The effect of this doping process o

The effect of this doping process on the relative conductivity can best be described through the use of the energy-band diagram of Fig. 1.8 . Note that a discrete energy level (called the donor level) appears in the forbidden band with an E g significantly less than that of the intrinsic material. Those free electrons due to the added impurity sit at this energy level and have less difficulty absorbing a sufficient measure of thermal energy to move into the conduction band at room temperature. The result is that at room temperature, there are a large number of carriers (electrons) in the conduction level, and the conductivity of the material increases significantly. At room temperature in an intrinsic Si material there is about one free electron for every 10 12 atoms. If the dosage level is 1 in 10 million (10 7 ), the ratio 10 12 >10 7  10 5 indicates that the carrier concentration has increased by a ratio of 100,000:1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ส่วนสามารถอธิบายผลของกระบวนการนี้ doping นำญาติโดยใช้ไดอะแกรมแถบพลังงานของ Fig. 1.8 หมายเหตุว่า ระดับพลังงานที่ไม่ต่อเนื่อง (เรียกว่าระดับผู้บริจาค) ปรากฏในวงต้องห้ามมีตัว E g อย่างมีนัยสำคัญน้อยกว่าที่วัสดุ intrinsic อิเล็กตรอนเหล่านั้นฟรีเนื่องจากมีมลทินเข้ามานั่งในระดับพลังงานนี้ และมีปัญหาน้อยกว่าดูดวัดความเพียงพอของพลังงานความร้อนเพื่อย้ายไปยังแถบการนำที่อุณหภูมิห้อง ผลคือ ที่อุณหภูมิห้อง มีจำนวนมากของสายการบิน (อิเล็กตรอน) ในระดับการนำ และนำวัสดุเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ ที่อุณหภูมิห้องในวัสดุการศรี intrinsic มีอิเล็กตรอนเดียวฟรีสำหรับทุก 10 อะตอม 12 ถ้าระดับปริมาณเป็น 1 ใน 10 ล้าน (10 7), อัตราส่วน 10 12 > 10 7 10 5 บ่งชี้ว่า ความเข้มข้นของผู้ขนส่งได้เพิ่มขึ้น โดยอัตราส่วน 100, 000:1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลของยาสลบกระบวนการนี​​้ในการนำญาติที่ดีที่สุดที่สามารถอธิบายได้โดยการใช้แผนภาพพลังงานกลุ่มรูป 1.8 โปรดทราบว่าระดับพลังงานที่ไม่ต่อเนื่อง (เรียกว่าระดับผู้บริจาค) จะปรากฏขึ้นในวงดนตรีที่ต้องห้ามกับ E กรัมอย่างมีนัยสำคัญน้อยกว่าที่ของวัสดุที่อยู่ภายใน ผู้อิเล็กตรอนอิสระเนื่องจากการปนเปื้อนเพิ่มนั่งอยู่ที่ระดับพลังงานนี้และมีปัญหาในการดูดซับน้อยเป็นมาตรการที่เพียงพอของพลังงานความร้อนที่จะย้ายเข้าการนำวงดนตรีที่อุณหภูมิห้อง ผลที่ได้คือที่อุณหภูมิห้องมีจำนวนมากของผู้ให้บริการ (อิเล็กตรอน) ในระดับการนำและการเพิ่มขึ้นของการนำวัสดุอย่างมีนัยสำคัญ ที่อุณหภูมิห้องในวัสดุที่แท้จริงศรีมีประมาณหนึ่งอิเล็กตรอนฟรีสำหรับทุก 10 12 อะตอม ถ้าระดับปริมาณที่เป็น 1 ใน 10 ล้าน (10 7) อัตราส่วน 10 12> 10 7? 10 5 แสดงให้เห็นว่ามีความเข้มข้นให้บริการได้เพิ่มขึ้นโดยอัตราส่วน 100,000: 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลของการเติมนี้กระบวนการในการนำญาติสามารถที่ดีที่สุดจะอธิบายถึงการใช้งานของแถบพลังงานแผนภูมิรูปที่ 1.8 ทราบว่าระดับพลังงานที่ไม่ต่อเนื่อง ( เรียกว่าระดับผู้บริจาค ) ปรากฏในพระราชวังต้องห้ามวงดนตรีกับ e กรัมน้อยกว่าที่ของวัสดุที่แท้จริงที่อิเล็กตรอนอิสระเนื่องจากการเพิ่มความสกปรกนั่งอยู่ที่ระดับ พลังงานนี้และมีความยากน้อยกว่าการใช้พลังงานความร้อนเพียงพอที่จะย้ายเข้านำวงดนตรีที่อุณหภูมิห้อง ผลที่ได้คือที่อุณหภูมิห้อง มีตัวเลขขนาดใหญ่ของผู้ให้บริการ ( อิเล็กตรอน ) ในระดับจัดการ และนำวัสดุที่เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญที่อุณหภูมิห้องในวัสดุภายในจังหวัดมีประมาณหนึ่งอิเล็กตรอนอิสระสำหรับทุก 10 12 อะตอม ถ้าระดับยาเป็น 1 ใน 10 ล้าน ( 10 ( 7 ) , อัตราส่วน 10 12 10 10 5 7  บ่งชี้ว่าผู้ให้บริการมีเพิ่มขึ้น โดยอัตราส่วนความเข้มข้นของ 100000:1 .