The quality factor (Q) of inductors

The quality factor (Q) of inductors on silicon (Si) is limited by the series resistance of the metal at low frequency and by the substrate resistivity at high frequency. Oxide is generally used to isolate the useful signal of the inductor from the lossy substrate. However, stoichiometric silica (SiO2) is processed at a high temperature, which eliminates the possibility of post-CMOS integration. By contrast, plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) amorphous Si can be deposited at a low temperature and is easily integrated with most Si-based processes. Intrinsic amorphous hydrogenated silicon (i-a-Si:H) also displays low conductivity.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปัจจัยที่มีคุณภาพ (Q) ของตัวเหนี่ยวนำซิลิกอน (Si) จะถูก จำกัด โดยความต้านทานชุดของโลหะที่ความถี่ต่ำและสารตั้งต้นต้านทานที่ความถี่สูง ออกไซด์โดยทั่วไปจะใช้ในการแยกสัญญาณที่เป็นประโยชน์ของตัวเหนี่ยวนำจากพื้นผิวสูญเสีย อย่างไรก็ตามซิลิกา stoichiometric (SiO2) มีการประมวลผลที่อุณหภูมิสูงซึ่งจะช่วยลดความเป็นไปได้ของการรวมการโพสต์ CMOSโดยคมชัดพลาสม่าเพิ่มสะสมไอสารเคมี (PECVD) si สัณฐานสามารถฝากที่อุณหภูมิต่ำและสามารถบูรณาการได้อย่างง่ายดายด้วยที่สุดกระบวนการ si ตาม รูปร่างที่แท้จริง hydrogenated ซิลิคอน (IA-si: ชั่วโมง) ยังแสดงนำในระดับต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปัจจัยคุณภาพ (Q) ของประเทศในซิลิคอน (Si) ถูกจำกัด โดยความต้านทานของชุดของโลหะที่ความถี่ต่ำ และความต้านทานพื้นผิวที่ความถี่สูง ออกไซด์โดยทั่วไปใช้แยกสัญญาณของมือจากพื้นผิวที่มีประโยชน์ อย่างไรก็ตาม stoichiometric ซิลิก้า (SiO2) มีการประมวลผลที่อุณหภูมิสูง ซึ่งสามารถโพสต์ CMOS รวมปรับ โดยคมชัด พลาสมาเพิ่มสะสมไอสารเคมี (PECVD) ไปศรีสามารถฝากได้ที่อุณหภูมิต่ำ และได้รวมกับสุดศรีตามกระบวนการ Intrinsic ไป hydrogenated ซิลิคอน (ผม-เป็น-Si:H) ยัง แสดงนำต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คุณภาพ ( Q )ของ inductors ในซิลิคอน( SI )มีจำนวนจำกัดโดยการต่อต้าน Series ของโลหะที่ความถี่ต่ำและโดยสารพิกัดความต้านทานที่ความถี่สูง ออกไซด์จะใช้ในการแยกสัญญาณเป็นประโยชน์ของเครื่องชักนำไฟฟ้าออกจากผิวหน้าซึ่งโดยทั่วไปแล้ว แต่ถึงอย่างไรก็ตาม stoichiometric ซิลิกา( SIO 2 )มีการประมวลผลที่ อุณหภูมิ สูงซึ่งจะช่วยลดโอกาสของการบูรณาการที่ทำการไปรษณีย์ - CMOSในทางตรงกันข้าม Vapor สารเคมีเพิ่มมากขึ้นมีจอพลาสม่า( pecvd )ไม่มีรูปร่างเป็นที่แน่นอนศรีสามารถได้มอบไว้ใน อุณหภูมิ ต่ำและเป็นแบบอินทิเกรตพร้อมด้วยกระบวนการที่ใช้กันมากที่สุดศรี - ใช้ได้อย่างง่ายดาย พิสดารเติมไฮโดรเจนจึงไม่มีรูปร่างเป็นที่แน่นอนซิลิกอน( I - h - ศรี:)ยังจะแสดงการนำต่ำ