X-ray diffraction spectra of the TG

X-ray diffraction spectra of the TGO films formed by thermal
oxidation at different temperatures between 450 and 850 8C are
presented in Fig. 1. It is found that all the TGO films maintain
rutile structure of SnO2. As the oxidation temperature increases,
diffraction peak intensity enhances, originating the improved
crystalline quality obtained. It is noticed that the relative intensity
of (113) diffraction is apparently higher than that of the standardpowder XRD database, which indicates that the films are (113)
oriented, different from the results of Ji et [17].
The film composition of the DC sputtered films was
determined by EDAX. The Ga/Sn ratio of the TGO film
oxidized at 650 8C (Fig. 2) was 0.26 as determined by EDAX
analysis, which was larger than the Ga/Sn ratio of the target,
which we believe is caused by preferential sputtering rate of Ga
relatively to Sn. The second reason for the higher ratio is the
loss of tin during high temperature oxidation process due to its
high vapor pressure.
3.2. Optical properties
Fig. 3 shows the UV–vis absorption spectra of the TGO films
obtained by thermal oxidation at different temperatures. The
results show that no remarkable changes were found for the
band-gap of the films, except the increase of the absorbance.
The overall transmittance of the films is higher than 85% in the
visible range. The thickness of these films was evaluated by the
absorption spectra and the absorption coefficient of tin oxide
films, which gave an average value of about 200 nm [18]. The
direct optical band-gap was estimated to be 3.8 eV, which was
in the range of reported values (3.6–4.0 eV) [2–6].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

x-เรย์เลนส์สเปกตรัมของภาพยนตร์ tgo ที่เกิดขึ้นจากความร้อน
ออกซิเดชันที่อุณหภูมิที่แตกต่างกันระหว่าง 450 และ 850
8c จะนำเสนอในมะเดื่อ 1 จะพบว่าทุกภาพยนตร์ tgo รักษา
โครงสร้าง rutile ของ SnO2 เป็นอุณหภูมิออกซิเดชันเพิ่มขึ้น
เลนส์ช่วยเพิ่มความเข้มสูงสุด, มามีคุณภาพดีขึ้นผลึก
ได้ จะพบว่าความเข้มสัมพัทธ์
ของ (113) การเลี้ยวเบนก็ดูเหมือนจะสูงกว่าที่ของฐานข้อมูล XRD standardpowder ซึ่งแสดงให้เห็นว่าเรื่องนี้เป็น (113)
เน้นความแตกต่างจากผลของการ ji และรหัส [17].
องค์ประกอบของภาพยนตร์ dc พ่นภาพยนตร์ถูก
กำหนดโดย edax อัตราส่วน ga / sn ของภาพยนตร์ tgo
ออกซิไดซ์ที่ 650 8c (รูปที่ 2) เป็น 0.26 ตามที่กำหนดโดย edax
วิเคราะห์ซึ่งมีขนาดใหญ่กว่าอัตราส่วน ga / sn ของเป้าหมาย
ซึ่งเราเชื่อว่ามีสาเหตุมาจากอัตราการสปัตเตอร์พิเศษของ ga
ค่อนข้างจะ sn เหตุผลที่สองสำหรับอัตราส่วนที่สูงขึ้นเป็น
การสูญเสียของดีบุกในระหว่างกระบวนการออกซิเดชั่อุณหภูมิสูงเนื่องจาก
ความดันไอสูง.
3.2 คุณสมบัติทางแสง
มะเดื่อ 3 แสดงสเปกตรัมการดูดซึม UV-Vis ของภาพยนตร์ tgo
ที่ได้จากการออกซิเดชั่ความร้อนที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน
ผลแสดงให้เห็นว่าไม่มีการเปลี่ยนแปลงที่โดดเด่นถูกพบ
วงช่องว่างของภาพยนตร์ยกเว้นการเพิ่มขึ้นของการดูดกลืนแสง.
ส่งผ่านโดยรวมของภาพยนตร์ที่สูงกว่า 85% ในช่วงที่มองเห็น
ความหนาของภาพยนตร์เหล่านี้ได้รับการประเมินโดยการดูดซึม
สเปกตรัมและค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมของดีบุกออกไซด์
ภาพยนตร์ซึ่งทำให้ค่าเฉลี่ยประมาณ 200 นาโนเมตร [18]
โดยตรงแสงวงช่องว่างก็จะประมาณ 3.8 EV ซึ่งเป็น
ในช่วงของค่าที่รายงาน (3.6-4.0 EV) [2-6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แรมสเป็คตราเอกซเรย์การเลี้ยวเบนของ TGO films ที่เกิดขึ้นจากความร้อน
ออกซิเดชันที่อุณหภูมิแตกต่างระหว่าง 450 850 8C คือ
ใน Fig. 1 ก็พบว่า รักษา films TGO ทั้งหมด
โครงสร้าง rutile ของ SnO2 เป็นอุณหภูมิเกิดออกซิเดชันเพิ่ม,
ช่วยเพิ่มความเข้มสูงสุดของการเลี้ยวเบน เกิดการปรับปรุง
ผลึกคุณภาพรับ จะพบที่ความเข้มสัมพัทธ์
ของการเลี้ยวเบน (113) จะเห็นได้ชัดสูงกว่าที่ standardpowder XRD ฐาน ซึ่งบ่งชี้ว่า films (113)
แนว แตกต่างจากผลลัพธ์ของจิร้อยเอ็ด [17] .
