2. Conventional Compensation of Leakage
Currents
To reduce the effects of leakage current on the
operation of analog CMOS integrated circuits, leakage
current compensation circuits with a compensation
diode were usually used [l]. For example, a
compensation diode Dlc is inserted between the drain
and the voltage source VDD as shown in Fig. 1. In this
circuit, because a leakage current I,, which flows
from the drain to the body of n-channel MOSFET MI,,
is compensated by the reverse current IC (the
compensation current) of the compensation diode:,
which flows into the drain node, the leakage current
effect on circuit currents, 11 and 12, is reduced and the
circuit operation at high temperature remains stable.
However, in the conventional leakage current
compensation circuits, the compensation diode does
not have the same structure as; that of the parasitic
diode, e.g., for the circuit in Fig. 1, the compensation
diode Dlc is a p’n diode, and the parasitic diode D1 is
an n’p diode.
Therefore, it is very difficult to achieve a good
matching compensation current with a leakage current,
because this requires precise adjustment of the
junction area and the periphery of the compensation
diode for matching with the leakage current.
2. ค่าตอบแทนธรรมดาของการรั่วไหลของกระแสเพื่อลดผลกระทบจากการรั่วไหลของกระแสในการดำเนินงานของวงจรรวมCMOS อนาล็อกการรั่วไหลของวงจรชดเชยในปัจจุบันที่มีการชดเชยไดโอดมักจะถูกนำมาใช้[L] ยกตัวอย่างเช่นไดโอดชดเชย Dlc ถูกแทรกระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งที่มาของแรงดันVDD ดังแสดงในรูป 1. ในนี้วงจรเพราะรั่วไหลของกระแสผม,, ซึ่งไหลจากท่อระบายน้ำให้กับร่างกายn-ช่อง MOSFET MI ,, จะชดเชยโดยปัจจุบันกลับ IC (คนค่าตอบแทนในปัจจุบัน) ของค่าตอบแทนไดโอด :, ซึ่งไหลเข้า โหนดท่อระบายน้ำในปัจจุบันการรั่วไหลของผลกระทบต่อกระแสวงจรที่11 และ 12 จะลดลงและการดำเนินงานของวงจรที่อุณหภูมิสูงยังคงมีเสถียรภาพ. อย่างไรก็ตามในการรั่วไหลของการชุมนุมในปัจจุบันวงจรชดเชยไดโอดค่าตอบแทนที่ไม่ได้มีโครงสร้างเช่นเดียวกับ; ที่ของพยาธิไดโอดเช่นวงจรในรูป 1, การชดเชยDlc ไดโอดเป็นไดโอด p'n และไดโอด D1 พยาธิเป็นไดโอดn'p. ดังนั้นจึงเป็นเรื่องยากมากที่จะประสบความสำเร็จที่ดีชดเชยการจับคู่ในปัจจุบันที่มีการรั่วไหลของปัจจุบันเพราะต้องปรับที่แม่นยำของบริเวณทางแยกและรอบนอกของค่าตอบแทนไดโอดสำหรับการจับคู่ที่มีการรั่วไหลในปัจจุบัน
การแปล กรุณารอสักครู่..

2 . ค่าชดเชยปกติของกระแสรั่ว
เพื่อลดผลกระทบของกระแสรั่วไหลบน
ปฏิบัติการอนาล็อกวงจรรวมซีมอสวงจรชดเชย รั่ว
ปัจจุบันกับค่าตอบแทนไดโอดมักจะใช้ [ L ] ตัวอย่างเช่น การ DLC จะแทรกระหว่างไดโอด
และระบายแรงดัน VDD แหล่งดังแสดงในรูปที่ 1 วงจรนี้
เพราะการรั่วไหลในปัจจุบันฉันซึ่งไหล
จากท่อระบายน้ำเพื่อร่างกายของนแชนแนล MOSFET มิ , ,
ชดเชย ด้วยการย้อนกลับปัจจุบัน IC (
ชดเชยกระแส ) ของไดโอด : ค่าตอบแทน , ซึ่งไหลลงท่อระบาย
โหนด , กระแสรั่วไหล
มีผลต่อกระแสวงจร , 11 และ 12 ที่ลดลง และวงจรปฏิบัติการที่
อุณหภูมิสูงยังคงมีเสถียรภาพ .
แต่ในปกติกระแสรั่วไหล
ชดเชยวงจรค่าตอบแทนที่ไดโอดจะ
ไม่ได้มีโครงสร้างเช่นเดียวกับที่ของปรสิต
ไดโอด , เช่น สำหรับ วงจรในรูปที่ 1 , ค่าตอบแทน
ไดโอด DLC เป็นไดโอด p'n และไดโอด D1 เป็น n'p ไดโอดความสำคัญ
.
ดังนั้นมันเป็นเรื่องยากมากที่จะบรรลุดี
จับคู่ค่าตอบแทนในปัจจุบัน กับของปัจจุบัน เพราะมีการปรับความแม่นยำ
ชุมทางพื้นที่และปริมณฑลของค่าตอบแทน
ไดโอดสำหรับการจับคู่กับการรั่วไหลในปัจจุบัน
การแปล กรุณารอสักครู่..
