The semiconducting properties of Zn

The semiconducting properties of ZnO were very well known [33] well before Matsuokaet al. [34] investigated the non-linear voltage–current characteristic of ZnOdoped with alkali earth metal oxides. It was found that with appropriate amounts(0.5 mol%) of additives having an ionic radius larger than that of Zn+2 (which wouldnot dissolve in the ZnO lattice and would thus form a segregation layer at the ZnO grain boundary), the ceramic exhibits a high coefficient of non-linearity α on its V –I characteristic. Furthermore, it was shown that the new material was exceptionally superior compared with conventionally used SiC varistors [35]. The non-linearity coefficient, α, of early ZnO varistors was in the range 25–50. In contrast, that of SiC varistors was between 2 and 7 [36].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คุณสมบัติตัวของ ZnO มีมากไม่รู้จัก [33] ดีก่อนลักษณะแรงดัน – ปัจจุบันไม่ใช่เชิงเส้นของ ZnOdoped กับด่างออกไซด์โลหะดินสอบสวน Matsuokaet al. [34] พบว่า มีจำนวนที่เหมาะสม (05 โมล%) สารที่มีรัศมีเป็น ionic มากกว่าของ Zn 2 (wouldnot ซึ่งละลายในโครงตาข่ายประกอบ ZnO และจึงจะฟอร์มชั้นแบ่งแยกที่ขอบเม็ด ZnO), เซรามิกจัดแสดงสัมประสิทธิ์สูงของαไม่แบบดอกไม้ใน V ของ – ฉันลักษณะ นอกจากนี้ มันถูกแสดงว่า วัสดุใหม่เหนือล้ำกว่าเมื่อเทียบกับใช้ดี SiC varistors [35] สัมประสิทธิ์ไม่แบบดอกไม้ α varistors ZnO เริ่มต้นอยู่ในช่วง 25 – 50 ในทางตรงกันข้าม SiC varistors ที่มีระหว่าง 2 และ 7 [36]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำซิงค์ออกไซด์เป็นที่รู้จักกันเป็นอย่างดี [33] ดีก่อนที่จะ Matsuokaet อัล [34] การตรวจสอบลักษณะไม่เชิงเส้นแรงดันไฟฟ้าหมุนเวียนของ ZnOdoped กับออกไซด์ของโลหะอัลคาไลโลก พบว่ามีจำนวนที่เหมาะสม (0.5 mol%) ของสารเติมแต่งที่มีรัศมีอิออนขนาดใหญ่กว่าของ Zn + 2 (ซึ่ง wouldnot ละลายในตาข่ายซิงค์ออกไซด์จึงจะเป็นชั้นที่แยกจากกันที่ชายแดนเม็ด ZnO), การจัดแสดงนิทรรศการเซรามิก ค่าสัมประสิทธิ์สูงของαที่ไม่เป็นเชิงเส้นใน V-I ของลักษณะ นอกจากนี้ยังแสดงให้เห็นว่าวัสดุใหม่เป็นพิเศษเหนือกว่าเมื่อเทียบกับสินค้าตามอัตภาพวาริสเตอร์ SiC [35] ค่าสัมประสิทธิ์ที่ไม่เป็นเชิงเส้น, αของวาริสเตอร์ซิงค์ออกไซด์ต้นอยู่ในช่วง 25-50 ในทางตรงกันข้ามที่วาริสเตอร์ SiC ระหว่าง 2 และ 7 [36]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คุณสมบัติกึ่งตัวนำของ ZnO เป็นรู้จักกันดี [ 33 ] ก่อน matsuokaet อัล [ 34 ] ศึกษาและแรงดันแบบปัจจุบันลักษณะของ znodoped กับออกไซด์โลหะแอลคาไลดิน พบว่า มีปริมาณที่เหมาะสม ( 05 โมลเปอร์เซ็นต์ ) ของวัตถุมีรัศมีไอออนมีขนาดใหญ่กว่าของ Zn 2 ( ซึ่ง wouldnot ละลายใน ZnO ขัดแตะและจึงสร้างแยกเลเยอร์ที่ซิงค์ออกไซด์เม็ดขอบเขต ) , เซรามิกจัดแสดงสูงแบบไม่αของวี–ผมลักษณะ นอกจากนี้ พบว่า วัสดุใหม่ที่เหนือกว่ามากเมื่อเทียบกับโดยทั่วไปใช้วาริสเตอร์มี SIC [ 35 ]ไม่เท่ากับαของซิงค์ออกไซด์วาริสเตอร์มีต้นในช่วง 25 – 50 ในทางตรงกันข้าม ของ SIC วาริสเตอร์มีอยู่ระหว่าง 2 และ 7 [ 36 ]