film องค์ประกอบของ DC sputtered films ถูก
ตาม EDAX อัตราส่วน Ga/Sn TGO film
ออกซิไดซ์ที่ 650 8C (Fig. 2) 0.26 EDAX
วิเคราะห์ ซึ่งมีมากกว่าอัตราส่วน Ga/Sn ของเป้าหมาย,
ซึ่งเราเชื่อว่าเกิดจากอัตรา sputtering ต้องของ Ga
ค่อนข้างการ Sn เหตุผลที่สองในอัตราส่วนสูง
สูญเสียของกระป๋องในระหว่างกระบวนการออกซิเดชันอุณหภูมิสูงเนื่องของ
ความดันไอสูงขึ้น
3.2 คุณสมบัติแสง
Fig. 3 แสดงแรมสเป็คตราดูดซึม UV–vis ของ TGO films
ได้ โดยความร้อนการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิแตกต่างกัน
ผลแสดงที่ตรวจพบไม่มีการเปลี่ยนแปลงที่โดดเด่นสำหรับการ
แถบช่องว่างของ films ยกเว้นการเพิ่มขึ้นของ absorbance
transmittance โดยรวมของ films อยู่สูงกว่า 85% ในการ
ระยะที่มองเห็น ความหนาของ films เหล่านี้ถูกประเมินโดยการ
แรมสเป็คตราดูดซึมและ coefficient ดูดซึมของทินออกไซด์
films ซึ่งให้ค่าเฉลี่ยประมาณ 200 nm [18] ใน
ตรงช่องว่างของวงแสงได้ประมาณ 3.8 eV ซึ่ง
ในช่วงของค่าที่รายงาน (3.6–4.0 eV) [2–6]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พร่าเลือนของ X - ray Spectra ของ films tgo ที่เกิดจากความร้อน
ออกซิไดส์ที่มี อุณหภูมิ ที่แตกต่างกันระหว่าง 450 และ 8508 c
นำเสนอในรูป 1 . พบว่า films tgo ทั้งหมดรักษาไว้ซึ่งโครงสร้าง
rutile ของ sno 2 เป็นการเพิ่ม อุณหภูมิ ออกซิไดส์ที่ความเข้มสูงสุด
พร่าเลือนของช่วยเพิ่มการเริ่มต้น คุณภาพ
ซึ่งจะช่วยปรับปรุงการทำงานให้ดีขึ้นได้รับลูกแก้ว เป็นที่สังเกตเห็นความเข้มของแสงที่เกี่ยวข้อง
ตามมาตรฐานของ( 113 )พร่าเลือนของจะเห็นได้ชัดว่าสูงกว่า standardpowder ที่ฐานข้อมูล xrd ซึ่งแสดงว่า films ( 113 )
เน้นการเขียนแตกต่างจากผลของ JI เอ็ด[ 17 ]. film
ของ films DC ที่พ่นออกมาด้วยเป็น
ถูกกำหนดโดย edax อัตรา SN , GA /ของ tgo film
ที่สองหน้าสลดผละจากกันที่ 6508 c (รูปที่ 2 )เท่ากับ 0.26 เท่าตามที่กำหนดโดยการวิเคราะห์ edax
ตามมาตรฐานซึ่งมีขนาดใหญ่กว่าอัตรา SN , GA /ของเป้าหมายที่
ซึ่งเราเชื่อว่าเป็นสาเหตุมาจากอัตราละล่ำละลักได้รับสิทธิพิเศษของ GA
ค่อนข้างจะ SN เหตุผลที่สองสำหรับสัดส่วนสูงกว่าที่มี
ซึ่งจะช่วยการสูญเสียของตะกั่วในระหว่างกระบวนการออกซิไดส์ อุณหภูมิ สูงเนื่องจาก
สูงความดันไอ.
3.2 ของ ออปติคอลไดรฟ์คุณสมบัติ
รูป. 3 แสดง UV - เผชิญหน้ากับการดูดกลืนพลังงานจำเพาะ Spectra tgo ของ films ที่
ได้รับการออกซิไดส์ระบายความร้อนที่มี อุณหภูมิ ที่แตกต่างกัน
ผลที่แสดงให้เห็นว่าไม่มีการเปลี่ยนแปลงที่โดดเด่นสำหรับ
ย่านความถี่ - ลดช่องว่างของ films ยกเว้นที่เพิ่มขึ้นที่ absorbance .
transmittance โดยรวมของ films ที่มีการปรับตัวสูงขึ้นกว่า 85% ในช่วงที่สามารถมองเห็น
ความหนาของ films นี้เป็นการประเมินจาก Spectra
ซึ่งจะช่วยดูดซับและ coefficient ดูดซับของออกไซด์ดีบุก
filmsซึ่งทำให้มูลค่าเฉลี่ยที่ประมาณ 200 nm [ 18 ]
ตรงออปติคอลไดรฟ์คลื่นความถี่ - ลดช่องว่างที่อยู่ที่ประมาณ 3.8 EV ซึ่งเป็น
ซึ่งจะช่วยในช่วงของรายงานค่า( 3.6 - 4.0 โดยส่วนสำคัญ EV )[ 2-6 2-6 2-6 ]