Fig. 3. Room-temperature photolumin

Fig.
3.
Room-temperature
photoluminescence
of
SiC/Si-NPA
and
the
annealed
Si-
NPA
under
the
300
nm
ultraviolet
fluorescent
light
excitation.
to
the
vibrations
of
TO
(∼796
cm−1)
and
LO
(∼972
cm−1)
phonon
modes
of
cubic
SiC
[18].
From
the
figure,
it
is
easy
to
find
that
the
two
shifts
are
widened
evidently
contrasted
to
bulk
3C–SiC
and
this
result
indicates
that
the
as-grown
SiC
nanoparticles
might
be
in
very
small
grain
sizes
or
large
quantities
of
crystal
defects
and
serious
lattice
distortion
have
been
formed
in
the
particles
[19].
Room-temperature
PL
of
SiC/Si-NPA
was
studied
by
us.
Excited
by
300
nm
ultraviolet
fluorescent
light
at
room
temperature,
the
PL
spectra
of
SiC/Si-NPA
and
the
annealed
Si-NPA
which
was
treated
at
1000◦C
in
pure
Ar
gas
were
obtained
and
presented
in
Fig.
3.
It
can
be
observed
that
no
light
emitted
from
the
annealed
Si-NPA
while
strong
light
emissions
peaked
at
383
nm,
402
nm
and
420
nm
are
obtained
in
SiC/Si-NPA.
This
result
illustrates
that
the
strong
UV-blue
light
emissions
come
from
the
3C–SiC
film.
The
dominant
light
emission
peaked
at
402
nm
is
ascribed
to
the
lattice
defects
in
3C–SiC
nanocrystals
by
referring
to
a
new
report
of
Kim’s
[20]
who
owed
a
strong
emission
of
2.75
eV
in
nanocrystalline
SiC
to
the
defects
in
the
nanoparticles.
XRD
and
Raman
data
measured
from
SiC/Si-NPA
have
proved
that
the
prepared
3C–SiC
particles
contain
a
large
number
of
crystal
defects
which
would
be
the
origin
of
the
violet
light
emission.
The
UV
light
emission
peaked
at
383
nm
might
come
from
some
multiple
stacking
faults
in
the
3C–SiC
film
[21].
As
to
the
blue
light
emission
peaked
at
420
nm,
it
is
related
to
the
quantum
confinement
effect
(QCE)
in
SiC
nanocrystals
by
us
since
QCE
has
been
found
in
colloidal
3C–SiC
nanocrystals
[22,23],
close-packed
SiC
nanocrystal
films
[24]
and
some
3C–SiC
films
Fig.
4.
Room-temperature
photoluminescence
of
the
annealed
SiC/Si-NPA
samples.
Inset:
the
line
of
the
average
diameter
(D)
of
SiC
nanocrystals
vs
the
anneal
temper-
ature
(T)
of
SiC/Si-NPA.
produced
by
CVD
method
[25,26].
In
order
to
explore
the
origin
of
the
light
emissions,
the
SiC/Si-NPA
samples
were
annealed
in
pure
Ar
gas
for
1
h
at
373,
473
and
573
K,
respectively.
The
PL
spectra
of
these
samples
are
shown
in
Fig.
4.
The
average
diameters
of
the
annealed
3C–SiC
nanocrystals
at
different
temperatures
were
calculated
by
Scherrer’s
formula
and
the
result
is
shown
in
the
inset
picture
in
Fig.
4.
It
was
demonstrated
that
the
particle
size
of
3C–SiC
increase
with
the
rise
of
the
anneal
temperature.
From
the
PL
spectra,
two
obvious
changes
are
found
from
the
annealed
SiC/Si-NPA
samples.
Firstly,
the
intensity
of
the
light
emissions
peaked
at
383
and
402
nm
reduced
drastically.
This
result
reveals
that
the
number
of
the
crystal
defects
in
the
SiC
film
decrease
sharply
with
the
rise
of
the
anneal
temperature.
Secondly,
the
position
of
the
light
emission
originally
peaked
at
420
nm
has
a
gradual
red
shift
with
the
increase
of
the
size
of
SiC.
This
result
discloses
that
QCE
has
played
an
important
role
to
the
420
nm
light
emission
in
SiC/Si-NPA.
Although
it
still
remains
unknown
how
the
defects
affect
the
PL
in
SiC/Si-NPA,
one
thing
has
been
cleared
that
strong
UV-blue
light
emission
is
obtained
from
SiC/Si-NPA
at
room
temperature
and
this
would
open
the
optoelectronic
applications
such
as
flat
panel
displays
for
SiC/Si-NPA.
A
SiC/Si-NPA/sc-Si
heterojunction
diode
was
constructed
by
depositing
aluminum
layers
as
the
top
and
the
back
electrodes
and
the
sandwich
structure
was
shown
schematically
in
the
inset
of
Fig.
5.
The
device
is
specified
by
10
mm
×
10
mm.
The
experimental

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 3



อุณหภูมิห้องแบบของ SIC / ศรี NPA


และอบ


ชิ -

เข้ามาภายใต้ 300



fl uorescent นาโนเมตรรังสีแสง
i .







( การสั่นของ∼ 796
cm − 1 )

และโล
( ∼ 972
cm − 1 )



โหมด Phonon ของ SIC .

[ 18 ]
จาก



gure จึง , มันเป็นง่าย






จึงครั้งที่ 2


กะจะกว้างขึ้นเห็นได้ชัด





3 C แบบเป็นกลุ่ม ( SiC และ


นี้"



ที่บ่งชี้ว่าเป็นโต



เป็นเพียงอนุภาคนาโนอาจมาก



ในเล็ก ๆขนาดเม็ด




ขนาดหรือปริมาณของผลึก




และข้อบกพร่องร้ายแรงขัดแตะ


ถูกบิดเบือนได้



ในรูปอนุภาค
[ 19 ] .



