VFand tFdifferently influence the N

VFand tFdifferently influence the Ndvalues, showing that the defects formed in the TiO2during its growing
might be of different nature. When VFincreases, it causes an increment in the diffusion coefficient for the F
ions
inside the compact layer formed in the metal/oxide interface,
9
so a greater insertion of these ions is expected when
the TiO2nanotube films are grown at continuously higher VF. Modifying TiO2by doping with F
ions induce
energetic states inside the gap, provoking a displacement of the Efbtowards the conduction band of the TiO2,
increasing the Nd.
10,11
However, even when the same trend in Efb
is observed, the estimated Nddecreased as tFgot
increasingly higher, evidencing a further modification of the film probably related to the insertion of other species
present in the electrolyte, which is compensating the charge, inducing energeticstates in the gap over the valence

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

VFand tFdifferently Ndvalues แสดงว่า ข้อบกพร่องเกิดขึ้นใน TiO2during การเจริญเติบโตของผล อาจมีลักษณะแตกต่างกัน เมื่อ VFincreases จะทำให้การเพิ่มในค่าสัมประสิทธิ์การกระจายสำหรับการ Fไอออน ภายในชั้นที่กระชับที่เกิดขึ้นในอินเทอร์เฟซโลหะ/ออกไซด์9เพื่อแทรกที่มากขึ้นของไอออนเหล่านี้คาดว่าเมื่อ มีปลูกฟิล์ม TiO2nanotube ที่สูงขึ้นอย่างต่อเนื่อง VF การปรับเปลี่ยน TiO2by ยาสลบกับ Fก่อให้เกิดไอออน อเมริกามีพลังภายในช่องว่าง ย้ายของ Efbtowards วงนำของ TiO2 กระตุ้นความ Nd เพิ่มมากขึ้น10,11อย่างไรก็ตาม แม้ใน Efb แนวโน้มเดียวกันเป็นที่สังเกต Nddecreased โดยประมาณเป็น tFgot ขึ้นเรื่อย ๆ หลักการเปลี่ยนแปลงเพิ่มเติมของภาพยนตร์เรื่องนี้อาจจะเกี่ยวข้องกับการแทรกของสายพันธุ์อื่น ๆ อยู่ในอิเล็กโทรไลท์ ซึ่งจะชดเชยค่าธรรมเนียม กระตุ้นให้เกิด energeticstates ในช่องว่างเหนือวาเลนซ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

VFand tFdifferently มีอิทธิพลต่อการ Ndvalues แสดงให้เห็นว่าข้อบกพร่องที่เกิดขึ้นใน TiO2during การเจริญเติบโต
อาจจะมีลักษณะที่แตกต่าง เมื่อ VFincreases จะทำให้เกิดการเพิ่มขึ้นในค่าสัมประสิทธิ์การแพร่สำหรับ F
ไอออน
ภายในชั้นขนาดกะทัดรัดที่เกิดขึ้นในส่วนติดต่อโลหะ / ออกไซด์
9
เพื่อแทรกมากขึ้นของไอออนเหล่านี้คาดว่าเมื่อ
ภาพยนตร์ TiO2nanotube มีการเจริญเติบโตอย่างต่อเนื่องใน VF ที่สูงขึ้น การปรับเปลี่ยนยาสลบ TiO2by กับ F
ไอออนทำให้เกิด
รัฐมีพลังที่อยู่ภายในช่องว่างกระตุ้นการเคลื่อนที่ของ Efbtowards วงการนำของ TiO2 ที่
เพิ่ม Nd.
10,11
อย่างไรก็ตามแม้ในขณะที่แนวโน้มเดียวกันใน EFB
เป็นที่สังเกตประมาณ Nddecreased เป็น tFgot
มากขึ้นเรื่อย ๆ ที่สูงขึ้น, หลักฐานการแก้ไขต่อไปของภาพยนตร์เรื่องนี้อาจจะเกี่ยวข้องกับการแทรกของสายพันธุ์อื่น ๆ
ที่มีอยู่ในอิเล็กโทรไลซึ่งเป็นชดเชยค่าใช้จ่ายการกระตุ้นให้เกิด energeticstates ในช่องว่างมากกว่าความจุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

vfand tfdifferently มีอิทธิพลต่อ ndvalues , แสดงให้เห็นว่าข้อบกพร่องที่เกิดขึ้นใน tio2during การเติบโตของอาจเป็นจากธรรมชาติที่แตกต่างกัน เมื่อ vfincreases ทำให้การเพิ่มสัมประสิทธิ์การแพร่ Fไอออนภายในกระชับขึ้นในชั้นโลหะออกไซด์ / ติดต่อ9ดังนั้น การมากขึ้นของไอออนนี้คาดว่าเมื่อการ tio2nanotube ภาพยนตร์โตที่อย่างต่อเนื่องสูงกว่า VF การปรับเปลี่ยน tio2by การเติม Fไอออนจูงสหรัฐอเมริกามีพลังภายในช่องว่างก่อการกระจัดของ efbtowards โดยนำวงดนตรีของ TiO2 ,เพิ่มครั้งที่ .10,11อย่างไรก็ตาม แม้ว่าแนวโน้มเดียวกันในแก๊สเป็นที่สังเกต nddecreased เป็น tfgot โดยประมาณยิ่งขึ้นสูง evidencing เพิ่มเติมเปลี่ยนแปลงของภาพยนตร์อาจเกี่ยวข้องกับการแทรกของสายพันธุ์อื่น ๆปัจจุบันในอิเล็กโทรไลต์ ซึ่งการชดเชยค่าใช้จ่ายโดย energeticstates ในช่องว่างเหนือวาเลนซ์