As an example, Gao et al. have show

As an example, Gao et al. have shown that HiPIMS may be used for formation of ultrathin epitaxial NiSi2 films on Si with tunable thickness where the implantation depth of the metal ions is controlled by the substrate bias

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นตัวอย่างที่เก้าเอตอัล แสดงให้เห็นว่า hipims อาจจะใช้สำหรับการก่อตัวของฟิล์มบางเฉียบ nisi2 epitaxial ใน si ที่มีความหนาพริ้งที่ความลึกของการฝังไอออนของโลหะจะถูกควบคุมโดยอคติพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นตัวอย่าง เกาและ al. ได้แสดงให้เห็นว่า HiPIMS สามารถใช้สำหรับการก่อตัวของฟิล์ม NiSi2 epitaxial ultrathin บนศรีกับ tunable หนาลึกฤทธิ์ของประจุโลหะจะถูกควบคุม โดยความโน้มเอียงพื้นผิวที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นตัวอย่างที่ถือเป็น et al .ได้แสดงให้เห็นว่า hipims อาจจะใช้สำหรับการก่อตัวขึ้นมาของ ภาพยนตร์ nisi 2 epitaxial ultrathin บนศรีมีความหนา tunable ปลูกที่ความลึกของไอออนเป็นโลหะที่มีการควบคุมการทำงานโดยยึดไดย์กับที่