คุณอุณหภูมิห้องของ SIC / ศรี NPA
คือ
เรียน

โดยเรา



ตื่นเต้นด้วย

fl 300 นาโนเมตรรังสีแสง uorescent


ที่อุณหภูมิห้อง





คุณสเปกตรัมของ SIC / ศรี NPA
และ




ชิอบแนวซึ่งถูก


รับที่ 1000 ◦ C



ก๊าซบริสุทธิ์ใน AR อยู่ได้





และนำเสนอในรูป
3



มันสามารถจะสังเกตว่า




ไม่มีแสงที่ปล่อยออกมาจาก




ชิอบแนวในขณะที่แข็งแรง



ที่ปล่อยไฟ , 383




nm nm 402 และ



เป็น 420 nm ได้

/ SI ใน SIC NPA



ที่แสดงผลนี้

แข็งแรง


ปล่อยแสง UV สีฟ้า


มาจาก
3
( SIC จึงอิม




ปล่อยแสงเด่นแหลม



อยู่ที่ 402 นาโนเมตร ascribed







3 C ขัดแตะบกพร่องใน SIC nanocrystals


) โดยอ้างอิง





มีรายงานใหม่ของคิม

[ 20 ]
ใครเป็นหนี้


เป็น



การแข็งแรงของ 2.75 EV



ใน nanocrystalline SIC





ข้อบกพร่องในอนุภาค



และวิเคราะห์ข้อมูลจากวัดรามัญ




แนว SIC / SI ได้พิสูจน์



ที่เตรียมไว้3 C )


เป็นเพียงอนุภาคมีจํานวนมาก





ซึ่งจุดบกพร่องของผลึกจะถูก






ที่มาของแสงม่วง

ค่า




ปล่อยแสงยูวีที่แหลม




มาอาจเป็นนาโนเมตรจาก




บางหลายซ้อนผิด


3 C ) ใน SIC
จึง LM
[ 21 ]




เป็นสีฟ้า



ที่เปล่งแสงสูงสุด 420




มันเป็นสารที่เกี่ยวข้องกับ





nement ควอนตัมคอนจึงผล
( qce )


สนใจในnanocrystals



qce โดยเราตั้งแต่มีการพบ





3 C ( SiC ในคอลลอยด์ nanocrystals
[ ]

22,23 , ปิดแน่น



nanocrystal SIC จึง LMS [ 24 ]


3 C ) และบางจึงจัด


รูปที่ SIC 4

ห้องอุณหภูมิแบบ



อบของ SIC / ศรีตัวอย่าง NPA
.
ใส่ :





สายของเส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ย
( D )


ของ SIC nanocrystals



อารมณ์ VS เนลตูเร
-
( t )

SIC / ของ จังหวัดที่ผลิตโดย


NPAโรคหัวใจและหลอดเลือด

[ วิธี 25,26 ]




ในเพื่อสำรวจ




ที่มาของแสง
ปล่อย



แนว SIC / จังหวัดตัวอย่างคืออบ




ในก๊าซบริสุทธิ์ ar
1
H

สำหรับ


ที่ 373 , 473 573 และ

k
ตามลำดับ .




คุณสเปกตรัมของเหล่านี้



มีตัวอย่างแสดงในรูป

4 .




ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยของอบ



nanocrystals 3C ( SiC อุณหภูมิที่แตกต่างกัน





ถูกคำนวณโดย
เชเรอร์ของสูตร



และผลจะแสดงใน






รูปที่ใส่เข้าไปในรูป
4



มันเป็นแสดงให้เห็นว่า




ขนาดอนุภาคของ SIC

3 C ) เพิ่มด้วย




เพิ่มขึ้นของเนล
อุณหภูมิ จากคุณ






Spectra 2 ชัดเจนเปลี่ยน


จะพบจาก

อบ
SIC / ศรีตัวอย่างแนว




มีความเข้มของแสง






รูปที่ปล่อยแหลมและ




ลด 402 นาโนเมตรอย่างมาก



ที่เห็นนี้ "




คริสตัลจำนวนของข้อบกพร่องใน






โดย SIC จึงลดลงอย่างรวดเร็ว ด้วย





เพิ่มขึ้นของเนล
อุณหภูมิ
ประการ




ตำแหน่งของแสงเล็ดรอด




ที่แต่เดิมมี 420 nm



มีแบบค่อยเป็นค่อยไป


มีสีแดงกะ




ขนาดของเพิ่ม

ของ SiC



" นี้เปิดเผยว่า qce





ได้เล่นเป็นบทบาทที่สำคัญ






ปล่อย 420 นาโนเมตรแสง

ใน SIC / ศรี NPA



แต่มันก็ยังคงไม่รู้ว่า






คุณบกพร่องต่อ

SIC / SI ในทรัพย์สิน NPA
สิ่งหนึ่งได้ถูก






แล้วที่แข็งแกร่งยูวีสีฟ้า



รับแสงเล็ดรอดจาก

เป็น SIC / ศรี NPA
ที่




และอุณหภูมิในห้องนี้จะเปิด





เป็นเช่นโปรแกรม optoelectronic flที่




สำหรับแผงแสดง / SI เป็นแนว SIC .

SIC / ศรี NPA / ศรี
มheterojunction



เป็นไดโอดสร้างโดย
-


เป็นอลูมิเนียมชั้น

ด้านบน



และกลับขั้วและ





แสดงโครงสร้างแซนวิชได้



สิ่งที่ใส่เข้าไปในแผนผังของ


รูปที่ 5



จึงเป็นอุปกรณ์ประเภทเอ็ด



โดย 10 มม. × 10

อืม . . . . . .


ทดลอง