or drift region, layer with injecti

or drift region, layer with injection of holes from the (p+)
collector. The drift region supports the bulk of the depletion
region formed by the OFF-state collector voltage, but also
contributes a significant portion to the ON-state loss from the
finite drift region resistance [3]. As the IGBT voltage hold off
capacity increases, the thickness of the drift region generally
increases. Therefore, the drift region requires deeper ambipolar
diffusion lengths at high-level injection levels for a sufficient
carrier concentration across the entire drift region [2]. Highminority carrier concentration is typically present in the higher
voltage-rated IGBT drift regions during the ON-state to mitigate
the drift region resistance and forward saturation voltage. As a
result, injection and recombination of large amounts of charge
will result in slower turn-on and turn-off transitions. This is
especially evident in the decaying current tail during last portion
of the turn-off transition [4].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หรือลอยภูมิภาคชั้นด้วยการฉีดของหลุมจาก (p)
สะสม ภูมิภาคดริฟท์เป็นกลุ่มสนับสนุนพร่อง
ภูมิภาคท​​ี่เกิดจากแรงดันสะสมออกรัฐ แต่ยัง
ก่อเป็นส่วนสำคัญที่จะสูญเสียในรัฐจาก
ต้านทานภูมิภาคลอย จำกัด [3] เป็นแรงดันไฟฟ้า IGBT ถือออก
ความจุเพิ่มขึ้นความหนาของภูมิภาคดริฟท์โดยทั่วไป
เพิ่มขึ้น ดังนั้นภูมิภาคดริฟท์ต้องมีความยาวลึก ambipolar
แพร่กระจายในระดับที่ฉีดในระดับสูงสำหรับผู้ให้บริการ
ความเข้มข้นเพียงพอทั่วภูมิภาคท​​ั้งดริฟท์ [2] ความเข้มข้นของผู้ให้บริการ highminority โดยปกติจะมีอยู่ในที่สูงกว่าแรงดัน
ติดอันดับภูมิภาค IGBT ลอยในช่วง
ภูมิภาคลอยต้านทานและความอิ่มตัวไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้าในรัฐที่จะบรรเทา เป็น
ผลฉีดและการรวมตัวกันอีกจำนวนมากค่าใช้จ่าย
จะทำให้ช้าเปิดและเปิดปิดการเปลี่ยน นี้เป็นที่เห็นได้ชัดโดยเฉพาะอย่างยิ่ง
ในหางปัจจุบันเนื้อที่ในส่วนสุดท้ายของ
เปลี่ยนเปิดปิด [4].

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หรือ ภูมิภาคดริฟท์ ชั้นกับฉีดหลุมจาก (p)
รวบรวม ภูมิภาคดริฟท์สนับสนุนจำนวนมากของการลดลงของ
ภูมิภาคที่เกิดขึ้นจากแรงดันตัวเก็บรวบรวม ออฟรัฐแต่ยัง
จัดสรรเป็นส่วนสำคัญการสูญเสียสถานะ ON จากการ
ดริฟท์จำกัดภูมิภาคต้านทาน [3] เป็น IGBT แรงดันกดปิด
กำลังการผลิตเพิ่ม ภาคดริฟท์โดยทั่วไป
เพิ่ม ดังนั้น ภูมิภาคดริฟท์ต้องลึก ambipolar
แพร่ยาวระดับสูงฉีดสำหรับการพอ
สมาธิผู้ขนส่งทั่วทั้งภูมิภาคดริฟท์ทั้งหมด [2] ความเข้มข้นของผู้ขนส่ง Highminority อยู่โดยทั่วไปในสูง
คะแนนแรงดัน IGBT ดริฟท์ภูมิภาคระหว่างรัฐในการบรรเทา
ดริฟท์ภูมิภาคต้านทานและแรงดันอิ่มตัวไปข้างหน้า เป็นการ
ผล ฉีดและ recombination จำนวนมากค่า
เปลี่ยน turn-on และหันออกช้าจะทำ โดย
เห็นได้ชัดโดยเฉพาะอย่างยิ่งหางปัจจุบัน decaying ในส่วนสุดท้าย
ภาพหันออก [4]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หรือการลอยเขตพื้นที่ชั้นพร้อมด้วยหัวฉีดของรูจาก( P )
โถรอง. เขตพื้นที่การให้การสนับสนุนเป็นจำนวนมากทำให้หมดสิ้นลง
เขตพื้นที่ที่เกิดจากแรงดันไฟฟ้าที่รองจากรัฐ -
ซึ่งจะช่วยแต่ยังช่วยส่วนที่สำคัญในการสูญเสียที่รัฐออกจาก
แบบจำกัดกระแส ภูมิภาค การต่อต้าน[ 3 ] เป็นระดับแรงดันไฟฟ้า IGBT ค้างไว้ปิด
ซึ่งจะช่วยเพิ่มความจุความหนาของ ภูมิภาค พัดพามาซึ่งโดยทั่วไปแล้ว
ซึ่งจะช่วยเพิ่มขึ้น ดังนั้นเขตพื้นที่พัดพามาซึ่งต้องใช้ความยาว ambipolar
ซึ่งจะช่วยแพร่ลึกลงไปในระดับหัวฉีดระดับสูงการสร้างสมาธิเพียงพอ
ซึ่งจะช่วยให้ผู้ให้บริการตลอดการลอยเขตพื้นที่[ 2 ] ผู้ให้บริการการทำสมาธิ highminority โดยปกติแล้วจะมีอยู่ในเขตพื้นที่การลอย IGBT
ซึ่งจะช่วยเพิ่มขึ้นระดับแรงดันไฟฟ้าแบบที่ได้รับในช่วงที่รัฐจะช่วยลดความเสี่ยง
ซึ่งจะช่วยให้การไหลแรงดันไฟฟ้าและความอิ่มตัวของสีความทนทานต่อ ภูมิภาค ส่งต่อ เป็น
ซึ่งจะช่วยส่งผลให้หัวฉีดและ recombination ในปริมาณขนาดใหญ่ของการชาร์จ
ซึ่งจะช่วยในการเปลี่ยนแปลงจะส่งผลให้การเปิดและปิด - ปิดช้าลง โรงแรมแห่งนี้คือ
โดยเฉพาะเห็นได้ชัดมากขึ้นในปัจจุบันหางานต์ที่ระหว่างส่วนสุดท้าย
ซึ่งจะช่วยในการเปลี่ยนผ่านการเปิด - ปิด[ 4 ].