที่ของความต้านทานค่าลบในปัจจุบันแรงดันเส้นโค้งลักษณะของมันซึ่งในการเพิ่มขึ้นของแรงดันไฟฟ้าทำให้เกิดการลดลงในปัจจุบันเป็น คุณสมบัตินี้ช่วยให้สามารถขยายการทำงานเป็นเครื่องขยายเสียงคลื่นความถี่วิทยุหรือจะกลายเป็นไม่แน่นอนและสั่นเมื่อมีการลำเอียงกับแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กันน์ไดโอด , ที่รู้จักกันว่าย้ายอุปกรณ์อิเลคตรอน ( เท็ด ) เป็นรูปแบบของไดโอด สองขั้วเรื่อยๆเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์องค์ประกอบที่มีความต้านทานเชิงลบที่ใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง มันขึ้นอยู่กับ " กันน์ผล " การค้นพบในปี ค.ศ. 1962 โดยนักฟิสิกส์ เจ บี กันน์ ที่ใหญ่ที่สุดของมันคือ oscillators อิเล็กทรอนิกส์การใช้ไมโครเวฟในการใช้งาน เช่น การตรวจจับความเร็วปืนและเครื่องส่งสัญญาณเชื่อมโยงข้อมูลถ่ายทอดไมโครเวฟการก่อสร้างภายในซึ่งแตกต่างจากอื่น ๆดังนั้นในมันประกอบด้วยเฉพาะของ n-doped วัสดุสารกึ่งตัวนำและไดโอดส่วนใหญ่ประกอบด้วยทั้ง P และ n-doped ภูมิภาค มันจึงไม่ดำเนินการในทิศทางเดียวเท่านั้นและไม่สามารถแก้ไขไฟฟ้ากระแสสลับ เช่น ไดโอด อื่น ๆ , ซึ่งเป็นเหตุผลที่บางแหล่งไม่ใช้คําว่า ไดโอด แต่ชอบเท็ด กันน์ไดโอดใน 3 ภูมิภาคมีอยู่สองที่หนัก n-doped ในแต่ละ Terminal ด้วยชั้นบาง ๆ n-doped วัสดุระหว่าง เมื่อแรงดันที่ใช้กับอุปกรณ์ ไฟฟ้าที่ใหญ่ที่สุดในการจะข้ามชั้นกลางบาง ถ้าแรงดันที่เพิ่มขึ้น ปัจจุบัน ผ่าน ชั้น แรก จะ เพิ่ม แต่ในที่สุด ที่สูงค่าสนาม คุณสมบัติสามารถของชั้นกลางมีการเปลี่ยนแปลงเพิ่มขึ้นของความต้านทาน และก่อให้เกิดกระแสตก นี้หมายความว่า กันน์ไดโอดมีความต้านทานค่าลบในภาคปัจจุบันแรงดันไฟฟ้าลักษณะโค้ง ซึ่งการเพิ่มขึ้นของแรงดันที่ใช้ สาเหตุการลดลงของปัจจุบัน คุณสมบัตินี้ช่วยให้สามารถขยาย , ทํางานเป็น ความถี่ วิทยุ แอมป์ หรือจะกลายเป็นไม่แน่นอนและแกว่งไปมาเมื่อมันลำเอียงด้วยแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง .