Fig. 2.17. Method of masking during

Fig. 2.17. Method of masking during ion implantation. The SiO2 or photoresist layer acts as a blocking layer for the implantation of dopant atoms. In this process, no dopant atom can be found under the blocking layer if it is thick enough.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มะเดื่อ 2.17 วิธีการของการหลอกลวงในระหว่างไอออน ชั้น SiO2 หรือสารไวแสงทำหน้าที่เป็นชั้นป้องกันการฝังของอะตอมเจือปน ในขั้นตอนนี้ไม่มีการเจือปนอะตอมสามารถพบได้ในชั้นการป้องกันถ้ามันมีความหนาพอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Fig. 2.17 วิธีของกระดาษกาวระหว่างไอออนฤทธิ์ ชั้น SiO2 หรือ photoresist ทำหน้าที่เป็นชั้นบล็อคสำหรับฤทธิ์ของอะตอม dopant ในกระบวนการนี้ dopant อะตอมไม่สามารถพบใต้ชั้นบล็อกถ้าหนาพอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูป. ร้อยละ 2.17 . วิธีการของการปิด ภาพ เพื่อปลูกในระหว่างไอออน. SIO 2 หรือชั้น photoresist ทำหน้าที่เป็นชั้นการบล็อคการสำหรับปลูกของอะตอม dopant ในการดำเนินการนี้ไม่มีอะตอม dopant สามารถพบได้ในชั้นการปิดกั้นการได้หากมีความหนาเพียงพอ