Fig 3. shows the simulation result

Fig 3. shows the simulation result of gmT versus input
common mode change with the transistors dimensions given
in Table I.
It can be observed from Fig. 3 that the gmT value is
changing only maximum +25% around specific ±0.75V input
common-mode values.
Transistors M31 and M32 are two common drain stages to
achieve high current gain from the voltage gain exist at the
high impedance nodes-drain nodes of M20 and M21.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 3 แสดงผลการจำลองของ gmT เมื่อเทียบกับการป้อนข้อมูลเปลี่ยนแปลงโหมดทั่วไป ด้วยขนาดของทรานซิสเตอร์ที่ได้รับในตารางผมมันจะสังเกตได้จากรูปว่าค่า gmTการเปลี่ยนแปลงเท่านั้นสูงสุด +25% รอบ ±0.75V เฉพาะอินพุตโหมดทั่วไปค่าM31 ทรานซิสเตอร์และ M32 มีสองขั้นตอนท่อระบายน้ำทั่วไปบรรลุกำไรปัจจุบันที่สูงจากแรงดัน กำไรอยู่ที่การโหนดที่โหนระบายความต้านทานสูงของ M20 M21

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 3 แสดงให้เห็นถึงผลการจำลองของ GMT เมื่อเทียบกับการป้อนข้อมูล
การเปลี่ยนแปลงโหมดร่วมกันกับขนาดของทรานซิสเตอร์ที่กำหนด
ในตารางที่ I.
มันสามารถสังเกตได้จากรูป 3 ว่าค่า GMT เท่ากับ
การเปลี่ยนแปลงสูงสุด + 25% เฉพาะรอบ± 0.75V การป้อนข้อมูลเพียง
ค่านิยมร่วมกันโหมด
ทรานซิสเตอร์ M31 และ M32 เป็นสองขั้นตอนการระบายน้ำร่วมกันเพื่อ
ให้บรรลุกำไรสูงในปัจจุบันกำไรจากแรงดันไฟฟ้าอยู่ที่
ต่อมน้ำต้านทานสูงโหนดท่อระบายน้ำของ M20 และ M21

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 3 แสดงการจำลองผลของ GMT เมื่อเทียบกับข้อมูลทั่วไปเปลี่ยนโหมดด้วยทรานซิสเตอร์ขนาดให้ในโต๊ะผมจะสามารถสังเกตได้จากรูปที่ 3 ที่ค่า GMT คือเปลี่ยนเฉพาะสูงสุด + 25 % รอบใส่ 0.75v ±เฉพาะค่าโหมดทั่วไปทรานซิสเตอร์และการพิมพ์สองขั้นตอนทั่วไประบาย M32บรรลุได้รับกระแสสูงจากได้รับแรงดันไฟฟ้าอยู่ที่โหนดโหนด และอิมพีแดนซ์สูง ระบายเร็ว m21 .