In magnetron sputtering techniques,

In magnetron sputtering techniques, variation of the deposition parameters allows for control of the energy transferredtothe film-forming species enabling the manipulation of the film properties.Among the various ways used to provide energy to the growing film, bombardment by ionized species is widely used.Numerous studies have shown that during the film growth, the plasmafilm interface is affected by the energy of the bombarding
ions, their flux, their nature, and their angle of incidence.These parameters determine the efficiency of themomentum transfer to the film atoms and have been shown to have
implications on the film microstructure as well as on mechanical, optical, and electrical properties.In HiPIMS,highpulsedion fluxes are made available at the substrate. In the next sections the effect of the energetic bombardment during HiPIMS on the growth and the properties of elemental and compound filmsisreviewed.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใน magnetron เทคนิคสปัตเตอร์ รูปแบบของพารามิเตอร์สะสมช่วยให้สำหรับการควบคุมพลังงาน transferredtothe film ขึ้นรูปสายพันธุ์เปิดจัดการคุณสมบัติ filmในวิธีต่าง ๆ ที่ใช้ในการให้พลังงาน film เติบโต อย่างกว้างขวางมีใช้ระดมยิง โดยพันธุ์ ionizedการศึกษาจำนวนมากได้แสดงที่ในระหว่างการเจริญเติบโตของ film ติดต่อ plasmafilm จะมีผลต่อพลังงานของการเคลื่อนลงมา
ประจุ flux ของพวกเขา ธรรมชาติของพวกเขา และอุบัติการณ์ของมุมของพวกเขาพารามิเตอร์เหล่านี้กำหนด efficiency ของ themomentum ส่งอะตอม film และได้รับการแสดงเพื่อให้
ผลกระทบต่อโครงสร้างจุลภาค film พร้อมคุณสมบัติของเครื่องจักรกล แสง และไฟฟ้าใน HiPIMShighpulsedion fluxes จะว่างในพื้นผิว ในส่วนผลของการระดมยิงมีพลังระหว่าง HiPIMS ในการเจริญเติบโตและคุณสมบัติของธาตุ และผสม filmsisreviewed

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในเทคนิคการสปัตเตอร์แมกเปลี่ยนแปลงของพารามิเตอร์การสะสมช่วยให้การควบคุมของ transferredtothe พลังงานก่อฟิล์มชนิดช่วยให้การจัดการของฟิล์ม properties.Among รูปแบบต่างๆที่ใช้ในการให้พลังงานกับภาพยนตร์เติบโตโจมตีโดยสายพันธุ์ที่แตกตัวเป็นไอออนที่ใช้กันอย่างแพร่หลาย การศึกษาหลายชิ้นแสดงให้เห็นว่าในระหว่างการเจริญเติบโตฟิล์มอินเตอร์เฟซ plasmafilm รับผลกระทบจากการใช้พลังงานของแสง
ไอออนไหลของพวกเขาธรรมชาติของพวกเขาและมุมของพารามิเตอร์ incidence.These ตรวจสอบประสิทธิภาพของการถ่ายโอนไปยังอะตอม themomentum ภาพยนตร์เรื่องนี้และได้รับ การแสดงที่มี
ผลกระทบจุลภาคฟิล์มเหมือนกลแสงและไฟฟ้า properties.In HiPIMS, ฟลักซ์ highpulsedion จะทำที่มีอยู่ในสารตั้งต้น ในส่วนถัดไปผลของการโจมตีที่มีพลังในระหว่าง HiPIMS ต่อการเจริญเติบโตและสมบัติของธาตุและสารประกอบ filmsisreviewed

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในรูปแบบของเทคนิคแมกนีตรอนสปัตเตอร์พารามิเตอร์ , การช่วยควบคุมพลังงาน transferredtothe จึงขึ้นรูปชนิด LM ให้จัดการคุณสมบัติ LM จึง ในบรรดาวิธีการต่าง ๆที่ใช้เพื่อให้พลังงานกับการถ่ายทอดโดยโจมตีโดยประจุชนิด , มีการใช้กันอย่างแพร่หลาย การศึกษามากมายได้แสดงให้เห็นว่าในช่วงถ่ายทอดโดยการเจริญเติบโตพลาสมาจึง LM อินเตอร์เฟซที่ได้รับผลกระทบจากพลังงานของแสง
ไอออนของfl ux ธรรมชาติ ของพวกเขา และมุมของอุบัติการณ์ พารามิเตอร์เหล่านี้ตรวจสอบประสิทธิภาพของ EF จึง themomentum โอนอะตอม LM จึงและได้รับการแสดงที่มีผลกระทบต่อโครงสร้างจุลภาค
จึง LM เช่นเดียวกับกลแสง และคุณสมบัติทางไฟฟ้า ใน hipims ,highpulsedion fl uxes มีพร้อมใช้งานที่หลากหลาย ในส่วนถัดไปผลของพลังโจมตีใน hipims ต่อการเจริญเติบโตและคุณสมบัติของธาตุและสารประกอบจึง lmsisreviewed .