This communicationdealswiththechemi

This communicationdealswiththechemicaleffectofoxidizerconcentrationandpH-valueonthe
Material RemovalRateinChemicalMechanicalPolishingofsiliconwafers.Thelappingprocessis
necessary toreducetheinitialelevatedroughnessinas-cutsamples.Anoptimallappingappliedpressure
of 27kPawasselectedtobeusedwiththeoptimalabrasiveparticlesizeofAl2O3 3 mm. Then,polishing
process iscarriedouttoobtainawell finished surface.Twoabrasiveswereused,Al2O3 and CeO2(ceria),
but onlyceriaslurrywaschosenduetotheresultinglowerMRRvalue.TheCMPwascarriedoutin
alkaline slurryusingceriaparticleswithOxones and K2S2O8 as oxidizers,usingH2O2 as areference.The
interactionbetweenceriaparticlesandsilicateionswasstudiedinordertofurtherunderstandtheCMP
mechanism ofsiliconsamplesusingceriaslurryandoxidizer.Theresultsindicatethattheuseofan
oxidizerimprovesthepolishingqualityresultinginalowerroughnessandMRRvalue.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นี้ communicationdealswiththechemicaleffectofoxidizerconcentrationandpH-valueontheRemovalRateinChemicalMechanicalPolishingofsiliconwafers.Thelappingprocessis วัสดุจำเป็น toreducetheinitialelevatedroughnessinas-cutsamples Anoptimallappingappliedpressureของ 27kPawasselectedtobeusedwiththeoptimalabrasiveparticlesizeofAl2O3 3 mm ขัดแล้วกระบวนการพื้นผิวสำเร็จ iscarriedouttoobtainawell Twoabrasiveswereused, Al2O3 และ CeO2(ceria)แต่ onlyceriaslurrywaschosenduetotheresultinglowerMRRvalue.TheCMPwascarriedoutinslurryusingceriaparticleswithOxones อัลคาไลน์และ K2S2O8 เป็น oxidizers, usingH2O2 เป็น areference การinteractionbetweenceriaparticlesandsilicateionswasstudiedinordertofurtherunderstandtheCMPofsiliconsamplesusingceriaslurryandoxidizer กลไก TheresultsindicatethattheuseofanoxidizerimprovesthepolishingqualityresultinginalowerroughnessandMRRvalue

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี้ communicationdealswiththechemicaleffectofoxidizerconcentrationandpH-valueonthe
วัสดุ RemovalRateinChemicalMechanicalPolishingofsiliconwafers.Thelappingprocessis
จำเป็น toreducetheinitialelevatedroughnessinas-cutsamples.Anoptimallappingappliedpressure
ของ 27kPawasselectedtobeusedwiththeoptimalabrasiveparticlesizeofAl2O3 3 มม จากนั้นขัด
กระบวนการ iscarriedouttoobtainawell เสร็จ surface.Twoabrasiveswereused, Al2O3 และ CEO2 (Ceria)
แต่ onlyceriaslurrywaschosenduetotheresultinglowerMRRvalue.TheCMPwascarriedoutin
slurryusingceriaparticleswithOxones อัลคาไลน์และ K2S2O8 เป็นออกซิไดเซอร์, usingH2O2 เป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้ communicationdealswiththechemicaleffectofoxidizerconcentrationandph valueonthethelappingprocessis removalrateinchemicalmechanicalpolishingofsiliconwafers วัสดุtoreducetheinitialelevatedroughnessinas-cutsamples.anoptimallappingappliedpressure ที่จําเป็นของ 27kpawasselectedtobeusedwiththeoptimalabrasiveparticlesizeofal2o3 3 มิลลิเมตร แล้วขัดiscarriedouttoobtainawell เสร็จสิ้นกระบวนการพื้นผิว และ twoabrasiveswereused Al2O3 , CeO2 ( ซีเรีย )แต่ onlyceriaslurrywaschosenduetotheresultinglowermrrvalue.thecmpwascarriedoutinslurryusingceriaparticleswithoxones โพแทสเซียมเพอร์ซัลเฟตเป็นด่างและ oxidizers usingh2o2 , เป็น areference .interactionbetweenceriaparticlesandsilicateionswasstudiedinordertofurtherunderstandthecmpofsiliconsamplesusingceriaslurryandoxidizer theresultsindicatethattheuseofan กลไกoxidizerimprovesthepolishingqualityresultinginalowerroughnessandmrrvalue .