The barrier potential of a pn junct

The barrier potential of a pn junction depends on several factors, including the type of semiconductor material, the amount of doping, and the temperature.
The typical barrier potential is approximately 0.7 V for silicon and 0.3 V for germanium at 25°C.
Because germanium devices are not widely used, silicon will be used throughout the rest of the book.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นอุปสรรคของการเชื่อมต่อพีเอ็นขึ้นอยู่กับปัจจัยหลายอย่าง รวมทั้งชนิดของวัสดุสารกึ่งตัวนำ จำนวนโดปปิงค์ และอุณหภูมิ สิ่งกีดขวางโดยทั่วไปที่อาจเกิดขึ้นได้ประมาณ 0.7 V สำหรับซิลิคอนและ 0.3 V สำหรับเจอร์เมเนียมที่ 25 องศาเซลเซียสเนื่องจากอุปกรณ์เจอร์เมเนียมไม่ใช้ ซิลิคอนจะถูกใช้ตลอดของหนังสือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่มีศักยภาพอุปสรรคของทางแยก PN ขึ้นอยู่กับปัจจัยหลายประการรวมทั้งชนิดของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์จำนวนยาสลบและอุณหภูมิ.
ที่มีศักยภาพอุปสรรคโดยทั่วไปจะอยู่ที่ประมาณ 0.7 V สำหรับซิลิกอนและ 0.3 V สำหรับเจอร์เมเนียมที่ 25 ° C.
เพราะเจอร์เมเนียม อุปกรณ์ที่ไม่ได้ใช้กันอย่างแพร่หลายซิลิกอนจะถูกนำมาใช้ตลอดเวลาที่เหลือของหนังสือเล่มนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นของ PN Junction ขึ้นอยู่กับหลายปัจจัยรวมถึงชนิดของวัสดุสารกึ่งตัวนำ , ปริมาณของเวลาและอุณหภูมิ
ศักยภาพด่านปกติประมาณ 0.7 และ 0.3 v v ซิลิคอนเจอร์เมเนียมที่ 25 ° C .
เพราะอุปกรณ์ไม่ได้ใช้กันอย่างแพร่หลายเจอร์เมเนียมซิลิคอนจะถูกใช้ตลอดที่เหลือของหนังสือ