It will be understood that these eq

It will be understood that these equations are for a simplified model of temperature dependence
Measurement for a normal polysilicon resistor shows that the thermal activation energy Ea is approximately 0.5 electron volts (eV) when the resistance is in the range used for load resistors, 0.1 to 50 gigaohms (See also, Fig. 5). When the thermal activation energy is decreased below 0.5 eY for prior art polysilicon resistors, the resistance falls below the useful range.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จะเข้าใจว่า เป็นสมการเหล่านี้สำหรับรูปแบบง่ายของพึ่งพาอุณหภูมิการวัดตัวต้านทานปกติ polysilicon แสดงที่พลังงานความร้อนกระตุ้นที่ Ea คือ ประมาณ 0.5 อิเล็กตรอนโวลต์ (eV) เมื่อความต้านทานอยู่ในช่วงที่ใช้สำหรับตัวต้านทานโหลด 0.1 ถึง 50 gigaohms (เห็นด้วย 5 รูป) เมื่อพลังงานที่เปิดใช้งานความร้อนจะลดลงต่ำกว่า 0.5 eY สำหรับศิลปะ polysilicon ตัวต้านทาน ความต้านทานลดลงต่ำกว่าช่วงที่มีประโยชน์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันจะถูกเข้าใจว่าสมการเหล่านี้สำหรับรูปแบบที่เรียบง่ายของการพึ่งพาอาศัยอุณหภูมิ
วัดสำหรับตัวต้านทานโพลีซิลิคอนปกติแสดงให้เห็นว่าพลังงานกระตุ้นความร้อน Ea จะอยู่ที่ประมาณ 0.5 อิเล็กตรอนโวลต์ (EV) เมื่อต้านทานอยู่ในช่วงที่ใช้สำหรับตัวต้านทานโหลด 0.1 50 gigaohms (ดูมะเดื่อ. 5) เมื่อเปิดใช้งานพลังงานความร้อนจะลดลงด้านล่าง 0.5 EY สำหรับก่อนที่ตัวต้านทานศิลปะโพลีซิลิคอนต้านทานต่ำกว่าช่วงที่มีประโยชน์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก็จะเข้าใจได้ว่า สมการนี้เป็นรูปแบบที่เรียบง่ายของการพึ่งพาอุณหภูมิการวัดสำหรับตัวต้านทาน Polysilicon ปกติแสดงให้เห็นว่าความร้อนกระตุ้นพลังงานเอประมาณ 0.5 อิเล็กตรอนโวลต์ ( EV ) เมื่อความต้านทานอยู่ในช่วงที่ใช้ตัวต้านทานโหลด 0.1 ถึง 50 gigaohms ( เห็นยัง ภาพที่ 5 ) เมื่อพลังงานกระตุ้นความร้อนลดลง 0.5 EY สำหรับศิลปะก่อน Polysilicon resistors , ความต้านทานต่ำกว่าช่วงที่มีประโยชน์