Power integrated circuits (PICs), t

Power integrated circuits (PICs), tailored for power
electronics applications (drivers, actuators, regulators, etc.),
that require voltages higher than standard 5-volt digital
CMOS processes, are usually fabricated either resorting to
expensive solutions, (e.g. BCD), or even to dedicated smart
power technologies [1]. State-of-the-art semiconductor
devices, like MOSFETs, IGBTs or TrenchFETs, are used,
in all cases, as switching devices, with extremely low
voltage drops at on-state, low leakage current at off-state
and ultra-fast switching times, features that are crucial to
attain low power losses and thus increased circuit efficiency.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วงจรแบบรวมพลัง (ภาพ), สำหรับพลังงานการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ (ไดรเวอร์ actuators ควบคุม ฯลฯ),ที่ต้องใช้แรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่ามาตรฐาน 5 โวลต์ดิจิตอลกระบวนการ CMOS มักประดิษฐ์ใด resorting การโซลูชั่นราคาแพง, (เช่น BCD), หรือแม้กระทั่งเฉพาะสมาร์ทพลังงานเทคโนโลยี [1] ศิลปะของสารกึ่งตัวนำใช้อุปกรณ์ MOSFETs, IGBTs หรือ TrenchFETsในทุกกรณี เป็นการสลับอุปกรณ์ มีมากต่ำแรงดันไฟฟ้าลดลงที่บนสถานะ ต่ำกระแสรั่วไหลที่ปิดสถานะและรวดเร็วสลับครั้ง คุณลักษณะที่มีความสำคัญบรรลุการสูญเสียพลังงานต่ำ และวงจรประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นดัง นั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วงจรเพาเวอร์แบบบูรณาการ (ภาพ) ที่เหมาะสำหรับการใช้พลังงาน
งานอิเล็กทรอนิกส์ (คนขับรถตัวกระตุ้นหน่วยงานกำกับดูแล ฯลฯ )
ที่ต้องใช้แรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่ามาตรฐาน 5 โวลต์ดิจิตอล
CMOS กระบวนการมักจะประดิษฐ์ทั้ง resorting เพื่อ
แก้ปัญหาราคาแพง (เช่น BCD) หรือแม้กระทั่งการทุ่มเทให้สมาร์ท
เทคโนโลยีพลังงาน [1] state-of-the-Art เซมิคอนดักเตอร์
อุปกรณ์เช่น MOSFETs, IGBTs หรือ TrenchFETs, มีการใช้
ในทุกกรณีเช่นเปลี่ยนอุปกรณ์ที่มีระดับต่ำมาก
หยดแรงดันไฟฟ้าที่อยู่ในรัฐรั่วไหลของกระแสในระดับต่ำที่ปิดรัฐ
และรวดเร็วสลับ ครั้งคุณลักษณะที่มีความสำคัญต่อ
การบรรลุการสูญเสียพลังงานต่ำและมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้นจึงวงจร