To retard electron shunting, Al2O3

To retard electron shunting, Al2O3 is deposited conformally on the surface of F-T film with thickness of about 1.5 nm after one time of sol-gel treatment, 2 nm for two times and 2.5 nm for three times

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เหนี่ยวอิเล็กตรอน shunting, Al2O3 ส่ง conformally บนพื้นผิวของฟิล์ม F-T กับความหนาของประมาณ 1.5 nm หลังเวลาหนึ่งของโซลเจลรักษา 2 nm สำหรับสองครั้งและ 2.5 nm สำหรับครั้งที่สาม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อชะลอการแบ่งอิเล็กตรอน Al2O3 จะฝาก conformally บนพื้นผิวของฟิล์ม FT ที่มีความหนาประมาณ 1.5 นาโนเมตรหลังจากที่ครั้งหนึ่งของการรักษาโซลเจล 2 นาโนเมตรสองครั้งและ 2.5 นาโนเมตรสำหรับสามครั้ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชะลอแบ่งอิเล็กตรอน , conformally Al2O3 จะฝากบนพื้นผิวของฟิล์มมีความหนาของ f-t 1.5 nm หลังจากเวลาหนึ่ง - การรักษา 2 nm สำหรับ 2 ครั้ง และ 2.5 nm สำหรับสามครั้ง